TMG20C60F [SANREX]
TRIAC(Through Hole / Isolated); TRIAC （通孔/隔离）
| 型号： | TMG20C60F |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole / Isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：474K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Isolated
TMG20C60F
Triac TMG20C60F is designed for full wave AC control applications.
TO-220F
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
10.5±0.3
4.7±0.2
2.7±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
3
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2.6±0.2
0.60±0.15
1.1±0.2
1.4±0.2
2
1
2
3
T1
T2
Gate
Features
0.6±0.15
●
●
●
●
IT(RMS)=20A
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Identifying Code：T20C6F
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
600
20
183/200
165
Tc＝66℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
5
0.5
2
10
1500
W
W
A
V
V
G（AV）
IGM
VGM
VISO
Tj
Peak Gate Voltage
A.C. 1minute
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝30A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
―
1.5
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
10
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
8A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
25
mA
Rth
Thermal Resistance
Junction to case
2.5
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
TMG20C60F
On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
５００
１００
２００
１００
１０
５０
VGM（10V）
PGM（5W）
２０
１０
PG（AV（） 0.5W）
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
５
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
２
１
０．５
VG（D 0.2V）
０．１
１０
１．０
１．５
２．０
２．５
３．０
３．５
１００
１０００
１００００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
Maximum Power Dissipation
２４
２２
２０
１８
１６
１４
１２
１０
８
θ
＝
１８０゜
θ
＝
１５０゜
１２５
１１５
１０５
９５
θ
π
θ＝
１２０゜
０
2π
θ
＝
９０゜
θ
３
６
０゜
θ
＝
６０゜
θ：Conduction Angle
θ
＝
３０゜
θ＝ 3 0 ゜
θ
π
θ＝ 6 0 ゜
８５
０
2π
６
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ
４
２
３
６０゜
７５
６５
θ
：Conduction Angle
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
０
０
２
４
６
８
１０ １２ １４ １６ １８ ２０ ２２
０
５
１０
１５
２０
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
２００
１５０
１００
60HZ
50HZ
１
５０
０
０.１
０.０１
１
１０
Time（Cycles）
１０0
０.１
１
１０
１００
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００VGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
１００
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
V＋GT（1 !＋）
V－GT（1 !－）
V－GT（3 #－）
I－GT３（#－）
１０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００
１２５
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
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