LNK0265A [ETC]

12-18W电源芯片;
LNK0265A
型号: LNK0265A
厂家: ETC    ETC
描述:

12-18W电源芯片

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深圳市  
科 子有限公司  
源控制器  
12W  
LNK  
v1.3  
0265A  
GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD  
LNK 0265A  
特点  
概述  
LNK0265A 是一款低功耗的电流模式 PWM 离线式控制芯片置高  
压开关 MOS 管。采用自适应多模式工作方式,根据负载情况,自动切  
换到 Burst 模式,PFM 模式,或者 PWM 模式,满足系统的低待机功耗,  
高转换效率的要求部集成多种保护功能过流保护载保护、  
VDD 过压保护和 VDD 欠压保护等多种保护。  
‹
‹
‹
待机功耗小于 60mW@220Vac  
内置优化的 OCP 补偿  
自适应多模式工作,根据负载情  
况,自动切换到 Burst 模式、PFM  
模式或 PWM 模式  
管脚图  
‹
‹
‹
‹
‹
内置前沿消隐电路(LEB)  
内置斜率补偿电路  
逐周期峰值电流限制  
开机软启动  
具有过流保护、过载保护、VDD  
过压保护等多种保护  
DIP8  
SOP8  
‹
封装形式: DIP8  
输出功率表  
全电压范围内(AC90V~AC265V)  
封装形式  
封装形式 开放环境 封闭环境 内置开关管 RON  
DIP8 14W 12W 4.2Ω  
应用领域  
LNK0265A  
‹
‹
‹
‹
DVDDVBLCD TV印机电源  
PC 待机电源  
适配器  
典型应用  
LED 驱动  
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源控制器  
12W  
LNK  
v1.3  
0265A  
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内部功能简单框图  
封装示意图  
1
2
8
7
VDD  
FB  
GND  
GND  
DIP8  
3
4
6
5
NC  
DRAIN  
DRAIN  
S
C
管脚说明  
DIP8  
名称  
VDD  
FB  
功能说明  
芯片电源  
1
2
反馈输入脚。PWM 占空比变化取决于 FB SENSE 脚的输入电压  
3
NC  
悬空脚  
4
CS  
电流检测输入脚。  
内置高压 MOSFET 的漏极输出  
芯片地  
56  
78  
DRAIN  
GND  
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源控制器  
12W  
LNK  
v1.3  
0265A  
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极限参数  
极限参数(TA= 25)  
符号  
说明  
高压 MOS 管漏极输出  
范围  
单位  
DRAIN  
VDD  
IDDclamp  
VFB  
V
600  
芯片工作电压  
芯片嵌位电流  
FB 输入电压  
CS 输入电压  
工作温度  
<35  
V
<10  
mA  
V
0.37.0  
0.37.0  
-2085  
-40150  
>2000  
VCS  
V
TOP  
V
Tstg  
存储温度  
VESD  
人体放电模式  
LNK0265APA 80  
/W  
/W  
/W  
Rθja  
热阻  
LNK0265AA  
LNK0265BA  
57  
42  
电气工作参数  
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25)  
范围  
符号  
说明  
条件  
单位  
最小  
典型  
最大  
芯片工作电压部分  
IDDstart  
芯片启动电流  
芯片工作电流  
VDD 关闭电压  
VDD 启动电压  
VDD 过压保护  
VDD 嵌位电压  
VDD12V  
VDD18V  
-
5.0  
25  
1.0  
9.5  
17.2  
-
μA  
mA  
V
IDDop  
-
-
VDDclose  
7.5  
8.5  
16.2  
32  
34  
VDDs  
15.2  
V
tart  
VDDOVP  
-
-
V
VDDclamp  
IDD5mA  
-
V
FB 输入部分  
VFB(open)  
IFB(short)  
FB 开环电压  
-
5.5  
350  
1.2  
3.7  
-
V
FB 短路输出电流  
Burst 模式阈值电压  
过功率保护阈值电压  
300  
400  
uA  
V
VTH_BM  
VDD18V  
VDD18V  
-
-
-
-
VTH_PL  
V
CS 输入部分  
VTH_OC  
过流阈值电压  
VFB3.0V  
0. 70  
0.80  
0.90  
V
振荡部分  
Fosc  
内部振荡频率  
VDD =18VVFB =3.0V  
VDD18V  
-
-
66  
22  
-
-
KHz  
KHz  
Foscburst)  
Burst 模式振荡频率  
高压 MOSFET 管输出部分  
BVDSS  
漏源极最大承受电压  
IDDop1mA, VFB=0V  
600  
-
-
V
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12W  
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v1.3  
0265A  
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功能表述  
LNK0265A 是一款高度集成,低功耗的 PWM 控制芯片,通常用于离线式反激转换电源变换器系统。  
‹
启动电流和启动控制  
LNK0265A 最大仅需 5uA 的启动电流此在实际应用中可以使用一个阻值较大的启动电阻来降低系统的待  
