IDW40E65D2 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3;型号: | IDW40E65D2 |
厂家: | Infineon |
描述: | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 软恢复二极管 快速软恢复二极管 局域网 光电二极管 |
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IDW40E65D2FKSA1
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDW40G120C5B
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW40G120C5BFKSA1
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDW40G65C5
650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodesWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDW40G65C5B
650V SiC Schottky DiodeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW40G65C5BXKSA2
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW40G65C5B_15
650V SiC Schottky DiodeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW40G65C5FKSA1
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW40G65C5XKSA1
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDW40G65C5_12
ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW75D65D1
Rapid 1 650 V 开关, 75 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-247封装和共阴极配置,可对设计进行优化,尺寸更为紧凑,组装更加简易,从而降低了成本。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW75E60
Fast Switching EmCon DiodeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDW75E60_09
600 V EmCon technologyWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDW80C65D2XKSA1
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDWD10G120C5
是1200 V、10 A第五代CoolSiC™肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET,如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中,与Si二极管相比,CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗(碳化硅肖特基的一大特色),第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压(VF)、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IDWD20G120C5
是1200 V、20 A第五代CoolSiC™肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET,如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中,与Si二极管相比,CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗(碳化硅肖特基的一大特色),第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压(VF)、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDWD30G120C5
是1200 V、30 A第五代CoolSiC™肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET,如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中,与Si二极管相比,CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗(碳化硅肖特基的一大特色),第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压(VF)、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDWD40G120C5
是1200 V、40 A第五代CoolSiC™肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET,如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中,与Si二极管相比,CoolSiC™ 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗(碳化硅肖特基的一大特色),第五代CoolSiC™产品还具有同类产品中的最佳正向电压(VF)、随温度变化最小的VF以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IDX7505
1-Axis Step / Direction Driver 5A / 75V with RS-485Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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TRINAMIC
IDY10S120
2nd Generation thinQ! SiC Schottky DiodeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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