TMG3D60F [SANREX]
TMG3D60F (THROUGH HOLE / ISOLATED ); TMG3D60F （通孔/隔离）
| 型号： | TMG3D60F |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TMG3D60F (THROUGH HOLE / ISOLATED ) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：475K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Isolated
(
)
TMG3D60F
Sensitive Gate
Triac TMG3D60F is designed for full wave AC control applications.
TO-220F
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
10.5±0.3
4.7±0.2
2.7±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
3
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2.6±0.2
0.60±0.15
1.1±0.2
1.4±0.2
2
1
2
3
T1
T2
Gate
Features
0.6±0.15
●
●
●
●
IT(RMS)=3A
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Identifying Code：T3D6F
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
600
3
27/30
3.7
Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1.5
0.1
1
7
W
W
A
V
V
G（AV）
IGM
VGM
VISO
Tj
Peak Gate Voltage
A.C. 1minute
1500
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
1
1.4
5
5
10
5
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝4.5A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
2.0
1.5
VGT3
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
5
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
1.5A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
2
mA
Thermal Resistance
Junction to case
5
Rth（j-c）
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
TMG3D60F
Gate Characteristics
On-State Characteristics（MAX）
１００
１０
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
VGM（7V）
PGM（1.5W）
１０
PG（AV（） 0.1W）
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
25℃
1＋GT３
１
VGD（0.2V）
０．１
１
０.１
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
１０
１００
１０００
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
４
３.５
３
１２５
１２０
１１５
θ
π
θ
＝
１８０゜
０
2π
θ
＝
１５０゜
θ
θ＝
１２０゜
３
６
０゜
θ
：Conduction Angle
θ＝
９０゜
２.５
２
θ＝
６０゜
θ
＝
３０゜
θ＝
３０゜
θ
＝
６０゜
１.５
１
θ＝
９０゜
θ
π
０
2π
１１０
１０５
θ＝
１２０゜
１５０゜
１８０゜
θ
θ
＝
３
６
０゜
０.５
０
θ
＝
θ
：Conduction Angle
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
３５
１０
３０
２５
２０
１５
１０
６０H Z
５０H Z
５
０
１
０.０１
１
１０
Time（Cycles）
１００
０.１
１
１０
１００
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
VGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
１０００
１００
１０
V＋GT（1 !＋）
V－GT（1 !－）
V＋GT（3 #＋）
V－GT（3 #－）
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
I－GT（3 #－）
I＋GT３（#＋）
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
Junction Temp.T（j ℃）
Junction Temperature（℃）
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