CPH5611 [SANYO]
N CHANNEL SILICON TRANSISTOR; N沟道硅晶体管型号: | CPH5611 |
厂家: | SANYO SEMICON DEVICE |
描述: | N CHANNEL SILICON TRANSISTOR |
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注文コードNo. N 7 1 5 4
No. N 7154
41002
新
N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
CPH5611
超高速スイッチング用
特長 ・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
・M OS形電界効果トランジスタを1パッケージに2素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能
ꢀꢀꢀꢀである。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
unit
V
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
V
V
20
DSS
GSS
±10
V
I
D
3
A
I
DP
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )装着時1unit
12
0.9
A
P
W
D
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
-55~+150
電気的特性ElectricalCharacteristics /Ta=25℃
m in
20
typ
m ax unit
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =1m A,V =0
GS
V
µA
µA
V
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=20V,V =0
GS
1
±10
1.3
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±8V,V =0
DS
V
(off)
=10V,I =1m A
D
0.4
3.4
GS
yfs
=10V,I =1.5A
D
4.8
54
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)1 I =1.5A,V =4V
GS
70 m Ω
DS
DS
D
(on)2 I =0.7A,V =2.5V
GS
73
102 m Ω
D
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
V
=10V,f=1M Hz
=10V,f=1M Hz
280
60
pF
DS
DS
DS
V
V
pF
pF
=10V,f=1M Hz
38
次ページへ続く。
単体品名表示:FR
外形図ꢀ2168
(unit:m m )
2.9
0.15
5
4
3
2
0.05
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1
0.95
0.4
0.4
1:Drain1
2:Drain2
3:Gate2
4:Source
5:Gate1
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
SANYO :CPH5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
41002TS IM ◎佐藤TA-3487 No.7154-1/4
CPH5611
前ページより続く。
m in
typ
13
m ax unit
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
t (on)
d
指定回路において
ꢀꢀꢀ 〃
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
t
r
35
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (off)
d
ꢀꢀꢀ 〃
35
t
f
ꢀꢀꢀ 〃
25
総ゲート電荷量
Qg
8.8
0.85
0.85
0.84
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgs
Qgd
V
=10V,V =4V,I =3A
GS
DS
D
V
I =3A,V =0
S GS
1.2
V
SD
電気的接続図
スイッチングタイム測定回路図
V
=10V
DD
V
IN
5
4
3
4V
0V
1:Drain1
2:Drain2
3:Gate2
4:Source
5:Gate1
I
=1.5A
D
V
IN
R =6.67Ω
L
D
V
OUT
PW=10µs
D.C.≦1%
Top view
1
2
G
CPH5611
P. G
50Ω
S
I
D
-- V
I
D
-- V
DS
GS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
=10V
DS
0.5
0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ゲート・ソース電圧, V
-- V
GS
IT03491
IT03490
DS
R
(on) -- V
R
(on) -- Ta
DS
GS
DS
160
140
120
100
80
140
120
100
80
Ta=25°C
1.5A
I =0.7A
D
60
60
40
40
20
0
20
0
0
2
4
6
8
10
IT04047
--60 --40 --20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
ゲート・ソース電圧, V
-- V
周囲温度, Ta -- °C
IT04048
GS
No.7154-2/4
CPH5611
y
-- I
I -- V
F SD
D
3
2
10
V
=10V
V
=0
7
DS
GS
5
3
2
10
7
5
1.0
7
5
3
2
3
2
1.0
7
5
0.1
7
5
3
2
3
2
0.1
0.01
0.2
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
0.1
1.0
10
ドレイン電流, I -- A
D
W Tim -- I
IT03494
ダイオード順電圧, V
-- V
SD
Ciss, Coss, Crss -- V
DS
IT03495
D
3
2
1000
V
V
=10V
=4V
f=1M Hz
DD
GS
7
5
100
Ciss
7
5
3
2
3
2
100
t (on)
d
7
5
10
7
5
3
2
3
2
1.0
0.1
10
2
3
5
7
2
3
5
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.0
10
IT03496
ドレイン電流, I -- A
D
-- Qg
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
IT03497
DS
V
A S O
GS
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
2
I
=12A
<10µs
V
=10V
DP
DS
10
7
5
I =3A
D
I =3A
D
3
2
1.0
7
5
3
2
Operation in this
areaislim ited byR (on).
0.1
7
5
DS
3
2
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(600m m 2×0.8m m )装着時1unit
0.5
0
0.01
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
IT03498
IT04049
P
-- Ta
D
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT04050
No.7154-3/4
CPH5611
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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PS
No.7154-4/4
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