机功耗。例如在 AC/DC 适配器,在通用的输入电压范围内,可以使用 3M1/4W 的电阻,进一步降低系统的功  
耗。  
‹
‹
突发工作模式(Burst 模式)  
LNK0265A 可以根据不同的负载,自动调整开关模式。在空载或者轻负载的情况下,FB 脚被拉低到突发模  
式阈值附近,芯片进入突发工作模式,尽最大可能的降低开关损耗,减少待机状态的功耗。不管在任何负载的  
情况下,PWM 的工作频率总高于音频(即:22KHz。  
电流检测和内置前沿消隐电路  
芯片通过检测 CS 脚外接电阻的电压来检测开关电流。  
为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰干扰置前沿消隐电路免芯片在功率管开启瞬间产生误  
动作,这样就可以省去外部 RC 滤波电路,节约系统成本。  
内部同步斜率补偿  
‹
‹
内置的斜率补偿电路在 CS 脚输入电压上增加了一个电压斜率补偿,极大的提高了电源系统的稳定性,同  
时还避免了次谐波振荡的发生,从而降低了输出纹波电压。  
保护控制  
LNK0265A 有可靠的过流保护(OCP过载保护(OLP过压保护(OVP。  
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LNK  
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0265A  
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典型应用方案  
‹
LNK0265A 5V/1A 应用方案原理图  
C3  
102/1K  
V
L1  
1mH  
D3  
SR540  
L2  
3uH  
C7  
220uF/35V  
T1  
5V  
C6  
470uF/35  
V
R1  
3M  
R2  
60K  
D1  
GND  
FR10  
7
C1  
C2  
6.8uF/400 6.8uF/400  
V
V
D2  
FR10  
7
CY1  
222/250  
V
R4  
470R  
C4  
6.8uF/50V  
BD1  
MB6M  
R6  
5.1K  
U1  
U2  
PC81  
7
R5  
1K  
VDD  
DRAIN  
C8  
104  
LNK0265A  
U3  
TL431  
C
F1  
1A/250V  
GND  
CS  
R3  
2.35R/0.5  
W
FB  
U2  
PC81  
7
R7  
5.1K  
ACIN  
C5  
102  
‹
LNK0265A 5V/1A 电源变压器绕制参数  
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源控制器  
12W  
LNK  
v1.3  
0265A  
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‹
LNK0265A DVD 电源应用方案原理图  
C2  
102/1KV  
D1~D4  
IN4007  
7
T1  
12V  
D8  
SR210  
0
R4  
60K  
C1  
22uF/400V  
C6  
C7  
R6  
4.7K  
100uF/63V 104  
D5  
GND  
GND  
FR107  
D6  
FR107  
D7  
FR107  
R1  
2M  
D9  
SR210  
0
R3  
2M  
R2  
2M  
R7  
4.7K  
C9  
104  
C8  
100uF/63V  
C4  
6.8uF/50  
V
C3  
1uF/50  
V
-12V  
5V  
LH1  
20mH  
L1  
3uH  
D10  
C12  
104  
U1  
SR540  
CX1  
C10  
VDD  
0.1uF/275  
V
1000uF/16V  
GND  
DRAIN  
C11  
R8  
510R  
F1  
1A/250V  
1000uF/16V  
CY1  
222/250  
V
LNK0265A  
R9  
1.5K  
R10  
4.7K  
GND  
CS  
U2  
PC817  
ACIN  
C13  
104  
FB  
R5  
1.82R/1W  
U2  
PC817  
C5  
102  
R11  
100R  
C14  
104  
U3  
TL431C  
R12  
4.7K  
‹
LNK0265APA DVD 变压器绕制参数  
1
10  
6
3
2
10  
9
N1  
N6  
N4  
N2  
进线  
5
1
4
8
7
铁氟龙套管  
N5  
N3  
底视图  
2mm挡墙  
5
6
变压器绕制方法  
制作说明:  
1. 骨架EE25(5+5) PC40磁芯  
2. 电感量Lp(1 2)=1.75mH,漏感为Lp5%以下  
3. 初级对次级打3000VAC漏电流<2mA/60s  
4. 初级对磁芯打1000VAC漏电流<2mA/60s  
5. 次级对磁芯打1000VAC漏电流<2mA/60s  
6. DC500V绕组与磁芯之间1min大于100mΩ  
7. DC500V绕组与绕组之间1min大于100mΩ  
密绕两层  
密绕一层  
密绕一层  
密绕一层  
密绕一层  
密绕两层  
N6(2 1) Φ0.25*1*53T  
N5(5 4) Φ0.21*1*18T  
N4(9 10) Φ0.25*1*14T  
N3(6 7) Φ0.5*1*6T  
N2(8 9) Φ0.25*1*14T  
N1(3  
2) Φ0.25*1*55T  
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源控制器  
12W  
LNK  
v1.3  
0265A  
GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD  
封装形式  
DIP8:  
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