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IDW40G120C5B [INFINEON]

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3;
IDW40G120C5B
型号： IDW40G120C5B
厂家： Infineon    Infineon
描述：

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

局域网 功效 光电二极管
文件： 总10页 (文件大小：587K)
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IDW40G120C5BFKSA1

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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INFINEON

IDW40G65C5

 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes

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INFINEON

IDW40G65C5B

 650V SiC Schottky Diode

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INFINEON

IDW40G65C5BXKSA2

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

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INFINEON

IDW40G65C5B_15

 650V SiC Schottky Diode

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INFINEON

IDW40G65C5FKSA1

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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INFINEON

IDW40G65C5XKSA1

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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INFINEON

IDW40G65C5_12

 ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

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INFINEON

IDW75D65D1

 Rapid 1 650 V 开关, 75 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-247封装和共阴极配置，可对设计进行优化，尺寸更为紧凑，组装更加简易，从而降低了成本。

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INFINEON

IDW75E60

 Fast Switching EmCon Diode

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INFINEON

IDW75E60_09

 600 V EmCon technology

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INFINEON

IDW80C65D2XKSA1

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247,

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INFINEON

IDWD10G120C5

 是1200 V、10 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中，与Si二极管相比，CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基的一大特色），第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压（VF）、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。

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INFINEON

IDWD20G120C5

 是1200 V、20 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中，与Si二极管相比，CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基的一大特色），第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压（VF）、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。

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INFINEON

IDWD30G120C5

 是1200 V、30 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中，与Si二极管相比，CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基的一大特色），第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压（VF）、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。

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INFINEON

IDWD40G120C5

 是1200 V、40 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中，与Si二极管相比，CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基的一大特色），第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压（VF）、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。

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INFINEON

IDX7505

 1-Axis Step / Direction Driver 5A / 75V with RS-485

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TRINAMIC

IDY10S120

 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode

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INFINEON

IDY10S120XKSA1

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC, TO-247HC, 3 PIN

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INFINEON

IDY15S120

 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode

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INFINEON
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