HSBD237 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | HSBD237 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：121K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HSBD237
█ APPLICATIONS
Medium Power Linear switching Applications
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 25W
VCBO——Collector-Base Voltage…………………………… 100V
VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 80V
VCER——Collector-Emitter Voltage………………………… 100V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V
IC——Collector Current（Pulse）………………………………… 6A
IC——Collector Current（DC）……………………………… 2A
1―Emitter, E
2―Collector，C
3―Base，B
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
ICBO
Characteristics
Collector Cut-off Current
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
VCB=100V, IE=0
100
μA
1
mA
IEBO
hFE(1)
Emitter-Base Cut-off Current
DC Current Gain
VEB=5V, IC=0
40
25
VCE=2V, IC=150mA
*hFE(2)
*VCE(sat)
*VBE(ON)
VCEO(SUS)
fT
VCE=2V, IC=1A
0.6
1.3
V
V
Ic=1A, IB=0.1A
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Ic=1A, VCE=2V
Ic=100mA,IB=0
80
3
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Current Gain-Bandwidth Product
MHz Ic=250mA, VCE=10V
* Pulse Test:PW=350μS,Duty Cycle≤1.5% Pulsed
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明