FS800R07A2E3_技术文档

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS800R07A2E3

HybridPACK 2 Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und Emitter Controlled Diode

HybridPACK 2 module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

I†¤

650

800

V

A

Implementierter Kollektor-Strom

implemented collector current

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

TŒ = 75°C, TÝÎ = 175°C

TŒ = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑ

I†

550

700

A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

1600

1500

+/-20

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

TŒ = 25°C, TÝÎ = 175°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 550 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,30 1,60

1,35

1,40

V

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 13,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

4,9

5,8

8,60

0,5

6,5

V

µC

Â

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 650 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

52,0

1,50

nF

mA

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

5,0

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

400 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 550 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,12

0,13

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 550 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,10

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 550 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 0,75 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,51

0,53

0,55

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 550 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 0,75 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,04

0,06

0,07

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 550 A, V†Š = 300 V, L» = 20 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

10,5

12,0

12,5

mJ

EÓÒ

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 550 A, V†Š = 300 V, L» = 20 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

21,0

25,0

26,0

mJ

EÓËË

I»†

R•ÓËË = 0,75 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 360 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C

t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C

5600

4000

A

Innerer Wärmewiderstand

pro IGBT / per IGBT

thermal resistance, junction to cooling fluid cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol; ÆV/Æt = 10,0

dm³/min

RÚÌœŒ

0,10 K/W

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1

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS800R07A2E3

Vorläufige Daten

preliminary data

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

650

800

V

A

Implementierter Durchlassstrom

implemented forward current

IŒ¤

IŒ

Dauergleichstrom

DC forward current

550

Periodischer Spitzenstrom

t« = 1 ms

IŒç¢

I²t

1600

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

35000

34000

A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Durchlassspannung

forward voltage

IŒ = 550 A, V•Š = 0 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

1,40 1,75

1,35

1,30

V

VŒ

Iç¢

QØ

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 5500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

280

410

430

A

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 5500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

21,0

45,0

52,0

µC

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

IŒ = 550 A, - diŒ/dt = 5500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

5,50

11,5

13,5

mJ

Vç = 300 V

V•Š = -15 V

EØþÊ

RÚÌœŒ

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to cooling fluid cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol;

ÆV/Æt = 10,0 dm³/min

pro Diode / per diode

0,14 K/W

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / characteristic values

Nennwiderstand

rated resistance

min. typ. max.

T† = 25°C

Rèë

ÆR/R

Pèë

5,00

kÂ

%

Abweichung von Ræåå

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â

deviation of Ræåå

-5

5

Verlustleistung

T† = 25°C

20,0 mW

power dissipation

B-Wert

Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

B-value

Bèëõëå

Bèëõîå

Bèëõæåå

3375

3411

3433

K

B-Wert

Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

B-value

B-Wert

Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]

B-value

Angaben gemäß gültiger Application Note.

Specification according to the valid application note.

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2

Technische Information / technical information

IGBT-Module

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FS800R07A2E3

Vorläufige Daten

preliminary data

Modul / module

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

insulation test voltage

Vš»¥¡

2,5

Cu

kV

Material Modulgrundplatte

material of module baseplate

Material für innere Isolation

material for internal insulation

AlèOé

Kriechstrecke

creepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

7,0

5,5

mm

Luftstrecke

clearance distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

7,0

5,0

Vergleichszahl der Kriechwegbildung

comparative tracking index

CTI

> 200

min. typ. max.

100

Druckabfall im Kühlkreislauf*

pressure drop in cooling circuit*

ÆV/Æt = 10,0 dm³/min; TŒ = 25°C

cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol

Æp

p

mbar

bar

Höchstzulässiger Druck im Kühlkreislauf

maximum pressure in cooling circuit

2,5

Modulinduktivität

stray inductance module

LÙ†Š

14

nH

Modulleitungswiderstand,

Anschlüsse - Chip

module lead resistance,

terminals - chip

TŒ = 25°C, pro Schalter / per switch

R††óôŠŠó

0,80

mÂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper

TÝÎ ÑÈà

TÝÎ ÓÔ

TÙÚÃ

M

175

°C

Temperatur im Schaltbetrieb

temperature under switching conditions

-40

150

125

Lagertemperatur

storage temperature

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M6 - mounting according to valid application note

3,00

2,5

-

6,00 Nm

5,0 Nm

g

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M6 - mounting according to valid application note

