PRHMB200B12A [NIEC]
200A 1200V; 200A 1200V型号: | PRHMB200B12A |
厂家: | NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
描述: | 200A 1200V |
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IGBT Module-Chopper
回 路 図 : CIRCUIT
200 A,1200V
PRHMB200B12A
□
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
94.0
80 ±0.25
11.0 12.0
12.0 11.0 12.0
2-Ø6.5
7
6
7(G2)
6(E2)
1
2
3
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
3-M5
23.0
9
23.0
9
17.0
4-fasten tab
#110 t=0.5
14
14
14
LABEL
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item Symbol
Rated Value
1,200
Unit
V
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
VGES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
±20
V
A
IC
DC
200
400
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
ICP
1ms
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
PC
960
W
接
合
温
Junction Temperature Range
度
Tj
-40~+150
-40~+125
2,500
℃
保
存
温
度
Tstg
VISO
Ftor
℃
Storage Temperature Range
圧(Terminal to Base AC,1minute)
絶
縁
耐
V(RMS)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
3(30.6)
2(20.4)
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Symbol
ICES
Test Condition
Min.
-
Typ.
-
Max. Unit
VCE= 1200V,VGE= 0V
VGE= ±20V,VCE= 0V
IC= 200A,VGE= 15V
4.0
1.0
2.4
8.0
-
mA
μA
V
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
IGES
VCE(sat)
VGE(th)
Cies
-
-
-
1.9
-
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
VCE= 5V,IC= 200mA
4.0
-
V
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
16,600
pF
Input Capacitance
tr
ton
tf
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
Time
-
-
-
-
0.25
0.40
0.25
0.80
0.45
0.70
0.35
1.10
VCC= 600V
RL= 3Ω
スイッチング時間
Switching Time
μs
RG= 2Ω
VGE= ±15V
toff
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
Symbol
IF
IFM
Rated Value
Unit
A
順
電
流
DC
200
400
Forward Current
1ms
Characteristic
圧
Symbol
VF
Test Condition
Min.
-
Typ.
1.9
Max. Unit
順
電
IF= 200A,VGE= 0V
2.4
0.3
V
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
IF= 200A,VGE= -10V
di/dt= 400A/μs
trr
-
0.2
μs
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
抗
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
Junction to Case
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max. Unit
熱
抵
IGBT
Diode
0.125
℃/W
Thermal Impedance
0.24
日本インター株式会社
PRHMB200B12A
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
TC=25℃
10V
16
14
12
10
8
400
300
200
100
0
IC=100A
200A
400A
VGE=20V
15V
12V
E
C
V
e
g
C
I
a
l
t
n
o
V
9V
8V
r
e
re
u
C
r
t
i
m
E
to
6
c
o
t
e
l
l
o
C
otr
4
c
e
l
l
o
C
2
7V
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
800
700
600
500
400
300
200
100
0
16
14
12
10
8
16
14
12
10
8
RL=3Ω
TC=25℃
IC=100A
200A
400A
G
a
E
C
te
E
C
t
o
V
V
e
e
g
E
m
a
ag
i
t
l
t
o
te
o
V
r
V
o
V
r
r
e
e
t
t
i
l
t
VCE=600V
a
g
e
m
E
6
6
mEit
o
t
V
o
GE
400V
200V
t
r
tor
o
t
4
4
c
c
e
l
l
e
o
C
o
2
2
C
0
0
0
4
8
12
16
20
0
300
600
900
1200
1500
Total Gate Charge Qg (nC)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
100000
50000
1.4
1.2
1
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
VCC=600V
RG= 2.0 Ω
VGE=±15V
TC=25℃
Cies
Coes
Cres
20000
10000
tOFF
t
e
5000
0.8
0.6
0.4
0.2
0
C
e
c
n
m
i
a
t
tf
gT
2000
i
c
a
p
ni
h
c
a
1000
t
C
w
S
500
200
100
tON
tr
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
0
50
100
150
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (A)
日本インター株式会社
PRHMB200B12A
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
400
300
200
100
0
10
5
TC=25℃
TC=125℃
VCC=600V
IC=200A
VGE=±15V
TC=25℃
toff
ton
tr
tf
2
1
F
I
t
t
n
e
m
e
u
Ti
C
g
0.5
d
r
n
i
h
c
a
t
i
w
o
F
Sw
0.2
0.1
0.05
0
1
2
3
4
1
2
5
10
20
50
100
200
Forward Voltage VF (V)
Series Gate Impedance RG (Ω)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
500
1000
500
RG=2Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
IF=200A
TC=25℃
M
200
100
50
Rr
I
r
nt
200
100
50
e
r
r
tr
trr
e
C
u
C
I
m
i
T
20
10
5
y
net
ry
er
r
v
o
e
v
r
o
c
e
C
ec
r
o
R
R
e
e
s
r
e
2
1
rs
e
v
e
v
20
10
5
e
R
e
R
k
a
IRrM
0.5
e
P
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
0
200
400
600
800
1000
1200
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
-di/dt (A/μs)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
1
5x10 -1
FRD
2x10 -1
1x10 -1
5x10 -2
IGBT
h
t
R
cne
a
d
2x10 -2
1x10 -2
5x10 -3
e
p
m
I
l
a
m
r
e
h
T
2x10 -3
1x10 -3
5x10 -4
t
n
TC=25℃
e
i
s
n
1 Shot Pulse
a
r
T
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t (s)
日本インター株式会社
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