FF6MR12KM1P [INFINEON]
TIM;型号: | FF6MR12KM1P |
厂家: | Infineon |
描述: | TIM |
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FF6MR12KM1P
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀbereitsꢀaufgetragenemꢀThermalꢀInterface
Material
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀpre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VDSS = 1200V
ID nom = 250A / IDRM = 500A
PotentielleꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• DC/DCꢀWandler
PotentialꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication
• DC/DCꢀconverter
• SolarꢀAnwendungen
• Solarꢀapplications
• USV-Systeme
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• NiedrigeꢀSchaltverluste
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
MOSFETꢀ/ꢀMOSFET
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourceꢀvoltage
Tvj = 25°C
TH = 30°C
VDSS
ID nom
ID pulse
VGSS
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
250
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Drain-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
DCꢀdrainꢀcurrent
GepulsterꢀDrainstrom
Pulsedꢀdrainꢀcurrent
verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀtpꢀlimitiertꢀdurchꢀTvjmax
verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTvjmax
500
Gate-SourceꢀSpannung
Gate-sourceꢀvoltage
-10 / 20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceꢀonꢀresistance
ID = 250 A
VGS = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
5,81
7,56
8,50
RDS on
mΩ
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IDꢀ=ꢀ80,0ꢀmA,ꢀVDSꢀ=ꢀVGS,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀVGSꢀ=ꢀ+20ꢀV)
VGS(th) 3,45 4,50 5,15
V
GesamtꢀGateladung
Totalꢀgateꢀcharge
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V
Tvj = 25°C
QG
RGint
Ciss
Coss
Crss
Eoss
IDSS
IGSS
0,496
1,0
µC
Ω
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
14,7
0,88
0,112
352
nF
nF
nF
µJ
Ausgangskapazität
Outputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V
COSSꢀSpeicherenergie
COSSꢀstoredꢀenergy
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
0,80 660 µA
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
VGS = 20 V
VGS = -10 V
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 250 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 3,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
69,1
66,4
65,5
td on
ns
ns
ns
ns
mJ
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 250 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 3,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
33,7
32,0
31,9
tr
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 250 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 3,90 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
124
134
134
td off
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 250 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 3,90 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
43,9
45,2
45,2
tf
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH
di/dt = 8,95 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 3,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,26
4,75
4,95
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 10 nH
du/dt = 12,9 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,90 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
5,72
5,99
5,99
mJ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
0,181 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
BodyꢀDiode-Gleichstrom
DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TH = 30°C
ISD
ꢀ
110
ꢀ
A
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
ISD = 250 A, VGS = -5 V
ISD = 250 A, VGS = -5 V
ISD = 250 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,80 5,85
4,55
4,50
VSD
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
29,0
23,0
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
23,0
11,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 400
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
RCC'+EE'
Tstg
20
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
0,485
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
M
G
3,00
2,5
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
-
Gewicht
Weight
340
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
)
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
500
500
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGS = 19 V
VGS = 17 V
VGS = 15 V
VGS = 13 V
VGS = 11 V
VGS = 9 V
VGS = 7 V
450
400
350
300
250
200
150
100
50
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5
VDS [V]
VDS [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
VGSꢀ=ꢀfꢀ(QG)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VGS
)
VDSꢀ=ꢀ20ꢀV
VDSꢀ=ꢀ800ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ250ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
500
15
10
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
3
-5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
100
200
QG [nC]
300
400
500
VGS [V]
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
KapazitätsꢀCharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(ID)
Cꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,0ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
100
18
Eon: Tvj = 125°C
Eon: Tvj = 150°C
Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
Ciss
Coss
Crss
16
14
12
10
8
10
1
6
4
2
0,1
0
0,1
1
10
VDS [V]
100
1000
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
ID [A]
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ250ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
45
550
Eon: Tvj = 125°C
Eon: Tvj = 150°C
Eoff: Tvj = 125°C, Tvj = 150°C
500
40
ID, Modul
ID, Chip
450
35
30
25
20
15
10
5
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0
4
8
12 16 20 24 28 32 36 40
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
RG [Ω]
VDS [V]
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
1
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,0163 0,0735 0,0569 0,0343
τi[s]: 0,00103 0,018 0,115 1,23
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2020-05-20
FF6MR12KM1P
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2020-05-20
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
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SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
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IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
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