SK25GD126ET_07 [SEMIKRON]

IGBT Module; IGBT模块
SK25GD126ET_07
型号: SK25GD126ET_07
厂家: SEMIKRON INTERNATIONAL    SEMIKRON INTERNATIONAL
描述:

IGBT Module
IGBT模块

双极性晶体管
文件: 总5页 (文件大小:688K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
SK25GD126ET  
# , -. /ꢁ0 ꢑꢍꢔꢉꢊꢊ ꢂꢇꢕꢉꢏꢐꢋꢊꢉ ꢊꢄꢉꢆꢋꢓꢋꢉꢈ  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Units  
1ꢁ23  
#4 , -. /ꢁ  
6-77  
8-  
1
'
'
%
#4 , 6.7 /ꢁ  
# , -. /ꢁ  
# , 97 /ꢁ  
-8  
%
%
ꢁ:;, -  %ꢁꢍꢂꢃ  
.7  
< -7  
67  
'
1
ꢁ:;  
1&23  
ꢄꢊꢆ  
®
1ꢁꢁ , =77 1> 1&2 ? -7 1> #4 , 6-. /ꢁ  
1ꢁ23 @ 6-77 1  
Aꢊ  
SEMITOP 3  
Inverse Diode  
IGBT Module  
%
#4 , 6.7 /ꢁ  
# , -. /ꢁ  
# , 97 /ꢁ  
-9  
6B  
'
'
)
%
%):;, -  %)ꢍꢂꢃ  
.7  
'
):;  
SK25GD126ET  
Module  
%
'
/ꢁ  
/ꢁ  
1
ꢇꢘ:;3ꢛ  
#
CD7 EEE F6.7  
CD7 EEE F6-.  
-.77  
+4  
Preliminary Data  
#
ꢊꢇꢌ  
1ꢋꢊꢂꢔ  
'ꢁ0 6 ꢃꢋꢍE  
Features  
# , -. /ꢁ0 ꢑꢍꢔꢉꢊꢊ ꢂꢇꢕꢉꢏꢐꢋꢊꢉ ꢊꢄꢉꢆꢋꢓꢋꢉꢈ  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇ ꢈꢉꢊꢋꢌꢍ  
ꢎꢍꢉ ꢊꢆꢏꢉꢐ ꢃꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ  
ꢒꢉꢅꢇ ꢇꢏꢅꢍꢊꢓꢉꢏ ꢅꢍꢈ ꢋꢊꢂꢔꢅꢇꢋꢂꢍ  
ꢇꢕꢏꢂꢑꢌꢕ ꢈꢋꢏꢉꢆꢇ ꢆꢂꢄꢄꢉꢏ ꢖꢂꢍꢈꢉꢈ  
ꢅꢔꢑꢃꢋꢍꢋꢑꢃ ꢂꢗꢋꢈꢉ ꢆꢉꢏꢅꢃꢋꢆ ꢘꢙꢁꢚꢛ  
min.  
typ.  
max. Units  
1&2ꢘꢇꢕꢛ  
1&2 , 1ꢁ20 % , 6 ꢃ'  
.
.09  
=0.  
1
ꢃ'  
ꢃ'  
ꢍ'  
ꢍ'  
1
%
1&2 , 7 10 1ꢁ2 , 1ꢁ23  
1ꢁ2 , 7 10 1&2 , -7 1  
#4 , -. /ꢁ  
706.  
ꢁ23  
 ꢔꢇꢏꢅꢓꢅꢊꢇ !"# ꢇꢉꢆꢕꢍꢂꢔꢂꢌ$ %&ꢚ#  
ꢁ'( ꢇꢉꢆꢕꢍꢂꢔꢂꢌ$ )*ꢙ  
%ꢍꢇꢉꢌꢏꢅꢇꢉꢈ !#ꢁ ꢇꢉꢃꢄꢉꢏꢅꢇꢑꢏꢉ  
ꢊꢉꢍꢊꢂꢏ  
#4 , 6-. /ꢁ  
#4 , -. /ꢁ  
%
=77  
60-  
8=  
&23  
#4 , 6-. /ꢁ  
#4 , -. /ꢁ  
1ꢁ27  
6
Typical Applications  
#4 , 6-. /ꢁ  
#4 , -./ꢁ  
70B  
-9  
1
%ꢍ+ꢉꢏꢇꢉꢏ  
ꢁ2  
1&2 , 6. 1  
ꢃG  
ꢃG  
1
#4 , 6-./ꢁ  
#4 , -./ꢁꢆꢕꢋꢄꢔꢉ+E  
#4 , 6-./ꢁꢆꢕꢋꢄꢔꢉ+E  
DD  
1ꢁ2ꢘꢊꢅꢇꢛ  
%ꢁꢍꢂꢃ , -. '0 1&2 , 6. 1  
60H  
-0-  
-06  
1
ꢋꢉꢊ  
609  
ꢍ)  
ꢍ)  
ꢂꢉꢊ  
1ꢁ2 , -.0 1&2 , 7 1  
 , 6 ;ꢒI  
707B.  
ꢏꢉꢊ  
7079-  
ꢍ)  
ꢈꢘꢂꢍꢛ  
 
9.  
87  
ꢍꢊ  
ꢍꢊ  
ꢃJ  
ꢍꢊ  
ꢍꢊ  
:
&ꢂꢍ , -. G  
&ꢂꢓꢓ , -. G  
1ꢁꢁ , =771  
2ꢂꢍ  
ꢈꢘꢂꢓꢓꢛ  
 
