CSD17571Q2 [TI]
30V N-Channel NexFET Power MOSFETs; 30V N通道NexFET功率MOSFET
| 型号： | CSD17571Q2 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
| 文件： | 总11页 (文件大小：908K) |
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CSD17573Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17573Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNK | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17575Q3
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17575Q3T
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQG | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17576Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17576Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNK | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17577Q3A
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17577Q3AT
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNH | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17577Q5A
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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TI
CSD17577Q5AT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQJ | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17578Q3A
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17578Q3AT
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNH | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17578Q5A
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17578Q5AT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQJ | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17579Q3A
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17579Q3AT
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNH | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17579Q5A
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17579Q5AT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQJ | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17581Q3A
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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CSD17581Q3AT
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DNH | 8 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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