FF150R12KS4B2HOSA1_技术文档

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

62mmꢀC-Seriesꢀ模块ꢀ采用第二高速IGBT和碳化硅二极管针对高频应用

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀtheꢀfastꢀIGBT2ꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitching

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 150A / I_CRM= 300A

典型应用

TypicalꢀApplications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication

• MedicalꢀApplications

• MotorꢀDrives

• 高频开关应用

• 医疗应用

• 电机传动

• 谐振逆变器应用

• 伺服驱动器

• UPS系统

• ResonantꢀInverterꢀAppliccations

• ServoꢀDrives

• UPSꢀSystems

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 高短路能力，自限制短路电流

• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

CircuitꢀCurrent

• 低开关损耗

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• 无与伦比的坚固性

• V_CEsatꢀꢀ带正温度系数

• UnbeatableꢀRobustness

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 铜基板

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• CopperꢀBaseꢀPlate

• 标封装

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

1

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

V

Collector-emitterꢀvoltage

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 75°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

225

A

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

1250

+/-20

A

W

V

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,70

3,85

V

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

1,60

2,5

11,0

0,50

ꢀ

6,5

V

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

nF

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,11

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,06

0,07

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,53

0,55

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,04

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 1500 A/µs

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

mJ

E_on

E_off

14,5

11,0

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

mJ

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

950

A

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,10 K/W

K/W

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,03

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

2

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

反向重复峰值电压

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

150

ꢀ

V

A

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

连续正向直流电流

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

正向重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

300

I2t-值

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

4500

ꢀ A²s

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

正向电压

Forwardꢀvoltage

I_F= 150 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,40

1,70

V

V_F

反向恢复峰值电流

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 150 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

105

160

A

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

ꢀ

恢复电荷

Recoveredꢀcharge

I_F= 150 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

8,70

24,0

µC

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

反向恢复损耗（每脉冲）

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 150 A, - di_F/dt = 1500 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

3,20

8,40

mJ

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,06

ꢀ

0,25 K/W

K/W

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

125

°C

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approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

3

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

模块ꢀ/ꢀModule

绝缘测试电压

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

2,5

Cu

ꢀ kV

模块基板材料

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

内部绝缘

Internalꢀisolation

基本绝缘ꢀꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

Al₂O₃

爬电距离

Creepageꢀdistance

端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

29,0

23,0

ꢀ

ꢀ mm

电气间隙

Clearance

端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

23,0

11,0

相对电痕指数

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 400

ꢀ

min. typ. max.

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

每个模块ꢀ/ꢀperꢀmodule

R_thCH

L_sCE

R_CC'+EE'

T_stg

ꢀ

0,01

K/W

nH

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

杂散电感,模块

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

20

ꢀ

模块引线电阻,端子-芯片

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀ每个开关ꢀ/ꢀperꢀswitch

0,70

mΩ

储存温度

Storageꢀtemperature

ꢀ

-40

3,00

2,5

ꢀ

125 °C

6,00 Nm

5,0 Nm

模块安装的安装扭距

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

螺丝ꢀM6ꢀ根据相应的应用手册进行安装

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

M

-

端子联接扭距

Terminalꢀconnectionꢀtorque

螺丝ꢀM5ꢀ根据相应的应用手册进行安装

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

M

重量

Weight

ꢀ

G

340

ꢀ

g

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dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

4

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

输出特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ125°C

300

T_vj= 25°C

V_GE=8V

T_vj= 125°C

V_GE=9V

V_GE=10V

V_GE=12V

V_GE=15V

V_GE=20V

250

200

150

100

50

250

200

150

100

50

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0

V_CE[V]

传输特性ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ(典型)

开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)

transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

300

45

T_vj= 25°C

E_on, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

40

250

200

150

100

50

35

30

25

20

15

10

5

0

5

0

6

7

8

9

10

11

12

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

V_GE[V]

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dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

5

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

开关损耗ꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（典型)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

瞬态热阻抗ꢀꢀIGBT,ꢀ逆变器

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

60

1

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

50

40

30

20

10

0

0,1

0,01

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,006 0,033 0,032 0,029

τ_i[s]:

0,01 0,02 0,05 0,1

0,001

0

5

10

15

R_G[Ω]

20

25

30

0,01

0,1

t [s]

1

10

反偏安全工作区ꢀꢀIGBT,ꢀ逆变器ꢀ（RBSOA）

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

正向偏压特性ꢀꢀ二极管,逆变器（典型)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C

350

300

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

300

250

200

150

100

50

250

200

150

100

50

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

6

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

15

E_rec, T_vj= 125°C

12

9

12

9

6

3

0

50

100

150

I_F[A]

200

250

300

0

5

10 15 20 25 30 35 40 45 50

R_G[Ω]

瞬态热阻抗ꢀꢀ二极管,逆变器

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

1

Z_thJC: Diode

0,1

0,01

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725

τ_i[s]:

0,01 0,02

0,05 0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

7

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

接线图ꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

封装尺寸ꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

8

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF150R12KS4_B2

使用条件和条款

ꢀ

使用条件和条款

产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的，您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合

产品规格书中所描述的产品特性是被保证的，任何这种保证严格依照供货协议中所涉及的条件和条款。除此之外，产品和产品的特性没有任何的保证

请注意安装及应用指南中的信息。

如果您有超出规格书所提供的产品信息的要求或者对我们的产品针对的特殊应用有疑虑的话，请联系我们负责你的销售部门（详情查询

www.infineon.comꢀ）。对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册

由于技术需要，我们的产品可能含有危险物质。如果需要查询类似问题请联系我们负责你的销售部门

如果您想将我们的产品用于航天，健康，危及生命或者生命维持等应用，请申明。

请注意，对这类应用我们强烈建议

-执行联合的风险和质量评估

-得到质量协议的结论

-ꢀ建立联合的测试和出厂产品检查，ꢀ我们可以根据测试的实际情况供货

如果有必要，请根据实际需要将类似的说明给你的客户

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Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀMB

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.4

9


型号：	FF150R12KS4B2HOSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor 栅
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FF150R12KS4B2HOSA1 [INFINEON]

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