1MBH65D-090A [ETC]
Model Package Type IGBTs; 型号封装类型的IGBT
| 型号： | 1MBH65D-090A |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Model Package Type IGBTs |
| 文件： | 总1页 (文件大小：62K) |
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パワーデバイス / Power Devices (IGBT)
■ IGBTモールドタイプꢀMolded Package Type IGBTs
電子レンジ用モールドタイプ
Molded package types, such as microwave ovens
形
式
VCES
VGES
IC
PC
VCE（sat（） VGE=15V）
tf
Rth（j-c）
パッケージ
質
量
Device type
Cont.
Amps.
Max.
Volts
Ic
Package
Net mass
Grams
Volts
Volts
±20
Watts
260
Amps.
μsec.
0.8
℃/W
0.481
0.417
1MBH60D-090A 900
1MBH65D-090A 900
60
65
3.2
60
60
TO-3PL
TO-3PL
9.5
9.5
±20
300
5.54
0.77
■ IGBT用高速ダイオードꢀFast Recovery Diodes for IGBT
モールドパッケージꢀFRD
Molded FRD
形
式
VRRM
IFM
VF
trr
パッケージ
質
量
Device type
Switching time (Max.)
Package
Net mass
Grams
Volts
600
Amps.
Volts
(μsec.) di/dt=100A/μs 70％ recovery
ERW01-060
ERW02-060
ERW03-060
ERW04-060
ERW05-060
ERW06-060
ERW07-120
ERW08-120
ERW09-120
ERW10-120
ERW11-120
ERW12-120
ERW13-060
5(TC=118℃)
3 (IF= 5A)
3 (IF=10A)
3 (IF=15A)
3 (IF=20A)
3 (IF=30A)
3 (IF=50A)
0.3 (IF= 5A, VR=200V)
0.3 (IF=10A, VR=200V)
0.3 (IF=15A, VR=200V)
0.3 (IF=20A, VR=200V)
0.3 (IF=30A, VR=200V)
0.3 (IF=50A, VR=200V)
0.35 (IF= 2.5A, VR=200V)
0.35 (IF= 5A, VR=200V)
0.35 (IF= 8A, VR=200V)
0.35 (IF=10A, VR=200V)
0.35 (IF=15A, VR=200V)
0.35 (IF=25A, VR=200V)
0.3 (IF=50A, VR=200V)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
5.5
9.5
600
10(TC=100℃)
15(TC=92℃)
20(TC=91℃)
30(TC=81℃)
50(TC=77℃)
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
600
2.5(TC=129℃) 3 (IF= 2.5A)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
5(TC=127℃)
8(TC=124℃)
10(TC=123℃)
15(TC=122℃)
25(TC=113℃)
50(TC=90℃)
3 (IF= 5A)
3 (IF= 8A)
3 (IF=10A)
3 (IF=15A)
3 (IF=25A)
3 (IF=50A)
TO-3P(single)
TO-3PL
記号ꢀLetter symbols
VCES:
VGES:
IC:
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-to-emitter rated voltage
(Gate-to-emitter short-circuited)
Gate-to-emitter rated voltage
(Collector-to-emitter short-circuited)
Rated collector current
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
PC:
最大損失
Maximum power dissipation
VCE (sat): コレクタ・エミッタ飽和電圧 Collector-to-emitter saturation voltage
ton:
toff:
tf:
ターンオン時間
ターンオフ時間
立上り時間
Turn-on time
Turn-off time
Fall time
14
相关型号：
1MBI1000VXB-170EL-54
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12
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