PRHMB150E6 [NIEC]
IGBT Module-Dual; IGBT模块 - 双
| 型号： | PRHMB150E6 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | IGBT Module-Dual |
| 文件： | 总4页 (文件大小：277K) |
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ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
１５０ Ａ，６００Ｖ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80 ±0.25
11.0
12.0
12.0 11.0 12.0
94
80 ±0.25
7(G2)
6(E2)
2-Ø6.5
2-Ø5.5
12 11 12 11 12
7
6
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
1
2
3
7
6
1
2
3
3-M5
3-M5
23.0
9
23.0
9
17.0
23
7
23
7
17
4-fasten tab
#110 t=0.5
4-fasten tab
#110 t=0.5
16
16
16
14
14
14
LABEL
LABEL
PRHMB150E6
PRHMB150E6C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＣＥＳ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
６００
Ｕｎｉｔ
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
Ａ
ＩＣ
ＤＣ
１５０
３００
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
ＩＣＰ
１ｍｓ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
５６０
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
度
Ｔｊ
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ
ＶＩＳＯ
Ｆｔｏｒ
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
絶
縁
耐
２,５００
３（３０.６）
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
３（３０.６）
２（２０.４）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
PDMB150E6
PDMB150E6Ｃ
３（３０.６）
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＣＥＳ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ｍＡ
μＡ
Ｖ
１.０
１.０
２.６
８.０
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
ＩＧＥＳ
ＶＣＥ（ｓａｔ）
ＶＧＥ（ｔｈ）
Ｃｉｅｓ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V
－
－
－
２.１
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA
Ｖ
４.０
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
ｐＦ
7,500
Ｉnput Ｃapacitance
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ＶＣＣ= 300V
ＲＬ= 2.0Ω
ＲＧ= 5.1Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
－
－
－
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
上 昇 時 間 Ｒise
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
Ｔime
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μｓ
ｔｏｆｆ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
Ａ
順
電
流
ＤＣ
１５０
３００
Ｆorward Ｃurrent
１ｍｓ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
圧
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
１.９
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順
電
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V
２.４
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
ｔｒｒ
－
０.１５
０.２５
μｓ
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
抗
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
熱
抵
ＩＧＢＴ
Ｄiode
０.２２
℃／Ｗ
Ｔhermal Ｉmpedance
（Tc測定点チップ直下）
０.４５
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
TC=25°C
TC=125°C
300
250
200
150
100
50
300
250
200
150
100
50
VGE=20V
15V
VGE=20V
15V
12V
11V
10V
12V
11V
10V
9V
8V
9V
8V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
TC=125°C
TC=25°C
16
14
12
10
8
16
14
12
10
8
IC=60A
150A
300A
300A
IC=60A
150A
6
6
4
4
2
2
0
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
400
16
14
12
10
8
100000
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25°C
RL=2.0(
TC=25°C
350
300
250
200
150
100
50
30000
10000
Cies
VCE=300V
3000
1000
Coes
Cres
200V
100V
6
4
300
100
2
0
0
0
100
200
300
400
500
600
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
5
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
TC=25°C
VCC=300V
RG=5.1(
VGE=±15V
TC=25°C
Resistive Load
Resistive Load
tOFF
2
1
0.5
toff
tf
0.2
0.1
tr(VCE
tf
)
ton
tON
0.05
tr(VCE
)
0.02
0
0
0
50
100
150
200
250
3
10
30
100
Collector Current IC (A)
Series Gate Impedance RG (()
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
10
1
10
5
VCC=300V
RG=5.1(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
2
1
tOFF
tON
0.5
tf
0.1
toff
tr(Ic)
0.2
0.1
ton
tf
0.01
0.001
0.05
tr(IC)
0.02
50
100
150
200
250
3
10
30
100
Collector Current IC (A)
Series Gate Impedance RG (()
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
300
100
16
12
8
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
TC=125°C
VCC=300V
RG=5.1(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
Inductive Load
EON
EOFF
30
10
EOFF
ERR
EON
ERR
4
3
1
0
3
10
30
100
50
100
150
200
250
Series Gate Impedance RG (()
Collector Current IC (A)
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６
ＰＲＨＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
300
250
200
150
100
50
1000
500
TC=25°C
IF=150A
TC=25°C
TC=125°C
TC=125°C
trr
200
100
50
IRrM
20
10
0
0
1
2
3
4
0
150
300
450
600
750
900
Forward Voltage VF (V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=5.1(, VGE=±15V, TC<125°C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
3
1
FRD
IGBT
3x10-1
1x10-1
3x10-2
1x10-2
TC=25°C
3x10-3
1x10-3
1 Shot Pulse
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t (s)
00
日本インター株式会社
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