MGF0906B [MITSUBISHI]
L,S BAND POWER GaAs FET; L， S波段功率GaAs FET
| 型号： | MGF0906B |
| 厂家： | 
Mitsubishi Group |
| 描述： | L,S BAND POWER GaAs FET |
| 文件： | 总3页 (文件大小：125K) |
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相关型号：
MGF0906B-01
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN
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MGF0907A-01
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, METAL PACKAGE-2
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