F3L400R12PT4_B26 [INFINEON]
Phase leg;
| 型号： | F3L400R12PT4_B26 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Phase leg |
| 文件： | 总14页 (文件大小：1145K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀaktiverꢀ"NeutralꢀPointꢀClampꢀ2"ꢀTopologieꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀactiveꢀ"NeutralꢀPointꢀClampꢀ2"ꢀtopologyꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
-
VCES = 1200V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeꢀAnwendungen
• SolarꢀAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalꢀApplications
• SolarꢀApplications
• UPSꢀSystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀVCEsat
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Compactꢀdesign
• KompaktesꢀDesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• Standardgehäuse
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
600
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
800
2150
+/-20
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,75 2,15
2,05
2,10
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,2
5,8
3,30
1,8
25,0
1,35
ꢀ
6,4
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,20
0,22
0,23
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,11
0,12
0,12
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,40
0,48
0,50
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,07
0,10
0,11
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
8,75
13,0
13,5
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
18,0
26,0
28,5
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
2200
1900
A
A
ISC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,07 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,046
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
400
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
6700
6150
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
145
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
205
215
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
13,5
26,0
28,5
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
3,40
6,35
7,15
mJ
mJ
mJ
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,22 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,077
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 0°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
360
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
800
880
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,75 2,15
2,00
2,10
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
4,9
5,8
3,20
1,0
18,5
0,57
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,08
0,10
0,10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,09
0,10
0,10
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,35
0,37
0,38
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,08
0,11
0,11
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
6,30
9,40
11,0
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
20,0
23,5
24,5
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
1800
1400
A
A
ISC
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,17 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,074
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
15500
11500
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,80 2,30
1,85
1,90
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
255
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
310
325
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
29,0
56,0
65,0
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
8,70
16,5
19,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,16 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,056
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TC = 25°C
ꢀ
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
ꢀ
B-Wert
B-value
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
25,0
12,5
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,0
7,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 200
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
LsCE
ꢀ
38
ꢀ
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
RCC'+EE'
ꢀ
0,75
ꢀ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
3,00
3,0
ꢀ
ꢀ
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
-
-
6,00 Nm
6,0 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
ꢀ
G
400
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
720
640
560
480
400
320
240
160
80
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
800
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
720
640
560
480
400
320
240
160
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
100 200 300 400 500 600 700 800
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
80
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJC : IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00481 0,00743 0,05654 0,00346
τi[s]: 0,00048 0,00808 0,03994 4,14691
0,001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
900
800
IC, Modul
Tvj = 25°C
IC, Chip
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
800
640
700
600
500
400
300
200
100
0
560
480
400
320
240
160
80
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V]
VF [V]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
IFꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
10
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IF [A]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
1
800
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0,1
i:
ri[K/W]: 0,02066 0,03561 0,14341 0,02234
τi[s]: 0,00031 0,0085 0,04141 0,9406
1
2
3
4
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
800
800
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
700
600
500
400
300
200
100
0
700
600
500
400
300
200
100
0
5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
6
7
8
9
10
11
12
13
VCE [V]
VGE [V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
100
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
90
90
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
80
80
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
IC [A]
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1
900
ZthJC : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,01921 0,12312 0,02338 0,00837
τi[s]: 0,00113 0,03104 0,17309 3,25128
1
2
3
4
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE [V]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ1.5ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
800
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
28
700
600
500
400
300
200
100
0
Tvj = 150°C
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
0
100 200 300 400 500 600 700 800
VF [V]
IF [A]
preparedꢀby:ꢀMK
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
11
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
24
1
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJC : Diode
22
20
18
16
14
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,02046 0,10956 0,02205 0,00681
τi[s]: 0,00108 0,03036 0,16873 3,29829
2
0
0,01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
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approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
12
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
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approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ2.0
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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revision:ꢀ2.0
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