RSX501L-20 [ROHM]
DIODE RSX501L-20; 二极管RSX501L - 20
| 型号： | RSX501L-20 |
| 厂家： | 
ROHM |
| 描述： | DIODE RSX501L-20 |
| 文件： | 总3页 (文件大小：52K) |
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RSX501L-20
ダイオード
ショットキーバリアダイオード
RSX501L-20
!外形寸法図 (Unit : mm)
!用途
一般整流用
CATHODE MARK
1.5±0.2
!特長
1) 小型パワーモールドタイプ (PMDS)
2) 高信頼度
3) 超低 VF
0.02
0.1
0.1±
5 7
3
4
2.6±
0.2
2.0±
0.2
ROHM :
EIAJ : −
JEDEC :
!構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
!絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
尖頭逆方向電圧
Symbol
Limits
25
Unit
V
VRM
直流逆方向電圧
V
R
20
V
平均整流電流
I
O
5
A
尖頭順サージ電流(60Hz・1cyc.)
接合部温度
I
FSM
70
A
Tj
125
−40~125
°C
°C
保存温度
アルミナ基板実装時。Tc=90°C MAX.
Tstg
!電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧
Symbol
Min.
−
Typ.
Max.
0.39
500
Conditions
Unit
V
V
F
−
−
I
F
=3.0A
逆方向電流
I
R
−
µA
VR=20V
1/2
RSX501L-20
ダイオード
!電気的特性曲線 (Ta=25°C)
10000
1000000
100000
10000
1000
10000
1000
100
f=1MHz
Ta=25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=125°C
Ta=75°C
1000
100
10
1
Ta=25°C
100
10
0
100
200
300
400
500
10 0
10
REVERSE VOLTAGE : V
20
0
5
10
15
20
FORWARD VOLTAGE : V
F
(mV)
R
(V)
REVERSE VOLTAGE : VR (V)
Fig.1 順方向特性
Fig.2 逆方向特性
Fig.3 端子間容量特性
1000
100
10
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
PMDS
Rth (j-a) =94°C / W
DC
ガラスエポキシ基板実装時
DC
Sin (θ=180)
D=1 / 2
D=1 / 2
Sin (θ=180)
0A
0V
IO
0A
0V
IO
VR
V
R
t
D=t / T
=10V
Tj=125°C
D=t / T
=10V
Tj=125°C
t
T
V
R
VR
T
1
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
0
25
50
75
100
125
It (s)
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)
CASE TEMPERATURE : Tc (°C)
Fig.5 Derating Curve (I
O
-Ta)
Fig.6 Derating Curve (IO-Tc)
Fig.4
200
30
25
20
15
10
5
Ta=25°C
30kV以上
30kV以上
150
100
50
8.3ms 8.3ms
1cyc.
Ta=25°C
1パルス印加
200pF
100pF
0Ω
1.5kΩ
機械モデル
人体モデル
0
0
0
10
100
N (Cyc)
Fig.7
Fig.8 ESD
2/2
Appendix
ごꢀꢀ注ꢀꢀ意
●ꢀ本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
●ꢀ本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
ꢀꢀ本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書
ꢀꢀを必ずご請求の上、ご確認下さい。仕様書をご確認されることがなかった場合、万一ご使用機
ꢀꢀ器に瑕疵が生じましても、弊社はその責を負いかねますのでご了承下さい。
●ꢀ記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動
ꢀꢀ作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考
ꢀꢀ慮していただきますようお願いいたします。
●ꢀここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示
ꢀꢀすものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に
ꢀꢀ対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三
ꢀꢀ者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきまし
ꢀꢀては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。
●ꢀ本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には
ꢀꢀ弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利
ꢀꢀについて明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
●ꢀ本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・
ꢀꢀ装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
●
本製品は「シリコン」を主材料として製造されております。
●ꢀ本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電
製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求
され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、
航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前
に弊社営業窓口までご相談願います。
●日本における輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.0
相关型号：
RSY160P05TL
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 45V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TCPT, DPAK-3
ROHM
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