CNZ1111(ON1111) [ETC]
光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 透過形フォトセンサ ;
| 型号： | CNZ1111(ON1111) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 透過形フォトセンサ |
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透過形フォトセンサ
CNZ1111, CNZ1112 (ON1111, ON1112)
透過形フォトセンサ
CNZ1111
Unit : mm
0.45 0.1
無接点スイッチ , 物体検知用
Mark for indicating
LED side
I 概ꢀ要
25.0 0.35
CNZ1111, CNZ1112は, 発光素子に高効率のGaAs
13.0 0.3
5.0 0.2
0.45 0.1
赤外発光ダイオードを, 受光素子に高感度のフォト
素子間を向い合わせに併置
素子間を通過する物体を検出する光複合素子
です。
A
トランジスタを使い, 両
Device
center
し, 両
A'
2-0.45 0.2
(10.0)
(2.54)
SEC. A-A'
3
19.0 0.2
2
I 特ꢀ長
2-φ3.2 0.2
•
•
•
•
位置検出精度 : 0.3 mm
2
3
4
入出力素子間のギャップが広く, 厚 板の検知に適合する
応答速度が速い : tr , tf = 6 µs (typ.)
出力電流の温度変化が少ない
1
4
1
(Note) ( ) Dimension is reference Pin connection
*
CNZ1112
Unit : mm
0.45 0.1
I 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
VR
IF
定格
単位
Mark for indicating
LED side
入力(発光
逆電圧(直
流値)
3
V
13.0 0.3
5.0 0.2
0.45 0.1
ダイオード) 順電流(直
流値)
50
mA
A
1
*
許容損失
出力(フォト コレクタ電流
PD
IC
75
mW
mA
V
Device
center
20
30
A'
2-0.45 0.2
(10.0)
(2.54)
SEC. A-A'
トランジスタ) コレクタ・エミッタ電圧 VCEO
3
2
1
エミッタ・コレクタ電圧 VECO
5
V
2
コレクタ損失 *
動作周 囲温度
保存温度
PC
100
mW
°C
4
2
1
3
4
温度
Topr
Tstg
−25 ∼ +85
−30 ∼ +100
°C
Pin connection
注) 1 : 入力側 の電力低減率はTa = 25°C 以上で 1.0 mW/°C
*
(Note) ( ) Dimension is reference
*
2 : 出力側 の電力低減率はTa = 25°C 以上で 1.33 mW/°C
*
注) ( )内は, 従来品
番です
1
CNZ1111, CNZ1112
透過形フォトセンサ
I 電気的特性 Ta = 25°C
項目
記号
VF
逆電流(直 IR
ICEO
条件
最小 標準 最大 単位
入力特性 順電圧(直
流値) VR = 3 V 10 µA
VCE = 10 V 200 nA
流値)
IF = 50 mA
1.2
1.5
V
出力特性 コレクタ遮断電流
コレクタ出力容量
CC
IC
VCE = 10 V, f = 1 MHz
VCE = 10 V, IF = 20 mA
5
pF
mA
V
伝達特性 コレクタ電流
0.3
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IF = 50 mA, IC = 0.1 mA
0.3
*
応答時間
tr , tf
VCC = 10 V, IC = 1 mA, RL = 100 Ω
6
µs
注) 1 : スイッチングタイム測定回路
*
Sig. in
VCC
td :遅れ時間
tr : 上昇時間
(入力パルス)
(出力パルス)
90%
10%
(出力電流がピーク値の10%から90%に上昇する時間)
tf : 下降時間
Sig. out
td
RL
tr
tf
50Ω
(出力電流がピーク値の90%から10%に下降する時間)
IF , IC Ta
IF VF
IC IF
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
10
VCE = 10 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
IF
1
10−1
IC
10−2
10−3
10−1
102
−25
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10
順電圧 VF (V)
順電流 IF (mA)
周
囲温度 Ta (°C)
2
透過形フォトセンサ
CNZ1111, CNZ1112
VF Ta
IC VCE
∆IC Ta
1.6
102
10
160
120
80
VCE = 10 V
IF = 20 mA
Ta = 25°C
IF = 50 mA
1.2
0.8
0.4
0
IF = 30 mA
10 mA
20 mA
10 mA
1
10−1
40
10−2
10−1
0
1
10
102
−40 −20
0
20
40
60
80 100
−40 −20
0
20
40
60
80 100
周
囲温度 Ta (°C)
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
周
囲温度 Ta (°C)
ICEO Ta
tr IC
∆IC d
10
103
102
10
100
80
60
40
20
0
VCC = 10 V
Ta = 25°C
VCC = 10 V
Ta = 25°C
IF = 20 mA
1
基準
0
d
VCE = 24 V
10 V
10−1
RL = 1 kΩ
500 Ω
10−2
100 Ω
Sig. in VCC
1
V1
10−3
10−4
Sig.
90%
10%
out
V2
V1
50 Ω
V2
td
RL
tr
1
tf
10−1
0
20
40
60
80 100
10−2
10−1
10
0
1
2
3
4
5
6
−40 −20
周
囲温度 Ta (°C)
出力電流(コレクタ) IC (mA)
距離 d (mm)
3
安全上のご注意
本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、人体に対し危険ですので、同製品
焼、破壊、切断、粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、一般産業廃棄物や
家庭用ごみと混ぜないでください。
の燃
危険
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品
および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品
の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
(4) 本資料に掲載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲でご使用いただき
ますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につい
ては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
任を負いません。
(6) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
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くお断り
いたします。
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A. 本資料は、お客
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、予告なく常に更新しておりますので、ご検討
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様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
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2001 MAR
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