TMG1C80 [SANREX]
TRIAC(Through Hole); TRIAC （通孔）
| 型号： | TMG1C80 |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：473K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
(
)
TRIAC Through Hole
TMG1C80
(
)
Sensitive Gate
Triac TMG1C80 is designed for full wave AC control applications.
TO-92
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
5.0±0.2
4.0±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
2.3±0.2
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
2
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
+0.2
+0.2
0.45-0.1
0.45-0.1
3
Features
1
2
3
T1
Gate
T2
●
●
●
IT(RMS)=1A
High Surge Current
Lead-Free Package
1
2
3
+0.6
+0.6
2.50-0.2
2.50-0.2
Unit：mm
Identifying Code：T1C8
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
800
Unit
V
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
1
A
Tc＝58℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
9.1 10
/
2
2
2
I t
0.41
A S
I t（for fusing）
GM
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1
W
W
A
G（AV）
P
0.1
0.5
IGM
VGM
Tj
Peak Gate Voltage
6
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
0.2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
D
DRM
0.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
V
T
1.6
I ＝1.5A, Inst. measurement
＋
IGT1
1
5
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
5
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
10
－
IGT3
5
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
1.8
－
VGT1
1.8
V
V
＋
VGT3
2.0
－
VGT3
1.8
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
D
2
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
0.5A ms，V ＝400V
V μs
/
/
/
/
H
I
Holding Current
4
mA
Thermal Resistance
Junction to case
50
Rth（j-c）
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
TMG1C80
On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
１０
１０
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
VGM（6V）
PGM（1W）
PG（AV（） 0.1W）
１
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
25℃
1＋GT３
VG（D 0.2V）
０.１
０
０．１
１
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
４
４.５
５
１０
１００
１０００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
Maximum Power Dissipation
１３０
１２０
１１０
１００
９０
θ
π
１.４
１.２
１
θ＝ 180゜
θ＝ 150゜
０
2π
θ
θ＝ 120゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 6 0 ゜
３
６
０゜
θ：Conduction Angle
θ＝ 3 0 ゜
０.８
０.６
０.４
θ＝ 3 0 ゜
８０
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ
π
７０
０
2π
θ＝ 150゜
６０
θ
θ＝ 180゜
３
６０゜
０.２
０
５０
４0
０
θ
：Conduction Angle
０
０.２
０.４
０.６
０.８
１
０.２
０.４
０.６
０.８
１
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０００
１００
１２
１０
８
Rth（j－a）
Rth（j－c）
６
60HZ
50HZ
１０
１
４
２
０
１
１０
Time（Cycles）
１０0
０.０１
０.１
１
１０
１００
１０００
Time（Sec.）
１０００VGT －T（j Typical）
IGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
V＋GT1
V－GT1
V＋GT1
V－GT3
I＋GT１
I－GT１
I－GT3
１００
I＋GT3
１０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００
１２５
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
2
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明