LNK0265B [ETC]
12-18W电源芯片;
ETC 
Linkage
深圳市钲铭科电子有限公司
内部功能简单框图
封装示意图
1
2
8
VDD
FB
GND
7
GND
DIP8
3
4
6
NC
C
S
DRAIN
5
DRAIN
管脚说明
DIP8
名称
功能说明
芯片电源
1
VDD
FB
2
反馈输入脚。PWM 占空比变化取决于 FB 和 SENSE 脚的输入电压
3
NC
悬空脚
4
CS
电流检测输入脚。
内置高压 MOSFET 的漏极输出
芯片地
5、6
7、8
DRAIN
GND
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极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
DRAIN
VDD
IDDclamp
VFB
说明
范围
单位
V
高压 MOS 管漏极输出
芯片工作电压
芯片嵌位电流
FB 输入电压
CS 输入电压
工作温度
＞600
<35
V
<10
mA
V
－0.3～7.0
－0.3～7.0
-20～85
-40～150
>2000
VCS
V
TOP
℃
Tstg
存储温度
℃
VESD
人体放电模式
V
LNK0265BPA 80
℃/W
℃/W
℃/W
Rθja
热阻
LNK0265BA
LNK0265BB
57
42
电气工作参数
(除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃)
范围
典型
符号
说明
条件
单位
最小
最大
芯片工作电压部分
IDDstart
芯片启动电流
芯片工作电流
VDD 关闭电压
VDD 启动电压
VDD 过压保护
VDD 嵌位电压
VDD＝12V
VDD＝18V
-
5.0
25
μA
IDDop
-
-
1.0
9.5
17.2
-
mA
V
VDDclose
7.5
8.5
16.2
32
34
VDDs
15.2
V
tart
VDDOVP
-
-
V
VDDclamp
IDD＝5mA
-
V
FB 输入部分
VFB(open)
IFB(short)
FB 开环电压
-
5.5
350
1.2
3.7
-
V
FB 短路输出电流
Burst 模式阈值电压
过功率保护阈值电压
300
400
uA
V
VTH_BM
VDD＝18V
VDD＝18V
-
-
-
-
VTH_PL
V
CS 输入部分
VTH_OC
过流阈值电压
VFB＝3.0V
0. 70
0.80
0.90
V
振荡部分
Fosc
内部振荡频率
VDD =18V，VFB =3.0V
VDD＝18V
-
-
66
22
-
-
KHz
KHz
Fosc（burst）
Burst 模式振荡频率
高压 MOSFET 管输出部分
BVDSS
漏源极最大承受电压
IDDop＝1mA, VFB=0V
600
-
-
V
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功能表述
LNK0265B 是一款高度集成，低功耗的 PWM 控制芯片，通常用于离线式反激转换电源变换器系统。
启动电流和启动控制
LNK0265B 最大仅需 5uA 的启动电流，因此在实际应用中可以使用一个阻值较大的启动电阻来降低系统的待
机功耗。例如在 AC/DC 适配器，在通用的输入电压范围内，可以使用 3MΩ 1/4W 的电阻，进一步降低系统的功
耗。
突发工作模式（Burst 模式）
LNK0265B 可以根据不同的负载，自动调整开关模式。在空载或者轻负载的情况下，FB 脚被拉低到突发模
式阈值附近，芯片进入突发工作模式，尽最大可能的降低开关损耗，减少待机状态的功耗。不管在任何负载的
情况下，PWM 的工作频率总高于音频（即：22KHz）。
电流检测和内置前沿消隐电路
芯片通过检测 CS 脚外接电阻的电压来检测开关电流。
为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰干扰，内置前沿消隐电路，避免芯片在功率管开启瞬间产生误
动作，这样就可以省去外部 RC 滤波电路，节约系统成本。
内部同步斜率补偿
内置的斜率补偿电路在 CS 脚输入电压上增加了一个电压斜率补偿，极大的提高了电源系统的稳定性，同
时还避免了次谐波振荡的发生，从而降低了输出纹波电压。
保护控制
LNK0265B 有可靠的过流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过压保护（OVP）。
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封装形式
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