LAM676-R [INFINEON]
Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED; 超迷你TOPLED超高亮LED型号: | LAM676-R |
厂家: | Infineon |
描述: | Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED |
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Hyper Mini TOPLED®
Hyper-Bright LED
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
Semiconductor Group
1
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Typ
Emissions- Farbe der Licht- Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer
farbe
austrittsfläche
Type
Color of
Emission
Color of the Light Luminous
Luminous
Flux
I = 20 mA
F
Ordering Code
Emitting
Area
Intensity
I = 20 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
LS M676-MQ super-red
LS M676-N
LS M676-P
LS M676-Q
LS M676-NR
colorless clear
colorless clear
colorless clear
colorless clear
16 ... 125 -
Q62703-Q3285
Q62703-Q3288
Q62703-Q3286
Q62703-Q3287
Q62703-Q3289
25 ... 50 100 (typ.)
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
25 ... 200 -
LA M676-NR amber
LA M676-P
LA M676-Q
LA M676-R
LA M676-PS
25 ... 200 -
Q62703-Q3536
Q62703-Q3537
Q62703-Q3538
Q62703-Q3539
Q62703-Q3540
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
40 ... 320
LO M676-NR orange
LO M676-P
LO M676-Q
LO M676-R
LO M676-PS
25 ... 200 -
Q62703-Q3290
Q62703-Q3291
Q62703-Q3292
Q62703-Q3293
Q62703-Q3294
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
40 ... 320 -
LY M676-NR yellow
LY M676-P
LY M676-Q
LY M676-R
LY M676-PS
25 ... 200 -
Q62703-Q3295
Q62703-Q3296
Q62703-Q3297
Q62703-Q3298
Q62703-Q3299
40 ... 80 180 (typ.)
63 ... 125 300 (typ.)
100 ... 200 450 (typ.)
40 ... 320 -
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LA, LO LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
+ 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
Stoßstrom
IFM
to be defined
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
802)
552)
500
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm )
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
5802)
2
2
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
2)
vorläufig/preliminary
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
615
16
610
605
16
591
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
16
587
15
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01
10 10 10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TC
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
λ
λ
Temperaturkoeffizient von λpeak
,
TC
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
,
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TC
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
V
Semiconductor Group
4
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
%
Ιrel
80
60
40
20
0
V
λ
yellow
orange
amber
super-red
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
OHL01660
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Semiconductor Group
5
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
OHL00232
OHL00233
10 2
mA
10 1
Ι V
Ι F
5
Ι V (20 mA)
10 0
5
10 1
5
10 -1
5
superred
yellow
10 0
5
orange/amber
10 -2
5
10 -1
10 -3
10 -1
5
10 0
5
10 1
mA 10 2
Ι F
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0 V 3.4
VF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
OHL00238
OHL00248
2.0
ΙV (25 C)
35
mA
30
ΙV
Ι F
1.6
orange
yellow
25
20
15
10
5
amber
super-red
yellow
1.2
0.8
0.4
0
orange
yellow
amber
super-red
0
0
20
40
60
80 C 100
TA
-20
0
20
40
60
C
100
TA
Semiconductor Group
6
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.15
0.05
1.5
1.3
Cathode
marking
Cathode marking
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
7
1998-11-12
相关型号:
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