FS800R07A2E3_B31 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor,;
| 型号： | FS800R07A2E3_B31 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 栅 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：816K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
HybridPACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiodeꢀundꢀNTC
HybridPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀNTC
T
T
T
VCES = 650V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A
TypischeꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀimꢀAutomobil
• Hybrid-Elektrofahrzeugeꢀ(H)EV
• Hybrid-Nutzfahrzeuge
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• AutomotiveꢀApplications
• HybridꢀElectricalꢀVehiclesꢀ(H)EV
• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles
• MotorꢀDrives
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop
• HighꢀCurrentꢀDensity
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
• LowꢀInductiveꢀDesign
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀVCEsat
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ175°C
• TrenchꢀIGBTꢀ3
• TrenchꢀIGBTꢀ3
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• DirektꢀgekühlteꢀBodenplatte
• HoheꢀLeistungsdichte
MechanicalꢀFeatures
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• DirectꢀCooledꢀBaseꢀPlate
• HighꢀPowerꢀDensity
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• IsolierteꢀBodenplatte
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
Digit
ModuleꢀSerialꢀNumber
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TF = 75°C, Tvj max = 175°C
TF = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
550
700
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
1600
1550
+/-20
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TF = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 550 A, VGE = 15 V
IC = 550 A, VGE = 15 V
IC = 550 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,30 1,50
1,35
1,40
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 13,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
4,9
5,8
8,60
0,5
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
52,0
1,50
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 550 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,12
0,12
0,13
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 550 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,10
0,10
0,10
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 550 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,51
0,53
0,55
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 550 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,04
0,06
0,07
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 550 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
10,5
12,0
12,5
mJ
mJ
mJ
Eon
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 550 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 0,75 Ω
Tvj = 25°C
21,0
25,0
26,0
mJ
mJ
mJ
Eoff
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
5600
4000
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühl-Flüssigkeit proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcoolingꢀfluid coolingꢀfluidꢀ=ꢀ50%ꢀwater/50%ꢀethylenglycol;ꢀ∆V/∆tꢀ=
RthJF
0,097 K/W
10,0ꢀdm³/min
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
Tvj op
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
550
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
1600
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
15000
14500
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 550 A, VGE = 0 V
IF = 550 A, VGE = 0 V
IF = 550 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,40 1,75
1,35
1,30
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 550 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
200
330
360
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 550 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
17,0
40,0
45,0
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 550 A, - diF/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
4,00
9,50
11,5
mJ
mJ
mJ
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühl-Flüssigkeit proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcoolingꢀfluid coolingꢀfluidꢀ=ꢀ50%ꢀwater/50%ꢀethylenglycol;ꢀ∆V/∆tꢀ=
RthJF
0,135 K/W
10,0ꢀdm³/min
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
Tvj op
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
-5
5
%
Verlustleistung
TC = 25°C
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,0
5,5
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
DruckabfallꢀimꢀKühlkreislauf*
Pressureꢀdropꢀinꢀcoolingꢀcircuit*
∆V/∆t = 10,0 dm³/min; TF = 25°C
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol
∆p
p
119
mbar
HöchstzulässigerꢀDruckꢀimꢀKühlkreislauf
Maximumꢀpressureꢀinꢀcoolingꢀcircuit
2,5 bar
nH
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
14
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
TFꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
RCC'+EE'
0,80
mΩ
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
3,00
2,5
125
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
G
1340
* Kühleraufbau gemäß gültiger Application Note.
* Cooler setup according to the valid application note.
Kundenspezifischꢀ/ꢀCustomized
min. typ. max.
680
Collector-emitter voltage
T vj = 25°C
Vces
V
(tested end of line)
Temperature under switching
conditions
Max. 30h over life time inverter / brake-chopper
for 10s within period of 10min
T vj op
175
°C
Short circuit ruggedness specified
at 150°C
s. IGBT characteristic values
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
35
30
25
20
15
10
5
800
700
600
500
400
300
200
100
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
100 200 300 400 500 600 700 800
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJFꢀ=ꢀfꢀ(t)ꢀꢀꢀ(∆V/∆t=10ꢀdm³/min)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ550ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
160
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJF : IGBT
140
120
100
80
0,1
60
0,01
40
i:
1
2
3
4
5
20
ri[K/W]: 0,006 0,0213 0,0231 0,0369 0,0097
τi[s]:
0,0005 0,02
0,058 0,45
2,19
0
0,001
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
WärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
thermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
RthJFꢀ=ꢀfꢀ(∆V/∆t)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
coolingꢀfluidꢀ=ꢀ50%ꢀwater/50%ꢀethylenglycol
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.75ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1700
0,104
0,102
0,100
0,098
0,096
0,094
0,092
0,090
RthJF: IGBT
1600
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
IC, Modul
IC, Chip
0
100
200
300
400
500
600
700
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
∆V/∆t [dm³/min]
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1600
16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
14
12
10
8
6
4
2
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IF [A]
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJF=ꢀfꢀ(t)ꢀꢀꢀ(∆V/∆t=10ꢀdm³/min)
IFꢀ=ꢀ550ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
16
1
ZthJF : Diode
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
14
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
4
5
2
ri[K/W]: 0,0122 0,0376 0,0401 0,0319 0,0131
τi[s]:
0,0006 0,017 0,053 0,39
3,2
0
0,01
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
WärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
thermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
RthJFꢀ=ꢀfꢀ(∆V/∆t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
coolingꢀfluidꢀ=ꢀ50%ꢀwater/50%ꢀethylenglycol
0,142
0,140
0,138
0,136
0,134
0,132
0,130
0,128
100000
RthJF: Diode
Rtyp
10000
1000
100
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
∆V/∆t [dm³/min]
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
DruckabfallꢀimꢀKühlkreislauf*
pressureꢀdropꢀinꢀcoolingꢀcircuit*
∆pꢀ=ꢀfꢀ(∆V/∆t)
coolingꢀfluidꢀ=ꢀ50%ꢀwater/50%ꢀethylenglycol,ꢀTFꢀ=ꢀ25°C
400
∆p: Modul
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
∆V/∆t [dm³/min]
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
P3
P2
P1
T11
T12
C5
C3
C1
T
G5
E5
G3
E3
G1
E1
T21
T22
3
2
1
T
C6
C4
C2
T31
T32
G6
E6
G4
E4
G2
E2
T
N3
N2
N1
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FS800R07A2E3_B31
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
preparedꢀby:ꢀWJ
approvedꢀby:ꢀMM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-02
revision:ꢀ3.1
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