CPH5606 [SANYO]
CPH5606;
SANYO SEMICON DEVICE 
注文コードNo. N※6 4 5 1
※N 6451
No.
N2499
N チャネルおよびP チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
CPH5606
超高速スイッチング用
特長 ・低オン抵抗、超高速スイッチングのN チャネルおよびP チャネルM OS形電界効果トランジスタを
ꢀ1パッケージに2素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・4V 駆動。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
N-channel P-channel unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
V
V
30
±20
1.4
－30
±20
－1
V
V
A
A
DSS
GSS
I
D
I
DP
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )装着時1unit
5.6
－4
P
0.9
W
D
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
－55～＋150
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
[N-channel]
m in
30
typ
m ax unit
V
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =1m A,V =0
GS
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=30V,V =0
GS
10
±10
2.4
µA
µA
V
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±16V,V =0
DS
V
(off)
=10V,I =1m A
D
1
GS
yfs
=10V,I =700m A
D
1.2
1.7
230
350
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)1 I =700m A,V =10V
GS
300 mΩ
490 mΩ
DS
DS
D
(on)2 I =400m A,V =4V
GS
D
次ページへ続く。
外形図ꢀ2168
電気的接続図
(unit:m m )
G1
S
G2
2.9
0.15
5
4
3
0.05
1
2
0.95
0.4
D1
D2
1:Drain1
2:Drain2
3:Gate2
4:Source
5:Gate1
Top view
0.4
SANYO :CPH5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
N2499TS IM ◎祝田 No.6451-1/5
CPH5606
前ページより続く。
m in
typ
90
50
22
7
m ax unit
入力容量
Ciss
Coss
Crss
V
V
V
=10V,f=1M Hz
=10V,f=1M Hz
=10V,f=1M Hz
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
DS
DS
DS
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (on)
d
指定回路において
ꢀꢀꢀ 〃
t
r
8
t (off)
d
ꢀꢀꢀ 〃
18
8
t
f
ꢀꢀꢀ 〃
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qg
5
Qgs
Qgd
V
=10V,V =10V, I =1.4A
GS
1
DS
D
1
V
I =1.4A,V =0
S GS
0.92
1.2
V
SD
[P-channel]
m in
typ
m ax unit
V
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =－1m A,V =0
GS
－30
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=－30V,V =0
GS
－10
±10
－2.5
µA
µA
V
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±16V,V =0
DS
V
(off)
=－10V,I =－1m A
D
－1.0
0.6
GS
yfs
=－10V,I =－500m A
D
0.9
360
690
85
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)1 I =－500m A,V =－10V
GS
470 mΩ
DS
DS
D
(on)2 I =－300m A,V =－4V
GS
970 mΩ
D
入力容量
Ciss
Coss
Crss
V
=－10V,f=1M Hz
=－10V,f=1M Hz
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
DS
DS
DS
出力容量
V
V
55
帰還容量
=－10V,f=1M Hz
13
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (on)
d
指定回路において
ꢀꢀꢀ 〃
8
t
r
14
t (off)
d
ꢀꢀꢀ 〃
36
t
f
ꢀꢀꢀ 〃
24
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qg
4
Qgs
Qgd
V
=－10V,V =－10V,I =－1A
GS
1
DS
D
1
V
I =－1A,V =0
S GS
－0.9
－1.5
V
SD
単体品名表示：FF
スイッチングタイム測定回路図
ꢀꢀꢀ スイッチングタイム測定回路図ꢀꢀ
[N-channel]
[P-channel]
V
=15V
DD
V
=--15V
DD
V
V
IN
IN
10V
0V
0V
--10V
I
=700mA
L
I =--500mA
D
D
R =21.4Ω
R =30Ω
L
V
V
IN
IN
D
D
V
V
OUT
OUT
PW=10µs
D.C.≦1%
PW=10µs
D.C.≦1%
G
G
50Ω
50Ω
P.G
P.G
S
S
No.6451-2/5
CPH5606
I
D
-- V
I -- V
D DS
[Nch]
[Pch]
DS
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
3.0V
0.8
0.6
--0.6
--0.4
--0.2
0
0.4
0.2
0
V
=2.5V
GS
V
=--2.5V
GS
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
IT01096
