UNRF1AT [ETC]
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ ;
| 型号： | UNRF1AT |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ 晶体 晶体管 开关 |
| 文件： | 总3页 (文件大小：183K) |
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抵抗内蔵トランジスタ
UNRF1AT
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
デジタル回路用
3
2
1
■ 特ꢀ長
•
超小形リードレスパッケージのため機器の小形化および高
密度実装に最適
+0.01
0.39
1.00 0.0ꢀ
−0.03
パッケージサイズ(0.6 mm × 1.0 mm × 高さ0.39 mm)
0.2ꢀ 0.0ꢀ
0.2ꢀ 0.0ꢀ
1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
2
3
0.6ꢀ 0.01
0.0ꢀ 0.03
項目
記号
定格
−50
−50
−80
100
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
V
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
コレクタ電流
全許容損失
IC
mA
mW
PT
ML3-N2 Package
接
合温度
Tj
125
°C
形名表示記号 : 1D
保存温度
Tstg
−55 ∼ +125
°C
内部接続図
R1 (22 kΩ)
B
C
E
R2
(47 kΩ)
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
VCBO
条件
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
IC = −10 µA, IE = 0
IC = −2 mA, IB = 0
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
VCE = −10 V, IC = −5 mA
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
−50
V
− 0.1
− 0.5
− 0.2
µA
µA
mA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
ICEO
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
直流電流増幅率
hFE
80
400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
V
VOH
VOL
R1
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
−4.9
V
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
− 0.2
+30%
0.57
V
−30%
22
0.47
80
kΩ
抵抗比率
R1 / R2
fT
0.37
トランジション周 波数
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
MHz
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
発行年月 : 2003年4月
SJH00087AJD
1
UNRF1AT
PT Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
−100
−10
120
100
80
60
40
20
0
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
−80
−60
−40
−20
0
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
−1
− 0.3 mA
− 0.2 mA
Ta = 85°C
−25°C
25°C
− 0.1
− 0.01
− 0.001
− 0.1 mA
Ta = 25°C
I
C / IB = 10
0
−2
−4
−6
−8 −10 −12
0
40
80
120
−1
−10
−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
周
囲温度 Ta (°C)
コレクタ電流 IC (mA)
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
10
250
200
150
100
50
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
Ta = 25°C
VCE = −10 V
Ta = 85°C
−25°C
25°C
1
−1
− 0.1
− 0.01
0
−1
0.1
−10
−100
−1000
0
−10
−20
−30
−40
0
− 0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −2.5
入力電圧 VIN (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
VIN IO
−12
−10
−8
−6
−4
−2
0
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
SJH00087AJD
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品および技術で「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
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くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり
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(3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責
を負うものでは
ありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(4) 本資料に記載されている製品
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
は、標準用途
—
恐れのある用途
に
(5) 本資料に記載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
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および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モード
をご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じ
任を負いません。
させない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL
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