TMG1CQ60 [SANREX]
TRIAC(Through Hole); TRIAC （通孔）
| 型号： | TMG1CQ60 |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：472K) |
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(
)
TRIAC Through Hole
TMG1CQ60
(
)
Tj=150 / Sensitive Gate
Triac TMG1CQ60 is designed for full wave AC control applications.
TO-92
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
5.0±0.2
4.0±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
3
2.3±0.2
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
2
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
+0.2
+0.2
0.45-0.1
0.45-0.1
Features
1
2
3
T1
Gate
T2
●
●
●
IT(RMS)=1A
High Surge Current
Lead-Free Package
1
2
3
+0.6
+0.6
2.50-0.2
2.50-0.2
Unit：mm
Identifying Code：T1CQ6
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
600
Unit
V
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
1
A
Tc＝83℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
9.1 10
/
2
2
2
I t
0.41
A S
I t（for fusing）
GM
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
1
W
W
A
G（AV）
P
0.1
0.5
IGM
VGM
Tj
Peak Gate Voltage
6
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋150
－40～＋150
0.2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
D
DRM
1
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝150℃
TM
V
T
1.6
I ＝1.5A, Inst. measurement
＋
IGT1
1
5
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
5
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
10
－
IGT3
5
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
1.8
－
VGT1
1.8
V
V
＋
VGT3
2.0
－
VGT3
1.8
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.1
Tj＝150℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
1
〔dv dt〕c
Tj＝150℃，〔di dt〕c＝
－
0.5A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
4
mA
Thermal Resistance
Junction to case
50
Rth（j-c）
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG1CQ60
Gate Characteristics
１０ Maximum On-State Characteristics
１0
VGM（６V ）
Ｔｊ=２５℃
PGM（１W ）
Ｔｊ=１５０℃
PG（AV（） 0.１W）
１
25℃
+
25℃
+
１
I
GT3
I
I
I
GT1
GT1
GT3
-
-
VG（D 0.１V）
０．１
０．０１
０.１
１
１０
100
1000
０
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
４
４.５
５
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
R.M.S On-State vs
Maximum Power Dissipation
Allowable Case Temperature
160
150
140
130
120
110
100
90
1.4
1.2
1
θ＝180゜
θ
π
θ＝150゜
θ＝120゜
０
2π
θ
θ＝90゜
θ＝60゜
３６０゜
θ：Conduction Angle
θ＝30゜
0.8
0.6
θ＝30゜
θ＝60゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
θ
π
0.4
0.2
０
０
2π
80
θ
３６０゜
70
θ：Conduction Angle
60
０
０. 2
０. 4
０. 6
０. 8
1
０
０. 2
０. 4
０. 6
０. 8
１
R.M.S. On-State Curren（t A）
RSM On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０００
１００
１２
１０
８
Rth（j－a）
Rth（j－c）
６
60HZ
50HZ
１０
１
４
２
０
１
１０
Time（Cycles）
１０0
０.０１
０.１
１
１０
１００
１０００
Time（Sec.）
１０００VGT －T（j Typical）
IGT －Tj Change Rate（Typical）
１０００
１００
１０
V＋GT1
V－GT1
V＋GT3
V－GT3
I＋GT１
１００
I－GT１
I－GT3
I＋GT3
１０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １5 0
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １5 0
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp.（℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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