TMG3C80F [SANREX]
TRIAC(Through Hole/Isolated); TRIAC （通孔/隔离）
| 型号： | TMG3C80F |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole/Isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：473K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Isolated
TMG3C80F
Triac TMG3C80F is designed for full wave AC control applications.
TO-220F
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
10.5±0.3
4.7±0.2
2.7±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
3
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2.6±0.2
0.60±0.15
1.1±0.2
1.4±0.2
2
1
2
3
T1
T2
Gate
Features
0.6±0.15
●
●
●
●
IT(RMS)=3A
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Identifying Code：T3C8F
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
800
3
27/30
3.7
Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1.5
0.1
1
7
W
W
A
V
V
G（AV）
IGM
VGM
VISO
Tj
Peak Gate Voltage
A.C. 1minute
1500
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
1
1.4
15
15
―
15
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝4.5A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
―
1.5
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
D
5
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
1.5A ms，V ＝400V
V μs
/
/
/
/
H
I
Holding Current
2
mA
Thermal Resistance
Junction to case
5
Rth（j-c）
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG3C80F
Gate Characteristics
On-State Characteristics（MAX）
１０
１００
Peak Gate Voltage（７V ）
Tj＝ ２５℃
Tj＝１２５℃
１０
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
１
１
Non-Trigger Gate Voltage (0.2V)
０.１
１
０.１
０
１０
１００
１０００
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
Maximum Power Dissipation
４
１２５
１２０
１１５
θ
θ
＝
１８０゜
３.５
３
π
０
2π
θ
＝
１５０゜
θ
θ＝
１２０゜
３６
０゜
θ
：Conduction Angle
θ＝
９０゜
２.５
２
θ＝
６０゜
θ
＝
３０゜
θ＝
３０゜
θ
＝
６０゜
１.５
１
θ＝
９０゜
θ
π
０
2π
１１０
１０５
θ＝
１２０゜
１５０゜
１８０゜
θ
θ
＝
３
６
０゜
０.５
０
θ
＝
θ
：Conduction Angle
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
３５
３０
２５
２０
１５
１０
６０H Z
５０H Z
５
０
１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１
１０
Time（Cycles）
１００
Time（Sec.）
VGT －T（j Typical）
IGT －T（j Typical）
１０００
１０００
１００
１０
I＋GT１（1＋）
I－GT１（1－）
I－GT３（3－）
I＋GT１（1＋）
１００
I－GT１（1－）
I－GT３（3－）
１０
５０
－
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
Junction Temp.T（j ℃）
Junction Temp.T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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