DF200R12KE3HOSA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5;


型号：	DF200R12KE3HOSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 局域网栅晶体管
文件：	总9页 (文件大小：163K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

200

295

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

400

1040

+/- 20

200

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

400

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

7,8

k A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 8mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

1,9

0,5

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

V_GE= 0V, T_vj= 25°C, V_CE= 600V

I_CES

collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2002-10-07

revision: 3.0

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

1 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

I_C= 200A, V_CC= 600V

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

t_d,on

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C

0,25

0,30

µs

turn on delay time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

I_C= 200A, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

I_C= 200A, V_CC= 600V

0,09

0,10

µs

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

I_C= 200A, V_CC= 600V

0,55

0,65

µs

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

I_C= 200A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH

0,13

0,18

µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

I_C= 200A, V_CC= 600V, L_σ= 80nH

_GE= ±15V, R_G= 3,6Ω, T_vj= 125°C

_P≤ 10µs, V_GE≤ 15V, T_Vj≤ 125°C

V_CC= 900V, V_CEmax= V_CES- L_σCE·di/dt

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

800

Modulinduktivität

stray inductance module

L_σCE

mΩ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

0,7

Charakteristische Werte / characteristic values

Inversdiode / free wheel diode

Durchlassspannung

forward voltage

I_F= 200A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

1,65

2,15

V_F

I_F= 200A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F=200A, -di_F/dt= 2000A/µs

Rückstromspitze

I_RM

150

190

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=200A, -di_F/dt= 2000A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 200A, -di_F/dt= 2000A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

2 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Chopperdiode / chopper diode

Durchlassspannung

forward voltage

I_F= 300A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

1,65

2,15

V_F

I_F= 300A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F=300A, -di_F/dt= 3000A/µs

Rückstromspitze

I_RM

210

270

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=300A, -di_F/dt= 3000A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=300A, -di_F/dt= 3000A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechelr. / transistor inverter

R_thJC

0,12

0,20

0,15

K/W

Innerer Wärmewiderstand; DC

Inversdiode / free wheel diode

thermal resistance, junction to case; DC

Chopper Diode / chopper diode

pro Modul / per module

λ_Paste= 1W/m*K / λ_grease= 1W/m*K

Übergangs Wärmewiderstand

R_thCK

T_{vj max}

T_{vj op}

T_stg

0,01

K/W

°C

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

°C

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

Al₂O₃

425

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube M6 / screw M6

mounting torque

3,0

2,5

6,0

5,0

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse

Anschlüsse / terminals M6

terminal connection torque

Gewicht

weight

340

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

DB_DF200R12KE3_3.0

3 (8)

2002-10-07

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

I_C= f(V_CE)

V_GE= 15V

Ausgangskennlinie (typisch)

output characteristic (typical)

400

360

320

280

240

200

160

120

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

T_vj= 125°C

400

VGE=19V

360

320

280

240

200

160

120

VGE=17V

VGE=15V

VGE=13V

VGE=11V

VGE=9V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

4 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Übertragungscharakteristik (typisch)

transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE)

V_CE= 20V

400

360

320

280

240

200

160

120

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

V_GE[V]

I_F= f(V_F)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

600

525

450

375

300

225

150

400

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

350

300

250

200

150

100

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

V_F[V]

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

5 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (I_C) , E_off= f (I_C) , E_rec= f (I_C)

V_GE=±15V, R_G=3,6Ω, V_CE=600V, T_vj=125°C

Eon

Eoff

Erec

120

160

200

240

280

320

360

400

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

V_GE=±15V, I_C=200A, V_CE=600V, T_vj=125°C

100

Eon

Eoff

Erec

R_G[Ω]

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

6 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

Zth : IGBT

Zth : Inversdiode

0,01

Zth : Diode Chopper

0,001

0,01

0,1

t [s]

r_i[K/kW] : IGBT

50,44

60,45

2,601E-02

100,88

6,83

2,364E-03

11,36

2,28

1,187E-05

3,78

τ_i[s] : IGBT

r_i[K/kW] : Inversdiode

τ_i[s] : Inversdiode

r_i[K/kW] : Chopper Diode

τ_i[s] : Chopper Diode

6,499E-02

83,98

6,499E-02

63,07

6,499E-02

2,601E-02

75,68

2,601E-02

2,364E-03

8,53

2,364E-03

1,187E-05

2,84

1,187E-05

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=±15V, T_vj=125°C, R_G=3,6Ω

450

400

350

300

250

200

150

100

IC,Chip

IC,Modul

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

7 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF200R12KE3

Gehäusemaße / Schaltbild

Package outline / Circuit diagram

Kriechstrecke

creepage distance

Luftstrecke

clearance distance

DB_DF200R12KE3_3.0

2002-10-07

8 (8)

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der

bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments

will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect

to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted

exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its

characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For

those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.

Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

DF200R12KE3HOSA1 [INFINEON]

相关型号：

DF200R12KL-A

DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4_B6

DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3_B27

DF201

DF201

DF201

DF201-G

DF201S

DF201S