FF150R12KS4_B2 [INFINEON]
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching; 62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关
| 型号： | FF150R12KS4_B2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1593K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten
62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 150A / I†ç¢ = 300A
Typische Anwendungen
Typical Applications
High Frequency Switching Application
Medical Applications
Motor Drives
Hochfrequenz-Anwendungen
••
Medizinische Anwendungen
••
Motorantriebe
••
••
••
••
Resonanzanwendungen
Servoumrichter
Resonant Inverter Appliccations
Servo Drives
USV-Systeme
UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
••
Kurzschlussstrom
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
Circuit Current
Niedrige Schaltverluste
Low Switching Losses
••
••
••
Sehr große Robustheit
Unbeatable Robustness
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Gehäuse mit CTI > 400
Große Luft- und Kriechstrecken
Isolierte Bodenplatte
Kupferbodenplatte
Package with CTI > 400
High Creepage and Clearance Distances
Isolated Base Plate
••
••
••
••
••
Copper Base Plate
Standardgehäuse
Standard Housing
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MB
approved by: WR
date of publication: 2009-08-14
revision: 3.4
material no: 22759
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 75°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
150
225
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
300
1250
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 150 A, V•Š = 15 V
I† = 150 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20 3,70
3,85
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 6,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
4,5
5,5
1,60
2,5
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
11,0
0,50
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
I†Š»
I•Š»
tÁ ÓÒ
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,10
0,11
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,06
0,07
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,53
0,55
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 150 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,03
0,04
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 1500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓÒ = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
14,5
11,0
950
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 150 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 6,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
IȠ
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,10 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,03
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
1200
150
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
300
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
4500
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
IŒ = 150 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,40
1,70
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 1500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
105
160
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 1500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
8,70
24,0
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 150 A, - diŒ/dt = 1500 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20
8,40
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,25 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,06
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
29,0
23,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
23,0
11,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,70
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
2,5
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
340
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
300
300
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š =8V
V•Š =9V
V•Š =10V
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
V•Š =12V
V•Š =15V
V•Š =20V
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 6.8 Â, R•ÓËË = 6.8 Â, V†Š = 600 V
300
45
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
40
250
200
150
100
50
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
50
100
150
I† [A]
200
250
300
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revision: 3.4
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 600 V
60
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
50
40
30
20
10
0
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,006 0,033 0,032 0,029
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,001
0,001
0
5
10
15
R• [Â]
20
25
30
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 6.8 Â, TÝÎ = 125°C
350
300
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
300
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF150R12KS4_B2
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 150 A, V†Š = 600 V
R•ÓÒ = 6.8 Â, V†Š = 600 V
15
15
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
12
9
12
9
6
6
3
3
0
0
0
50
100
150
IΠ[A]
200
250
300
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725
4
τÍ[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Nutzungsbedingungen
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9
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