FS800R06A2E3 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33;
| 型号： | FS800R06A2E3 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 局域网 栅 晶体管 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：415K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
HybridPACK2 Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und Emitter Controlled Diode
HybridPACK2 module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Zieldaten / target data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
I†¤
600
800
V
A
Implementierter Kollektor-Strom
implemented collector current
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TŒ = 75°C, TÝÎ = 175°C
TŒ = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
550
700
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
1600
1500
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TŒ = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 550 A, V•Š = 15 V
I† = 550 A, V•Š = 15 V
I† = 550 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,30 1,60
1,35
1,40
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 13,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
8,60
0,5
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
52,0
1,50
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 550 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,12
0,12
0,13
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 550 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,09
0,10
0,10
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 550 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,88
0,90
0,91
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 550 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,07
0,09
0,09
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 550 A, V†Š = 300 V, L» = 20 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
13,0
14,5
15,5
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 550 A, V†Š = 300 V, L» = 20 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
28,0
30,5
32,0
mJ
mJ
mJ
EÓËË
IȠ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
5600
4000
A
A
Innerer Wärmewiderstand
pro IGBT / per IGBT
thermal resistance, junction to cooling fluid cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol; ÆV/Æt = 10,0 RÚÌœŒ
dm³/min
0,10 K/W
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approved by: Ingo Graf
date of publication: 2008-02-12
revision: 1.1
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
600
800
V
A
Implementierter Durchlassstrom
implemented forward current
IŒ¤
IŒ
Dauergleichstrom
DC forward current
550
A
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
1600
t.b.d.
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 550 A, V•Š = 0 V
IŒ = 550 A, V•Š = 0 V
IŒ = 550 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,40 1,75
1,35
1,30
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 6300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
270
390
410
A
A
A
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 6300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
22,0
49,0
52,0
µC
µC
µC
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 6300 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
5,50
12,0
13,5
mJ
mJ
mJ
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
pro Diode / per diode
thermal resistance, junction to cooling fluid cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol; ÆV/Æt = 10,0 RÚÌœŒ
dm³/min
0,14 K/W
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
min. typ. max.
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
5,00
kÂ
%
rated resistance
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
8,0
5,5
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
8,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
100
Druckabfall im Kühlkreislauf*
pressure drop in cooling circuit*
ÆV/Æt = 10,0 dm³/min; TŒ = 25°C
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol
Æp
p
mbar
bar
Höchstzulässiger Druck im Kühlkreislauf
maximum pressure in cooling circuit
2,5
Modulinduktivität
stray inductance module
LÙ†Š
14
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
TŒ = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,00
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
150
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
2,5
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
1250
* Druckabfall im Kühlkreislauf bei Montage entsprechend der Zeichnung im Abschnitt Gehäuseabmessungen
* Pressure drop in cooling circuit by mounting according to the drawing in chapter package outlines
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V
TÝÎ = 150°C
1600
1600
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
1500
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 2.7 Â, R•ÓËË = 2.7 Â, V†Š = 300 V
1600
55
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
1500
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I† [A]
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revision: 1.1
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœŒ = f (t) (ÆV/Æt=10 dm³/min)
V•Š = ±15 V, I† = 550 A, V†Š = 300 V
200
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœŒ : IGBT
180
160
140
120
100
80
0,1
0,01
60
40
i:
rÍ[K/W]: 0,0062 0,022 0,0238 0,038 0,01
0,0005 0,02 0,058 0,45 2,19
1
2
3
4
5
20
τÍ[s]:
0
0,001
0,001
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
thermal impedance IGBT-inverter
RÚÌœŒ = f (ÆV/Æt)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2.7 Â, TÝÎ = 150°C
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol
1700
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
0,108
RÚÌœŒ: IGBT
0,106
0,104
0,102
0,100
0,098
0,096
0,094
800
700
600
500
400
300
200
100
0
I†, Modul
I†, Chip
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
ÆV/Æt [dm³/min]
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revision: 1.1
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
R•ÓÒ = 2.7 Â, V†Š = 300 V
1600
16
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
14
12
10
8
6
4
2
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VΠ[V]
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IΠ[A]
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœŒ= f (t) (ÆV/Æt=10 dm³/min)
IŒ = 550 A, V†Š = 300 V
16
1
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœŒ : Diode
14
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0126 0,0391 0,0417 0,0331 0,0135
4
5
2
τÍ[s]:
0,0006 0,017 0,053 0,39
3,2
0
0,01
0,001
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
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date of publication: 2008-02-12
revision: 1.1
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
thermal impedance diode-inverter
RÚÌœŒ = f (ÆV/Æt)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol
0,148
100000
RÚÌœŒ: Diode
RÚáÔ
0,146
0,144
0,142
0,140
0,138
0,136
0,134
10000
1000
100
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
ÆV/Æt [dm³/min]
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
Druckabfall im Kühlkreislauf*
pressure drop in cooling circuit*
Æp = f (ÆV/Æt)
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol, TŒ = 25°C
325
Æp: Modul
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
ÆV/Æt [dm³/min]
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date of publication: 2008-02-12
revision: 1.1
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Schaltplan / circuit diagram
P3
P2
P1
T11
T12
C5
C3
C1
T
G5
E5
G3
E3
G1
E1
T21
T22
3
2
1
T
C6
C4
C2
T31
T32
G6
E6
G4
E4
G2
E2
T
N2
Gehäuseabmessungen /Np3ackage outlines
N1
prepared by: Sven Schennetten
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2008-02-12
revision: 1.1
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS800R06A2E3
Zieldaten
target data
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).
For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
prepared by: Sven Schennetten
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2008-02-12
revision: 1.1
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