Q62702-A1473 [INFINEON]
Silicon PIN Diode Array (Surge protection device Two PIN diodes, series configuration); 硅PIN二极管阵列（电涌保护器两个PIN二极管系列配置）
| 型号： | Q62702-A1473 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon PIN Diode Array (Surge protection device Two PIN diodes, series configuration) |
| 文件： | 总5页 (文件大小：56K) |
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GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 421
SFH 426
3.0
2.1
2.6
1.7
2.3
2.1
0.1 (typ)
0.9
0.7
0.8
0.6
0.18
0.12
0.6
0.4
Cathode/Collector marking
SFH 421 TOPLED
Cathode/Collector
Approx. weight 0.03 g
(2.4)
GPL06724
(2.85)
1.1
0.9
2.54
spacing
Cathode/
Collector
Anode/
Emitter
GPL06880
Collector/Cathode marking
(R1)
SFH 426 SIDELED
4.2
3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
● Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
● Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
● Very highly efficient GaAIAs-LED
● Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents
● DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
● Hohe Zuverlässigkeit
● High reliability
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Oberflächenmontage geeignet
● Gegurtet lieferbar
● High pulse handling capability
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320/420
SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325/425
● SFH 421 same package as SFH 320/420
SFH 426 same package as SFH 325/425
● SFH 426: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. ● SFH 426: Suitable only for IR-reflow
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Applications
Anwendungen
● Miniature photointerrupters
● Industrial electronics
● For drive and control circuits
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
SFH 421
SFH 426
Q62702-P1055
Q62703-P0331
SIDELED
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
100
5
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
V
Durchlaβstrom
Forward current
IF
100
2.5
180
450
mA
A
Stoβstrom, τ = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
Ptot
Verlustleistung
Power dissipation
mW
K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2
Thermal resistance junction - ambient mounted on
PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
RthJA
RthJS
≈ 200
K/W
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA
∆λ
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
2
Aktive Chipfläche
Active chip area
0.16
mm
A
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L ×W
0.4 × 0.4
0.5
mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf
µs
Kapazität
Co
25
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
VF
VF
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR
0.01 (≤ 1)
µA
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe
TCI
23
mW
%/K
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
– 0.5
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
TCλ
– 2
mV/K
nm/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
+ 0.25
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping at radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Ie
> 4
mW/sr
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Strahlstärke
Ie typ.
48
mW/sr
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
I
e
= f (I )
Relative spectral emission
Radiant intensity
Max. permissible forward current
I = f (T )
F
I 100 mA
e
I
= f (λ)
rel
F
A
Single pulse, t = 20 µs
p
OHR00883
OHR00877
OHR00878
10 2
100
%
120
mA
Ι e
Ι F
Ι e (100mA)
Ι rel
100
80
60
40
20
0
80
10 1
10 0
60
40
20
RthjA = 450 K/W
10 -1
10 -2
10 -3
0
750
10 0
10 1
10 2
10 3 mA 10 4
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
800
850
900
950 nm 1000
λ
TA
Ι F
Forward current
I = f (V ), single pulse, t = 20 µs
Radiation characteristics S = f (ϕ)
rel
F
F
p
OHL01660
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHR00881
10 1
ϕ
A
Ι F
50˚
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
1
2
3
4
5
6
V
8
VF
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Löthinweise
Soldering conditions
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Reflowlötung
Reflow soldering
Lötbad-
temperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Lötzonen-
temperatur
Maximale
Durchlaufzeit
Temperature Max. perm.
Distance
between
solder joint zone
and case
Temperature Max. transit
of soldering time
of the
soldering
time
soldering
bath
TOPLED
SIDELED
260 °C
8 s
–
–
245 °C
10 s
10 s
–
–
≥ 225 °C
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Permissible pulse handling capability
I = f (t )
F
p
duty cycle D = Parameter, T = 25 °C
A
OHR00886
104
mA
Ι F
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
103
102
101
0.1
0.2
0.5
DC
t p
t p
D =
Ι F
T
T
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
t p
Semiconductor Group
5
1997-11-01
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