F3L75R12W1H3_B11 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor,;
| 型号： | F3L75R12W1H3_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
| 文件： | 总14页 (文件大小：1076K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
J
VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• 3-Level-Applications
• SolarꢀApplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
ElectricalꢀFeatures
• LowꢀInductiveꢀDesign
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀVCEsat
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance
Widerstand
• KompaktesꢀDesign
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT1-T4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1-T4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
75
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
150
275
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,45 1,70
1,55
1,60
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,05 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,57
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
4,40
0,235
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,03
0,03
0,03
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,25
0,32
0,34
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,025
0,04
0,045
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
0,40
0,60
0,70
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
1,05
1,60
1,75
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
270
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
0,500 0,550 K/W
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthCH
0,450
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
Tvj op
-40
150
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
60
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
310
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,15 t.b.d.
1,85
1,70
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
VGE = -15 V
85,0
90,0
95,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
VGE = -15 V
2,30
2,95
3,30
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,85
1,25
1,35
mJ
mJ
mJ
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,700 0,750 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,700
K/W
°C
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
60
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
100
175
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,25 1,50
1,30
1,30
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,05 5,80 6,45
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,50
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
3,10
0,095
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,022
0,022
0,025
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,12
0,15
0,165
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,025
0,037
0,04
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
0,40
0,55
0,60
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,2 Ω
Tvj = 25°C
0,90
1,20
1,30
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
350
250
A
A
ISC
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
0,750 0,850 K/W
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthCH
0,700
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
Tvj op
-40
150
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
30
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
100
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
130
115
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,45 1,65
1,35
1,30
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
42,0
48,0
50,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
1,80
2,40
2,60
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,45
0,65
0,73
mJ
mJ
mJ
VR = 400 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,800 1,10 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,600
K/W
°C
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
AI2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
LsCE
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
30
nH
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
mΩ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
F
-40
40
125
80
°C
N
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
50
40
30
20
10
50
40
30
20
10
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
60
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
40
30
20
10
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
4,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJH : IGBT
3,0
2,0
1,0
0,0
1
i:
ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,544
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0
10
20
30
40
50
60
70
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1-T4ꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
70
50
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
60
50
40
30
20
10
0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ6,2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
IFꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
2,0
1,6
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
IF [A]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
10
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
ZthJH: Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1
i:
ri[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
60
60
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
54
48
42
36
30
24
18
12
6
54
48
42
36
30
24
18
12
6
0
0
5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
6
7
8
9
10
VGE [V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.2ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
2,4
4,5
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,2
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
10
20
30
IC [A]
40
50
60
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
10
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
ZthJH: IGBT
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1
i:
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,5
1,0
VF [V]
1,5
2,0
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
IFꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
1,00
0,90
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,80
0,90
0,80
0,70
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,70
0,60
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0
10
20
30
IF [A]
40
50
60
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
60
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
11
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
ZthJH: Diode
Rtyp
10000
1000
100
1
i:
ri[K/W]: 0,206 0,247 0,412 0,535
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
12
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
13
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
preparedꢀby:ꢀCM
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26
revision:ꢀV2.0
approvedꢀby:ꢀAKDA
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