%ꢁꢍꢂꢃ, -.'  
808  
D87  
B7  
:
#4 , 6-. /ꢁ  
1&2,<6.1  
2ꢂꢓꢓ  
806  
ꢃJ  
:
ꢄꢉꢏ %&ꢚ#  
60-  
KL*  
ꢇꢕꢘ4Cꢊꢛ  
GD-ET  
1
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
SK25GD126ET  
Characteristics  
Symbol Conditions  
Inverse Diode  
min.  
typ.  
max. Units  
1) , 12ꢁ  
%)ꢍꢂꢃ , -. '> 1&2 , 7 1  
#4 , -. /ꢁꢆꢕꢋꢄꢔꢉ+E  
#4 , 6-. /ꢁꢆꢕꢋꢄꢔꢉ+E  
#4 , -. /ꢁ  
609  
609  
6
1
1
1)7  
606  
D-  
1
#4 , 6-. /ꢁ  
#4 , -. /ꢁ  
709  
8-  
D7  
1
)  
ꢃG  
ꢃG  
#4 , 6-. /ꢁ  
#4 , 6-. /ꢁ  
®
%
%)ꢍꢂꢃ , -. '  
86  
.
'
SEMITOP 3  
::;  
Mꢏꢏ  
2ꢏꢏ  
ꢈꢋLꢈꢇ , CB.7 'LAꢊ  
1ꢁꢁ, =771  
Aꢁ  
-06  
ꢃJ  
KL*  
!ꢃ  
IGBT Module  
:
ꢄꢉꢏ ꢈꢋꢂꢈꢉ  
60B  
-0.  
ꢇꢕꢘ4Cꢊꢛꢙ  
;
ꢇꢂ ꢕꢉꢅꢇ ꢊꢋꢍN  
-0-.  
87  
SK25GD126ET  
Temperature sensor  
:
# ,677/ꢁ ꢘ:-.,.NGꢛ  
DB8<.O  
G
677  
Preliminary Data  
Features  
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard  
IEC 60747-1, Chapter IX.  
ꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇ ꢈꢉꢊꢋꢌꢍ  
ꢎꢍꢉ ꢊꢆꢏꢉꢐ ꢃꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ  
ꢒꢉꢅꢇ ꢇꢏꢅꢍꢊꢓꢉꢏ ꢅꢍꢈ ꢋꢊꢂꢔꢅꢇꢋꢂꢍ  
ꢇꢕꢏꢂꢑꢌꢕ ꢈꢋꢏꢉꢆꢇ ꢆꢂꢄꢄꢉꢏ ꢖꢂꢍꢈꢉꢈ  
ꢅꢔꢑꢃꢋꢍꢋꢑꢃ ꢂꢗꢋꢈꢉ ꢆꢉꢏꢅꢃꢋꢆ ꢘꢙꢁꢚꢛ  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no  
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding  
delivery, performance or suitability.  
 ꢔꢇꢏꢅꢓꢅꢊꢇ !"# ꢇꢉꢆꢕꢍꢂꢔꢂꢌ$ %&ꢚ#  
ꢁ'( ꢇꢉꢆꢕꢍꢂꢔꢂꢌ$ )*ꢙ  
%ꢍꢇꢉꢌꢏꢅꢇꢉꢈ !#ꢁ ꢇꢉꢃꢄꢉꢏꢅꢇꢑꢏꢉ  
ꢊꢉꢍꢊꢂꢏ  
Typical Applications  
%ꢍ+ꢉꢏꢇꢉꢏ  
GD-ET  
2
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
SK25GD126ET  
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'  
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)  
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)  
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic  
3
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
SK25GD126ET  
Fig. 7 Typ. switching times vs. IC  
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG  
Fig. 10 CAL diode forward characteristic  
4
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  
SK25GD126ET  
UL recognized file  
no. E 63 532  
ꢁꢅꢊꢉ #.- ꢘ3ꢑꢌꢌꢉꢊꢇꢉꢈ ꢕꢂꢔꢉ ꢈꢋꢅꢃꢉꢇꢉꢏ0 ꢋꢍ ꢇꢕꢉ "ꢁꢚ0 ꢓꢂꢏ ꢊꢂꢔꢈꢉꢏ ꢄꢋꢍꢊ ꢅꢍꢈ ꢄꢔꢅꢊꢇꢋꢆ ꢃꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢄꢋꢍꢊP -ꢃꢃꢛ  
ꢁꢅꢊꢉ # .-  
&ꢙC2#  
5
21-02-2007 SCT  
© by SEMIKRON  

相关型号:

SK25GD12T4ET

IGBT Module
SEMIKRON

SK25GD12T4ETP

Insulated Gate Bipolar Transistor,
SEMIKRON

SK25GD12T7ETE1

Insulated Gate Bipolar Transistor,
SEMIKRON

SK25GH063

IGBT Module
SEMIKRON

SK25GH063_06

IGBT Module
SEMIKRON

SK25GH063_07

IGBT Module
SEMIKRON

SK25GH12T4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES
SEMIKRON

SK25GP

DIODE 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, SMBG, 2 PIN, Rectifier Diode
MCC

SK25KQ

Antiparallel Thyristor Module
SEMIKRON

SK25KQ08

Antiparallel Thyristor Module
SEMIKRON

SK25KQ12

Antiparallel Thyristor Module
SEMIKRON

SK25KQ16

Antiparallel Thyristor Module
SEMIKRON