IT01085
DS
I
D
-- V
I
D
-- V
GS
[Nch]
[Pch]
GS
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
--3.0
V
=--10V
V
=10V
DS
DS
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0.5
0
0.5 1.0 1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0 4.5 5.0 5.5
--1
--2
--3
--4
--5
--6
IT01097
IT01086
ゲート・ソース電圧, V
-- V
ゲート・ソース電圧, V
(on) -- V
-- V
GS
GS
GS
R
(on) -- V
[Nch]
R
[Pch]
DS
DS
GS
800
700
600
500
400
300
200
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
Ta=25°C
Ta=25°C
I =--500m A
D
I =700m A
D
--300m A
400m A
100
0
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--2
--4
--6
--8
--10 --12 --14 --16 --18 --20
ゲート・ソース電圧, V
-- V
ゲート・ソース電圧, V
-- V
GS
IT01098
IT01087
GS
R
(on) -- Ta
[Nch]
R
(on) -- Ta
[Pch]
DS
DS
600
500
400
300
200
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
100
0
--60 --40 --20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
--60 --40 --20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
周囲温度, Ta -- °C
IT01099
周囲温度, Ta -- °C
IT01088
No.6451-3/5
CPH5606
y
fs -- I
yfs -- I
D
[Nch]
=10V
[Pch]
=--10V
D
10
10
V
V
DS
7
DS
7
5
5
3
2
3
2
1.0
7
5
C
°
75
1.0
3
2
7
5
0.1
7
5
3
2
3
2
0.1
0.01
0.01
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
--0.1
--1.0
0.1
1.0
ドレイン電流, I -- A
D
IT01100
[Nch]
=0
ドレイン電流, I -- A
D
IT01089
[Pch]
=0
I -- V
I -- V
F
SD
F
SD
10
7
5
--10
7
5
V
V
GS
GS
3
2
3
2
1.0
--1.0
7
5
7
5
3
2
3
2
0.1
--0.1
7
5
7
5
3
2
3
2
0.01
--0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
5
0
--0.2
--0.4
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
ダイオード順電圧, V
-- V
IT01101
ダイオー電圧, V
-- V
SD
IT01090
SD
SW e -- I
SW Tim e -- I
[Nch]
[Pch]
D
D
100
100
V
V
=15V
=10V
V
V
=--15V
=--10V
DD
GS
DD
GS
7
7
5
5
t
t
r
r
3
2
3
2
t
f
t (off)
d
10
10
t
t (on)
d
f
7
5
7
5
t (on)
d
3
2
3
2
1.0
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
1.0
10
--0.1
--1.0
ドレイン電流, I -- A
ドレイン電流, I -- A
D
Ciss, Coss, Crss -- V
IT01102
IT01091
D
Ciss, Coss, Crss -- V
[Pch]
[Nch]
DS
DS
1000
1000
f=1M Hz
f=1M Hz
7
7
5
5
3
2
3
2
100
C
Crss
7
5
100
Ciss
3
2
7
5
10
Coss
7
5
3
2
3
2
Crss
10
1.0
0
5
10
15
20
25
30
IT01103
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT01092
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
DS
No.6451-4/5
CPH5606
V
-- Qg
V
--Qg
GS
[Nch]
[Pch]
GS
10
9
--10
--9
V
=10V
V
=--10V
DS
DS
I =1.4A
D
I =--1A
D
8
--8
7
--7
6
5
4
3
2
--6
--5
--4
--3
--2
1
0
--1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT01104
IT01093
A S O
[Pch]
[Nch]
A S O
--10
7
10
7
5
I
=5.6A
100µ
s
DP
I
=--4A
5
DP
3
2
3
2
I =1.4A
D
I =--1A
D
--1.0
1.0
7
5
7
5
3
2
3
2
Operation in this
areaislim ited byR
Operation in this
areaislim ited byR
(on).
DS
(on).
--0.1
0.1
DS
7
5
7
5
3
2
3
2
Ta=25°C
Ta=25°C
1パルス
1パルス
セラミック基板(600m m 2
セラミック基板(600m m 2
×0.8m m )装着時1unit
×0.8m m )装着時1unit
--0.01
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
--10
--100
IT01094
0.1
1.0
10
100
IT01105
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
DS
P
-- Ta
[Nch,Pch共通]
D
1.2
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT01095
周囲温度, Ta -- °C
PS No.6451-5/5
相关型号：
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