DF200R12KE3 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5;型号: | DF200R12KE3 |
厂家: | Infineon |
描述: | Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 局域网 栅 晶体管 |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
1200
V
200
295
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
IC, nom
IC
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
400
1040
+/- 20
200
A
W
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
400
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I²t
7,8
k A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
2,5
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,7
2,0
max.
2,15
-
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
-
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 8mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
5,0
5,8
1,9
14
0,5
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V
ICES
5
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
400
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-07
revision: 3.0
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
1 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
IC= 200A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
td,on
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
-
-
0,25
0,30
-
-
µs
µs
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
tr
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 600V
-
-
0,09
0,10
-
-
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
td,off
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 600V
-
-
0,55
0,65
-
-
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
tf
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
-
-
0,13
0,18
-
-
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Eon
Eoff
-
-
-
-
-
15
35
-
-
-
-
-
mJ
mJ
A
V
GE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
GE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
P ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
V
t
Kurzschlussverhalten
SC data
ISC
800
20
Modulinduktivität
stray inductance module
LσCE
nH
mΩ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
RCC´/EE´
0,7
Charakteristische Werte / characteristic values
Inversdiode / free wheel diode
Durchlassspannung
forward voltage
IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
-
1,65
1,65
2,15
-
V
V
VF
IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF=200A, -diF/dt= 2000A/µs
Rückstromspitze
IRM
A
A
-
-
150
190
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF=200A, -diF/dt= 2000A/µs
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
µC
µC
-
-
20
36
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF= 200A, -diF/dt= 2000A/µs
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Erec
mJ
mJ
-
-
9
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
17
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Chopperdiode / chopper diode
Durchlassspannung
forward voltage
IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
-
1,65
1,65
2,15
-
V
V
VF
IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs
Rückstromspitze
IRM
A
A
-
-
210
270
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
µC
µC
-
-
30
56
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Erec
mJ
mJ
-
-
14
26
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Transistor Wechelr. / transistor inverter
RthJC
-
-
-
-
0,12
0,20
0,15
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand; DC
Inversdiode / free wheel diode
-
thermal resistance, junction to case; DC
Chopper Diode / chopper diode
-
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
Übergangs Wärmewiderstand
RthCK
Tvj max
Tvj op
Tstg
-
0,01
-
K/W
°C
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
-
-
-
-
150
125
125
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
°C
Lagertemperatur
storage temperature
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
Al2O3
425
-
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
Schraube M6 / screw M6
mounting torque
M
M
G
3,0
2,5
6,0
5,0
Nm
Nm
g
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminals M6
-
terminal connection torque
Gewicht
weight
340
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
DB_DF200R12KE3_3.0
3 (8)
2002-10-07
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
IC= f(VCE)
VGE= 15V
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
400
360
320
280
240
200
160
120
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
T= 125°C
400
VGE=19V
360
320
280
240
200
160
120
80
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
40
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
4 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
400
360
320
280
240
200
160
120
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
600
525
450
375
300
225
150
75
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
5 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Switching losses (typical)
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, RG=3,6Ω, VCE=600V, Tvj=125°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Eon
Eoff
Erec
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
IC [A]
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V, Tvj=125°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Eon
Eoff
Erec
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
RG [Ω]
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
0,1
Zth : IGBT
Zth : Inversdiode
0,01
Zth : Diode Chopper
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
i
1
2
3
4
ri [K/kW] : IGBT
50,44
60,45
2,601E-02
100,88
6,83
2,364E-03
11,36
2,28
1,187E-05
3,78
τi [s] : IGBT
ri [K/kW] : Inversdiode
τi [s] : Inversdiode
ri [K/kW] : Chopper Diode
τi [s] : Chopper Diode
6,499E-02
83,98
6,499E-02
63,07
6,499E-02
2,601E-02
75,68
2,601E-02
2,364E-03
8,53
2,364E-03
1,187E-05
2,84
1,187E-05
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE=±15V, Tvj=125°C, RG=3,6Ω
450
400
350
300
250
200
150
100
50
IC,Chip
IC,Modul
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
Kriechstrecke
20
11
mm
mm
creepage distance
Luftstrecke
clearance distance
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
8 (8)
Nutzungsbedingungen
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