FF150R12RT4_技术文档

Technische Information / technical information

FF150R12RT4

34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

Vorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 1200V

I† ÒÓÑ = 150A / I†ç¢ = 300A

Typische Anwendungen

Typical Applications

Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen

Motorantriebe

High Frequency Switching Application

Motor Drives

•

USV-Systeme

UPS Systems

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ

Niedrige Schaltverluste

Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ

Low Switching Losses

•

Niedriges V†ŠÙÈÚ

Low V†ŠÙÈÚ

TÝÎ ÓÔ = 150°C

V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten

V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

Isolierte Bodenplatte

Standardgehäuse

Isolated Base Plate

Standard Housing

•

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

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approved by: WR

date of publication: 2010-08-25

revision: 2.1

material no: 33423

1

Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

1200

150

V

A

Kollektor-Dauergleichstrom

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C

DC-collector current

I† ÒÓÑ

I†ç¢

PÚÓÚ

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

t« = 1 ms

300

A

repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

total power dissipation

790

W

V

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

+/-20

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 150 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,75 2,15

2,05

2,10

V

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 5,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

1,25

5,0

6,4

V

µC

Â

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

9,35

0,35

nF

mA

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

1,0

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

100 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 150 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,1 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,13

0,15

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 150 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,1 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,02

0,03

0,035

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 150 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,1 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,30

0,38

0,40

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 150 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,1 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,045

0,08

0,09

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 3400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

8,50

13,5

15,0

mJ

EÓÒ

R•ÓÒ = 1,1 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

8,50

13,5

15,5

mJ

EÓËË

R•ÓËË = 1,1 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C

600

A

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,19 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,081

K/W

/

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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2

Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

1200

150

V

A

Dauergleichstrom

DC forward current

IŒ

IŒç¢

I²t

Periodischer Spitzenstrom

t« = 1 ms

300

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

4100

4000

A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Durchlassspannung

forward voltage

IŒ = 150 A, V•Š = 0 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

1,75 2,20

1,65

V

VŒ

Iç¢

QØ

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 3400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

120

140

150

A

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 3400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

14,0

24,0

28,0

µC

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 3400 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

5,00

8,50

10,0

mJ

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

EØþÊ

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Diode / per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,31 K/W

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,13

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

/

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Modul / module

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

insulation test voltage

Vš»¥¡

4,0

Cu

kV

Material Modulgrundplatte

material of module baseplate

Material für innere Isolation

material for internal insulation

AlèOé

Kriechstrecke

creepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

17,0

20,0

mm

Luftstrecke

clearance distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

17,0

9,5

Vergleichszahl der Kriechwegbildung

comparative tracking index

CTI

> 200

min. typ. max.

0,05

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌ†™

LÙ†Š

K/W

nH

Modulinduktivität

stray inductance module

30

Modulleitungswiderstand,

Anschlüsse - Chip

module lead resistance,

terminals - chip

T† = 25°C, pro Schalter / per switch

R††óôŠŠó

0,65

mÂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper

TÝÎ ÑÈà

TÝÎ ÓÔ

TÙÚÃ

M

175

°C

Temperatur im Schaltbetrieb

temperature under switching conditions

-40

150

125

Lagertemperatur

storage temperature

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M6 - mounting according to valid application note

3,00

2,5

-

5,00 Nm

5,0 Nm

g

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M5 - mounting according to valid application note

M

Gewicht

weight

G

160

Power Cycling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:

- entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K

Power Cycling Capability at Tvjop=125°C:

- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K

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Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

300

270

240

210

180

150

120

90

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19V

V•Š = 17V

V•Š = 15V

V•Š = 13V

V•Š = 11V

V•Š = 9V

270

240

210

180

150

120

90

60

30

0

0,0

0,5

1,0

1,5

V†Š [V]

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.1 Â, R•ÓËË = 1.1 Â, V†Š = 600 V

300

50

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

270

45

240

40

210

180

150

120

90

35

30

25

20

15

10

5

60

30

0

5

6

7

8

9

V•Š [V]

10

11

12

13

0

30 60 90 120 150 180 210 240 270 300

I† [A]

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5

Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

transient thermal impedance IGBT-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V

40

1

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

ZÚÌœ† : IGBT

36

32

28

24

20

16

12

8

0,1

0,01

i:

1

2

3

rÍ[K/W]: 0,0114 0,0627 0,0608 0,0551

4

τÍ[s]:

0,01

0,02

0,05

0,1

0

0,001

0

1

2

3

4

5 6

R• [Â]

7

8

9

10 11

0,01

0,1

t [s]

1

10

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

I† = f (V†Š)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

IŒ = f (VŒ)

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1.1 Â, TÝÎ = 150°C

400

300

I†, Modul

I†, Chip

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

270

350

240

300

250

200

150

100

50

210

180

150

120

90

60

30

0

200

400

600 800

V†Š [V]

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

VŒ [V]

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Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

R•ÓÒ = 1.1 Â, V†Š = 600 V

IŒ = 150 A, V†Š = 600 V

14

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

12

10

8

12

10

8

6

4

2

0

30 60 90 120 150 180 210 240 270 300

IŒ [A]

0

1

2

3

4

5 6

R• [Â]

7

8

9

10 11

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

1

ZÚÌœ† : Diode

0,1

0,01

i:

1

2

3

rÍ[K/W]: 0,0186 0,1023 0,0992 0,0899

4

τÍ[s]:

0,01

0,02

0,05

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

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Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltplan / circuit diagram

Gehäuseabmessungen / package outlines

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Technische Information / technical information

FF150R12RT4

Vorläufige Daten

preliminary data

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eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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- the conclusion of Quality Agreements;

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and that we may make delivery depended on the realization

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9


型号：	FF150R12RT4
厂家：	Infineon
描述：	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode 快速海沟/ Feldstopp IGBT4和发射34毫米模块控制4二极管晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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FF150R12RT4 [INFINEON]

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FF15R10KN

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FF17MR12W1M1HP_B11

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