FF150R12MS4G [INFINEON]
EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency; EconoDUAL3模块快速IGBT2的高开关频率
| 型号： | FF150R12MS4G |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency |
| 文件： | 总8页 (文件大小：295K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
EconoDUAL™3 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten
EconoDUAL™3 module with fast IGBT2 for high switching frequency
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 75°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
150
225
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
300
1250
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 150 A, V•Š = 15 V
I† = 150 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20 3,70
3,85
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 6,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
4,5
5,5
1,60
1,7
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
11,0
0,50
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
tÁ ÓÒ
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,10
0,11
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,06
0,07
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,53
0,55
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,03
0,04
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 2700 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓÒ = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
9,00
14,5
mJ
mJ
EÓÒ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 80 nH
V•Š = ±15 V, du/dt = 6500 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 7,5 Â
TÝÎ = 25°C
8,00
11,0
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
IȠ
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
950
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,10 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,03
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
150
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
300
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
5500
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,40
1,70
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 2700 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
105
160
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 2700 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
8,70
24,0
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 2700 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20
8,40
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,25 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,05
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
T† = 25°C
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
14,5
13,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,5
10,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
0,009
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,10
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
M
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
M
Gewicht
weight
G
340
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
300
300
250
200
150
100
50
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š =8V
V•Š =9V
V•Š =10V
V•Š =12V
V•Š =15V
V•Š =20V
250
200
150
100
50
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 7.5 Â, R•ÓËË = 7.5 Â, V†Š = 600 V
300
45
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
40
250
200
150
100
50
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
50
100
150
I† [A]
200
250
300
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V
60
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
50
40
30
20
10
0
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,04454 0,0339 0,02152 0,00004
τÍ[s]: 0,006 0,029 0,043 1,014
0,001
0,001
0
5
10
15
R• [Â]
20
25
30
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 7.5 Â, TÝÎ = 125°C
350
300
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
300
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 7.5 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 150 A, V†Š = 600 V
15
15
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
12
9
12
9
6
6
3
3
0
0
0
50
100
150
IΠ[A]
200
250
300
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
0,1
10000
1000
100
0,01
i:
rÍ[K/W]: 0,06824 0,05266 0,10168 0,02742
τÍ[s]: 0,006 0,033 0,035 0,997
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
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revision: 2.1
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12MS4G
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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8
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