STF16360EN [ETC]
STF16360EN是一种静态VFD驱动电路,带有36个高压驱动端口,可直接驱动静态VFD。;型号: | STF16360EN |
厂家: | ETC |
描述: | STF16360EN是一种静态VFD驱动电路,带有36个高压驱动端口,可直接驱动静态VFD。 高压 驱动 |
文件: | 总7页 (文件大小:221K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
STF16360EN
静态 VFD 驱动电路
概述
STF16360EN是一种静态 VFD 驱动电路 带有 36 位高压驱动端口 可直接驱动静态 VFD 该电路由
一个 36 位串入并出/串入串出移位寄存器 一个 36 位数据控制驱动器两部分组成 带有级联端口 使
用时很灵活 根据用户的实际需要 CPU 编程控制非常方便 是 CPU 与静态 VFD 之间的非常理想的
元件
移位寄存器接收串行输入数据 输出串行数据 并提供送往控制驱动模块的并行数据 移位寄存
器有独立的时钟输入端 可通过复位信号对移位寄存器进行复位
功能特点
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
电路采用三电源供电 +5V
GND 0V
Vee
-30V
高压驱动端口采用带有高压结构的开漏 PMOS 管输出 并带有下拉电阻 可直接驱动静态 VFD
有很好的 CPU 接口 如 Din Ctl Reset
带有串行输出端口 串行输出电流大 可以根据需要采用级联
封装形式 QFP44
管脚排列图
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
1
2
3
4
5
6
7
8
Out35
Out36
SER
VSS
CTL
CLK
RST
DIN
Out23
Out22
Out21
Out20
Out19
VDD
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
STF16360EN
Out18
Out17
Out16
Out15
Out14
9
10
11
VEE
Out1
Out2
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
第 1 页 共 7 页
STF16360
管脚说明
管脚号
符号
CLk
Din
管脚名
I/O
描述
下降沿时输入串行数据 上升沿时输出串
行数据
28
26
输入时钟
I
串行数据输入端
I
时钟下降沿时输入串行数据
低电平有效 允许并行数据输出 低电平
宽度不超过一个时钟周期 其下降沿要在
时钟上升沿之后 上升沿要在时钟下降沿
之前 使用中通过控制 En 有效信号输入
时间及扩展使用来实现多种并行输出
29
CTL(En)
数据输出控制端
I
32-44
1-5
7-24
6
25
31
Out36-Out1
并行数据输出
O
在 CTL为低电压时 并行数据输出
VDD
VEE
Dout
Reset
GND
逻辑电源
VFD 驱动高压
串行数据输出
清零信号
5V
I
O
I
电压值可达-30V
时钟上升沿时输出串行数据
内接上拉电阻 低电平有效
与系统地相连
27
30
逻辑地
功能框图
Din
CLk
位移位
显示控
高压驱
36
36
36
Out1
~
寄存器
制电路
动电路
Out36
Reset
Dout
VDD
CTL
GND
(0V)
VEE
(+5V)
(-30V)
功能说明
系统工作时 STF16360的复位功能可以通过多种形式完成 通过 CPU 直接从 Reset 端口加入复位
信号 也可在 Reset 端口与 GND 之间外接一个 20pF 的电容完成上电复位功能 也可通过 Din 端口采
用加零办法完成复位
STF16360共有两种模式 数据传输模式 显示驱动模式 工作中 两种模式交替进行 在数据传
输模式中 串行数据 Din 在时钟 CLk 控制下移位进入STF16360 并锁存 此时使能信号 En要设为高
电平 显示驱动模式中 En设为低电平 移位寄存器中的数据通过高压驱动模块直接输出 驱动 VFD
此时时钟信号要保持不变 串行输出端口 Dout 只受 CLk 控制 不受 En的控制 工作中可通过 CPU
对En与 CLk 之间时序的控制来选择芯片级联数
高压驱动端口数
第 2 页 共 7 页
STF16360
I/O 端口结构
1
输入端口 Din CLk CTL
VDD
VDD
14.4/2.0
PMOS
NMOS
NMOS
2
输入端口 Reset
VDD
VDD
VDD
PMOS
PMOS
PMOS
NMOS
NMOS
第 3 页 共 7 页
STF16360
3
输出端口 Dout
VDD
VDD
PMOS
PMOS
NMOS
NMOS
4
输出端口 Out1 Out36
VDD
PMOS
90k
VEE
第 4 页 共 7 页
STF16360
电路工作波形示意图
Reset
CLk
Din
CTL
Dout
000000000
000000000
000000000
Out<1:36>
033000000
033000000
说明
该波形示意图内的 Out<1:36>的低电平为高压输出低电平 其余的高 低电平分别为逻辑高 低电平
电参数 除非特别说明 Ta=25
参
数
符 号
最小值
典型值
最大值
单 位
说 明
工作电压
VDD
VIH
4.5
5
5.5
VDD
V
V
V
V
高电平输入电压
低电平输入电压
驱动电源电压
高压驱动端口
高电平输出电流
高压驱动端口
输出下拉电阻
0.7VDD
VIL
0
0
0.3VDD
Vee
V
-35
DD
Ioh
-3
mA
Vo=VDD-2V
Rl
50
90
150
驱动器输出
kΩ
Vo=VDD-35V
驱动器关闭
驱动漏电流
Ioleak
-10
µA
静态电流消耗
工作温度
IDDdyn
Topt
Tst
1
mA
无负载 无显示
-20
-65
+70
+150
存储温度
第 5 页 共 7 页
STF16360
典型应用线路图
VFD
Out1-Out36
CPU
Din
Reset
Dout
CTL
STF16360
CLk
VDD GND
单独使用时示意图
VEE
VFD
Out1-Out36
Out1-Out36
CPU
Din
Reset
Dout
CTL
Din
Reset
Dout
CTL
STF16360
STF16360
CLk
CLk
VDD
GND
级联使用时示意图
VEE
第 6 页 共 7 页
STF16360
封装示意图
13.60 0.20SQ
(.53 .008)
10.00 0.10SQ
(.394 .004)
33
34
23
22
STAND OFF
0.10 0.10
(.00 .004)
12
11
44
1
0.16(.006)
0.35 0.10
0.8(.0315)TYP
(.015 .004)
11.60(.457)
NOM
8.00(.315)
REF
"A"
+0.05
0.127
(.005
-0.02
+.002
)
-.001
单位
mm
0.10(.004)
第 7 页 共 7 页
相关型号:
STF16N50U
N-channel 500 V, 0.47 Ohm, 15 A UltraFAST MESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STMICROELECTR
STF16NF25
N-channel 250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET
STMICROELECTR
STF16NK60Z
N-channel 600 V, 038 Ω, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
STMICROELECTR
STF16NM50N
N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP
STMICROELECTR
STF17N25
17A, 250V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, FULL PACK-3
STMICROELECTR
STF17NF25
N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DPAK - I2PAK Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET
STMICROELECTR
STF18N55M5
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in D²PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220
STMICROELECTR
STF18NM60N
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET
STMICROELECTR
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明