TMG3DQ60F [SANREX]
TRIAC(Through Hole/Isolated); TRIAC （通孔/隔离）
| 型号： | TMG3DQ60F |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole/Isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：482K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Isolated
(
)
TMG3DQ60F
Tj=150 / Sensitive Gate
Triac TMG3DQ60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
10.5±0.3
4.7±0.2
2.7±0.2
Typical Applications
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
2
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
3
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2.6±0.2
0.60±0.15
1.1±0.2
1.4±0.2
1
2
3
T1
T2
Gate
Features
IT(RMS)=3A
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
0.6±0.15
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
Identifying Code T3DQ6F
Unit mm
Maximum Ratings
Symbol
Tj=25 unless otherwise specified
Item
Reference
Ratings
600
3
27/30
3.7
Unit
V
A
VDRM
IT RMS
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
Tc 132
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
A S
I t for fusing
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1.5
0.1
1
7
W
W
A
V
V
G AV
IGM
VGM
VISO
Tj
Peak Gate Voltage
A.C. 1minute
1500
Isolation Breakdown Voltage R.M.S.
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
40
40
150
150
Tstg
2
g
Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
2
1.4
5
5
10
mA
V
V =V
I
, Single phase, half wave, Tj 150
TM
V
T
4.5A, Inst. measurement
IGT1
IGT1
IGT3
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
IGT3
5
D
L
V
6V
R
10
1.5
1.5
2.0
VGT1
VGT1
VGT3
VGT3
V
V
1.5
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
D
DRM
0.1
Tj 150
Tj 150
V
2V
2
D
DRM
1
dv dt c
/
di dt c
/
A ms
/
V
3V
V
s
/
H
I
Holding Current
2
mA
j-c
Thermal Resistance
Junction to case
5
Rt
W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG3DQ60F
Gate Characteristics
On-State Characteristics（MAX）
１０
１００
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１５０℃
PGM（1.5W）
VGM（7V）
PG（AV（） 0.1W）
１
１０
25℃ 25℃
1＋GT１ 1＋GT3
1－GT１
1－GT３
１
０．１
VGD（0.1V）
０．０１
０.１
０
１
１０
１００
１０００
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
４
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
４
３.５
３
１５０
１４５
１４０
＝150゜
θ
＝180゜
θ
π
θ
０
2π
θ＝
120゜
θ
３
６０゜
θ＝
90゜
θ
：Conduction Angle
２.５
２
θ＝
60゜
θ＝ 3 0 ゜
θ＝
30゜
１.５
１
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ
π
０
2π
１３５
１３０
θ
３
６０゜
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
０.５
０
θ
：Conduction Angle
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
３５
３０
２５
２０
１５
１０
６０H Z
５０H Z
５
０
１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１
１０
１００
Time（Sec.）
Time（Cycles）
１０００VGT －T（j Typical）
IGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
V＋GT（3 #＋）
１００
V＋GT（1 !＋）
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
I－GT３（#－）
V－GT（1 !－）
V－GT（3 #－）
I＋GT３（#＋）
１０
－
５０
－２５
０
２５
１００ １２５ １5 0
５０
７５
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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