M

Gewicht

weight

G

1250

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3

Technische Information / technical information

IGBT-Module

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FS800R07A2E3

Vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

1600

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19V

V•Š = 17V

V•Š = 15V

V•Š = 13V

V•Š = 11V

V•Š = 9V

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6

V†Š [V]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.8 Â, R•ÓËË = 0.75 Â, V†Š = 300 V

1600

40

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

35

30

25

20

15

10

5

0

5

6

7

8 9

V•Š [V]

10

11

12

0

100 200 300 400 500 600 700 800

I† [A]

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4

Technische Information / technical information

IGBT-Module

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FS800R07A2E3

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

transient thermal impedance IGBT-inverter

ZÚÌœŒ = f (t) (ÆV/Æt=10 dm³/min)

V•Š = ±15 V, I† = 550 A, V†Š = 300 V

160

1

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

ZÚÌœŒ : IGBT

140

120

100

80

0,1

60

0,01

40

i:

rÍ[K/W]: 0,0062 0,022 0,0238 0,038 0,01

τÍ[s]: 0,0005 0,02 0,058 0,45 2,19

1

2

3

4

5

20

0

0,001

0

2

4

6

8 10

R• [Â]

12

14

16

18

0,01

0,1

t [s]

1

10

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

I† = f (V†Š)

Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

thermal impedance IGBT-inverter

RÚÌœŒ = f (ÆV/Æt)

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.75 Â, TÝÎ = 150°C

cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol

1700

1600

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

0,108

RÚÌœŒ: IGBT

0,106

0,104

0,102

0,100

0,098

0,096

0,094

800

700

600

500

400

300

200

100

0

I†, Modul

I†, Chip

0

100

200

300 400

V†Š [V]

500

600

700

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

ÆV/Æt [dm³/min]

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IGBT-Module

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Vorläufige Daten

preliminary data

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

IŒ = f (VŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

R•ÓÒ = 1.8 Â, V†Š = 300 V

1600

18

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

1500

16

1400

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

14

12

10

8

6

4

2

0

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0

VŒ [V]

0

100 200 300 400 500 600 700 800

IŒ [A]

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœŒ= f (t) (ÆV/Æt=10 dm³/min)

IŒ = 550 A, V†Š = 300 V

18

16

14

12

10

8

1

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

ZÚÌœŒ : Diode

0,1

6

4

i:

1

2

3

rÍ[K/W]: 0,0126 0,0391 0,0417 0,0331 0,0135

4

5

2

τÍ[s]:

0,0006 0,017 0,053 0,39

3,2

0

0,01

0,001

0

2

4

6

8 10

R• [Â]

12

14

16

18

0,01

0,1

t [s]

1

10

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6

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

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Vorläufige Daten

preliminary data

Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

thermal impedance diode-inverter

RÚÌœŒ = f (ÆV/Æt)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-temperature characteristic (typical)

R = f (T)

cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol

0,148

100000

RÚÌœŒ: Diode

RÚáÔ

0,146

0,144

0,142

0,140

0,138

0,136

0,134

10000

1000

100

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

ÆV/Æt [dm³/min]

0

20

40

60

80

T† [°C]

100 120 140 160

Druckabfall im Kühlkreislauf*

pressure drop in cooling circuit*

Æp = f (ÆV/Æt)

cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol, TŒ = 25°C

325

Æp: Modul

300

275

250

225

200

175

150

125

100

75

50

25

0

2

4

6

8 10 12 14 16 18 20

ÆV/Æt [dm³/min]

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7

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IGBT-Module

IGBT-modules

FS800R07A2E3

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltplan / circuit diagram

P3

P2

P1

T11

T12

C5

C3

C1

T

G5

E5

G3

E3

G1

E1

T21

T22

3

2

1

T

C6

C4

C2

T31

T32

G6

E6

G4

E4

G2

E2

T

N2

Gehäuseabmessungen /^Np³ackage outlines

N1

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8

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IGBT-Module

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Vorläufige Daten

preliminary data

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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prepared by: SS

approved by: MM

date of publication: 2011-01-17

revision: 2.0

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型号：	FS800R07A2E3
厂家：	Infineon
描述：	HybridPACK 2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled diode HybridPACK 2模块沟/场终止IGBT3和发射极控制二极管二极管双极性晶体管
文件：	总9页 (文件大小：438K)
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FS800R07A2E3 [INFINEON]

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