UNRF2A3 [ETC]

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ ;
UNRF2A3
型号: UNRF2A3
厂家: ETC    ETC
描述:

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ

晶体 晶体管 开关
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抵抗内蔵トランジスタ  
UNRF2A3  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
デジタル回路用  
3
2
1
特ꢀ長  
1006型モールドリードレスパッケージで実装面  
積とアセン  
+0.01  
0.39  
1.00 0.0ꢀ  
0.03  
ブリコストの削  
減が可能  
パッケージ高0.4 mm (max.)で機器の薄形化に貢  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
1
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
50  
単位  
V
2
3
0.6ꢀ 0.01  
0.0ꢀ 0.03  
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
50  
V
コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
80  
mA  
mW  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
PT  
100  
合温度  
Tj  
125  
°C  
ML3-N2 Package  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +125  
°C  
形名表示記号 : 1W  
内部接続図  
R1 (47 kΩ)  
B
C
E
R2  
(47 kΩ)  
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
VCBO  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
50  
50  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
V
0.1  
0.5  
0.1  
µA  
µA  
mA  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
ICEO  
エミッース間遮断電流(C 開放時) IEBO  
流電流増幅率  
hFE  
80  
コレクミッタ間飽和電圧  
出力電圧ハイレベル  
出力電圧ローレベル  
入力抵抗  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ  
4.9  
V
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 1 kΩ  
0.2  
+30%  
1.2  
V
30%  
47  
1.0  
150  
kΩ  
抵抗比率  
R1 / R2  
fT  
0.8  
トランジション周 波数  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
MHz  
) 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
発行年月 : 20036月  
SJH00059BJD  
1
UNRF2A3  
PT Ta  
IC VCE  
VCE(sat) IC  
80  
60  
40  
20  
0
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
10  
IB = 1.0 mA  
0.9 mA  
0.8 mA  
0.7 mA  
0.6 mA  
0.5 mA  
0.4 mA  
0.3 mA  
1
0.2 mA  
85°C  
0.1  
0.01  
Ta = 25°C  
0.1 mA  
25°C  
Ta = 25°C  
10 12  
IC / IB = 10  
10 100  
0
2
4
6
8
0
40  
80  
120  
0.1  
1
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)  
囲温度 Ta °C  
(
)
コレクタ電流 IC mA  
hFE IC  
Cob VCB  
IO VIN  
10  
10  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
VO = 5 V  
Ta = 25°C  
VCE = 10 V  
f = 1 MHz  
Ta = 25°C  
Ta = 85°C  
25°C  
25°C  
1
0.1  
0.01  
1
0
0
10  
20  
30  
40  
0
1
2
1
10  
100  
( )  
入力電圧 VIN V  
(
)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)  
コレクタ電流 IC mA  
VIN IO  
100  
10  
1
VO = 0.2 V  
Ta = 25°C  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
(
)
出力電流 IO mA  
SJH00059BJD  
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製および技術で、外国為替及び外国貿易法該当するものを輸出する時ま  
たは外に持ち出す時は本政府の許可が必です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製の代表特性および応用回路例などを示したものであり社もし  
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり  
ません。  
(3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合社はその責  
を負うものでは  
ありません。  
一般電子機器(事務機器機器測機器電  
(4) 本資料に記載されている製品  
など)に使用されることを意図しております。  
特別な性が求されの故障や誤動作が直接人命を脅かしたり体に危害を及ぼす  
特定用途(・宇 宙 用 通機器焼機器命維持装置全装置など)に  
ご使用をお考えのお様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお様は前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
準用途  
恐れのある用途  
(5) 本資料に記載しております製品  
りますのでご了承くださいたがって終的な設計購入使用に際しましてはに最新  
の製規格書または仕様書をお求め願い確認ください。  
および製仕様は良などのために予告なく変更する場合があ  
(6) 設計に際してに最大定格作電源電圧範囲熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します証値を超えてご使用された場合の後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また証値内のご使用であっても導体製について通常予測される故障発生率障モード  
をご考慮の上社製の動作が因でご使用機器が人身事故災事故会的な損害などを生じ  
任を負いません。  
させない冗長設計焼対策設計動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう  
お願い致します。  
(7) 防湿包装を必とする製につきましては々の仕様書取り交わしの折り決めた条件 (保存  
期間封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
2002 JUL  

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