MIP2E4DMY [PANASONIC]

MIP2E4DMY;
MIP2E4DMY
型号: MIP2E4DMY
厂家: PANASONIC    PANASONIC
描述:

MIP2E4DMY

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インテリジェントパワーデバイス(IPD)  
MIP2E4DMY  
シリコンMOS形集積回路  
I 特ꢀ長  
Unit : mm  
軽負荷時の消費電力を大幅に削  
4.5 0.2  
10.5 0.5  
各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能  
1.4 0.1  
9.5 0.2  
8.0 0.2  
I 用ꢀ途  
スイッチング電源  
制 御用  
φ 3.7 0.2  
I 絶対最大定格 Ta = 25°C 3°C  
1.4 0.1  
2.5 0.2  
+0.1  
項目  
ドレイン電圧  
記号  
VD  
VC  
ID  
定格  
700  
単位  
V
0.8 0.1  
0.6  
–0.2  
コントロール電圧  
出力電流  
10  
V
2.54 0.3  
5.08 0.5  
1.72  
A
出力ピーク電流  
コントロール電流  
チャネル部 温度  
保存温度  
IDP  
IC  
2.4  
A
1
2 3  
1 : Control  
2 : Source  
3 : Drain  
0.1  
A
Tch  
Tstg  
150  
°C  
°C  
TO-220-A1 Package  
55 ∼ +150  
形名表示記号 : MIP2E4DMY  
I ブロック図  
起動用定電流�  
1
3
Control  
Drain  
内部  
供給�  
軽負荷検出�  
間欠発振制 御用�  
タイマ�  
間欠動作回路�  
エラーアンプ�  
過熱保護回路�  
S
Q
Q
ゲート� パワー�  
ドライバMOSFET  
R
再起動トリガ�  
発振器�  
Max Duty  
Clock  
Sawtooth  
S
Q
Q
オン時�  
V-I変換器�  
R
ブランキング�  
パルス発生回路�  
スロープ�  
補償�  
ドレイン電流�  
検出用�  
過電流�  
保護�  
2
Source  
発行年月 : 20018月  
SLB00030BJD  
1
MIP2E4DMY  
I 電気的特性 TC = 25°C 2°C  
項目  
コントロール機能  
出力周 波数  
記号  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
fOSC  
VC = VC(CNT) 0.2 V  
VC = VC(CNT) 0.2 V  
90  
66  
100  
69  
110  
72  
kHz  
%
最大デューティサイクル  
MAXDC  
GPWM  
m
PWMゲイン *  
11  
dB  
*
スロープ補償値  
60  
mA/µs  
電源  
起動動作電流 IC(SB) VC < VC(ON) 0.05 0.30 0.6 mA  
動作時電流 IC(OP) VC = VC(CNT) 0.2 V 0.7 1.8 2.7 mA  
起動時コントロール端子電圧  
停止時コントロール端子電圧  
/ 停止ヒステリシス電圧  
間欠動作時間比  
VC(ON)  
VC(OFF)  
VC  
5.1  
4.1  
0.5  
6.0  
5.0  
1.0  
2
6.6  
5.5  
1.5  
V
V
V
TSW /TTIM  
fTIM  
%
間欠動作周 波数  
0.5  
1.9  
1.2  
6.2  
10  
Hz  
mA  
コントロール端子充電電流  
IC(CHG)  
VC = 0 V  
VC = 5 V  
2.5  
2.0  
5.7  
1.2  
0.5  
6.6  
コントロール電圧  
コントロール電圧ヒステリシス  
最小ドレイン電圧  
保護機能  
VC(CNT)  
VC(CNT)  
VD(MIN)  
V
mV  
V
*
36  
過電流保護検出  
ILIMIT  
ton(BLK)  
td(OCL)  
TOTP  
1.35  
1.5  
0.25  
0.1  
1.65  
4.2  
A
µs  
µs  
°C  
V
*
オン時ブランキング幅  
*
過電流保護遅れ時間  
*
過熱保護温度  
130  
2.3  
140  
3.3  
*
ラッチリセット電圧  
VC reset  
出力  
ドレイース間オン抵抗  
オフ時ドレイン端子リーク電流  
ドレイン耐圧  
RDS(ON)  
IDSS  
VDSS  
tr  
ID = 0.3 A  
5.8  
10  
6.7  
µA  
VDS = 650 V, VC = 6.5 V  
ID = 0.25 mA, VC = 6.5 V  
250  
700  
V
立ち上がり時間  
0.1  
0.1  
3.0  
70  
µs  
立ち下がり時間  
tf  
µs  
*
チャネース間熱抵抗  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
°C/W  
°C/W  
*
チャネ・周 間熱抵抗  
) : 設計保証項目  
*
SLB00030BJD  
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製および技術で「外国為替及び外国貿易法該当するものを輸出する時ま  
たは外に持ち出す時は本政府の許可が必です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製の代表特性および応用回路例などを示したものであり業所有  
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。  
一般電子機器(事務機器機器測機器電  
(3) 本資料に記載されている製品  
準用途  
など)に使用されることを意図しております。  
特別な品  
信  
頼性が要  
求されの故障や誤動作が直接人命を脅かしたり体に危害を及ぼす  
特定用途(宙用通機器焼機器命維持装置全装置など)に  
ご使用をお考えのお様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお様は前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
恐れのある用途  
(4) 本資料に記載しております製品  
りますのでご了承くださいたがって終的な設計購入使用に際しましてはに最新  
の製規格書または仕様書をお求め願い確認ください。  
および製仕様は良などのために予告なく変更する場合があ  
(5) 設計に際してに最大定格作電源電圧範囲熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します証値を超えてご使用された場合の後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また証値内のご使用であっても社製の動作が因でご使用機器が各種法令に抵触しな  
いような冗長設計をお願いします。  
任を負いません。  
(6) 防湿包装を必とする製につきましては々の仕様書取り交わしの折り決めた条件 (保存  
期間封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項  
A. 本資料は客  
記載されている販売可能な種および技術情報等は告なく常に更新しておりますので検討  
にあたってはめに弊社営業部門にお問い合わせの上新の情報を入手願います。  
様のご用途に応じた適切な松下半導体製を購入いただくためのご紹介資料です。  
B. 本資料は正確を期し制作したものですが載ミス等の可能性がありますたがって弊  
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には任を負わないものとさせて頂きます。  
C. 本資料は様ご自身でのご利用を意図しておりますたがって社の文書による許可なく、  
インターネットや他のあらゆる手段によって複製売および第三者に提供するなどの行為を禁止  
いたします。  
2001 MAR  

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