BSC059N03SGXT [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8;
| 型号： | BSC059N03SGXT |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：634K) |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和台式机。此外，这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
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