TMG3D60D [SANREX]
TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated); TRIAC （表面贴装器件/非隔离）
| 型号： | TMG3D60D |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated) |
| 文件： | 总3页 (文件大小：481K) |
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(
)
TRIAC Surface Mount Device / Non-isolated
TMG3D60D
(
)
Sensitive Gate
Triac TMG3D60D is designed for full wave AC control applications.
TO-252
（5.34）
（0.9）
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
Typical Applications
6.60ꢀ±0.20
5.34ꢀ±0.30
2.30ꢀ±0.10
0.50ꢀ±0.10
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
TC POINT
2
2
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
1
2
3
1
2
0.96ꢀ±0.20
0.76ꢀ±0.20
2.30ꢀ±0.20
0.50ꢀ±0.10
1.02ꢀ±0.20
3
Features
IT(RMS)=3A
2.30ꢀ±0.20
2.30ꢀ±0.20
●
1
2
3
T1
T2
Gate
●
●
●
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Unit：mm
Identifying Code：T3D6D
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
600
Unit
V
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
3
A
Tc＝111℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
27 30
/
2
2
2
I t
3.7
A S
I t（for fusing）
GM
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1.5
W
W
A
G（AV）
P
0.1
IGM
VGM
Tj
1
Peak Gate Voltage
7
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
0.32
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
D
DRM
1
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
V
T
1.4
I ＝4.5A, Inst. measurement
＋
IGT1
1
5
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
5
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
10
－
IGT3
5
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
1.5
－
VGT1
1.5
V
V
＋
VGT3
2.0
－
VGT3
1.5
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
5
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
1.5A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
2
mA
Junction to case
3.8
60
Rth（j-c）
Rth（j-a）
Thermal Resistance
℃ W
/
Junction to ambient
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG3D60D
On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
１００
１０
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
VGM（7V）
PGM（1.5W）
１０
PG（AV（） 0.1W）
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
25℃
1＋GT３
１
VGD（0.2V）
０.１
０．１
４
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
１
１０
１００
１０００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１２５
１２０
θ
θ
＝
１８０゜
３.５
３
π
０
2π
θ
＝
１５０゜
θ
３
θ＝
１２０゜
６
０゜
θ
：Conduction Angle
θ＝
９０゜
２.５
２
θ＝ 3 0 ゜
θ＝
６０゜
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ＝
３０゜
１１５
１１０
１０５
１.５
１
θ
π
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
０
2π
θ
３
６
０゜
０.５
０
θ：Conduction Angle
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
０
０.５
1
１.５
２
２.５
３
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１００
３５
Rth（j－a）
３０
２５
２０
１５
１０
６０H Z
５０H Z
１０
１
Rth（j－c）
５
０
１
１０
Time（Cycles）
１００
０.０１
０.１
１
１０
１００ １０００ １００００ １０００００
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００VGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
I－GT（3 #－）
I＋GT（1 !＋）
I－GT（1 !－）
I－GT（3 #－）
１００
１０
－
５０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００
１２５
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG3D60D
RMS On-State vs
Allowable Ambient Temperature
θ
１２５
１００
７５
π
０
2π
θ
３６０゜
θ
：Conduction Angle
５０
２５
０
０
０.２ ０.４ ０.６ ０.８
１
１.２ １.４ １.６ １.８ ２ ２.２ ２.４
RMS On-State Curren（t A）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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