BD7910FV [ETC]
光ディスクLSI ; 光ディスクLSI\n
ETC 
BD7910FV
光ディスクIC
D-MOS FET 内蔵
1chip 録音ヘッドドライバ
BD7910FV
BD7910FV は、従来ディスクリートで構成されていた録音ヘッドコイルをドライブする D-MOS FET とそのプリドラ
イバ部、及び、シリーズレギュレータを1chip に内蔵したMD 用ヘッドコイルドライバです。大幅な部品点数の削減に
より、基板実装面積の縮小が図れます。
!用途
MD、MD プレーヤ
!特長
1) MD の録音ヘッドコイルのドライブに必要な機能を1 チップに内蔵。
2) 外付けで内蔵したレギュレータの出力を可変することにより、多様なヘッドコイルに対応。
3) サーマルシャットダウン回路内蔵。
4) 小型パッケージSSOP-B20W 採用。
5) 出力段ON 抵抗の異なる2 つのシリーズを用意。
BA7910FV
（ソース側 : 1.5Ω（Typ.）シンク側 : 2.5Ω（Typ.））
BA7911FV
（ソース側 : 0.5Ω（Typ.）シンク側 : 1.0Ω（Typ.））
!絶対最大定格（Ta=25°C）
Param eter
Sym bol
Lim its
60
Unit
V
出力段D-M OSドレイン・
ソース電圧（GND接続側）
V
V
DSH
出力段D-M OSドレイン・
ソース電圧（VDD接続側）
DSL
30
V
レギュレータ部入力電圧
レギュレータ部出力電流
許容損失
Vregin
Iregout
Pd
15
V
m A
W
400
1.18＊
動作温度範囲
Topr
Tstg
－25～＋75
－55～＋150
℃
℃
保存温度範囲
＊PCB（70m m ×70m m 、厚さ1.6m m 、ガラスエポキシ基板）実装時。
ꢀTa＝25℃以上で使用する場合は、1℃につき9.44m W を減じる。
!推奨動作条件
Param eter
Sym bol
Vregin
Lim its
Unit
V
レギュレータ入力電圧範囲
2.7～7.0
＊電源電圧に関しては、許容損失を考慮のうえ設定してください。
BD7910FV
光ディスクIC
!ブロックダイアグラム
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
M UTE
SVCC
PRE DRIVER
EFM
Vregin
1
4
5
6
7
2
3
8
9
10
!各端子説明
Pin No. 端子名
機ꢀ能
Pin No. 端子名
機ꢀ能
1
2
Vregin レギュレータ入力兼レギュレータ電源
RegGND レギュレータGND
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
Regnf レギュレータ帰還端子
Regout レギュレータ出力（エミッタフォロワ出力）
Regdrv レギュレータ用外付けPNPドライブ出力
3
RegSEL レギュレータセレクト端子
4
VG
パワーMOS駆動用電圧入力
EFMハイレベル電圧入力
V
OS2
ソース出力（上側パワーMOS・ソース）
Hブリッジ部電源端子（上側パワーMOS・ドレイン）
ソース出力（上側パワーMOS・ソース）
シンク出力（下側パワーMOS・ドレイン）
Hブリッジ部GND（下側パワーMOS・ソース）
シンク出力（下側パワーMOS・ドレイン）
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ―
5
SVCC
V
DD
6
PDGND プリドライブGND
V
OS1
OD1
7
EFM
EFM信号入力
V
8
MUTE
N.C.
N.C.
ミュートコントロール（HIGHアクティブ）
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ―
V
SS
9
VOD2
10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ―
N.C.
BD7910FV
光ディスクIC
!電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C, SVCC=3.3V, VG=5V, Vregin=5V）
Param eter
〈磁気ヘッドドライバ部〉
回路電流
Sym bol
M in.
Typ.
M ax.
Unit
Conditions
Testcircuit
V
G
IG
―
―
―
80
―
―
400
10
μA
μA
μA
EFM 無入力時
EFM 無入力時
12－13 or14－13PIN間60V印加
Fig.1
Fig.1
SVCC回路電流
ISCC
出力段D-M OSリーク
I
LEAK
50
Fig.1
Fig.2
出力段ON抵抗
（ソース側）
R
R
ON1
ON2
1.1
1.9
1.5
2.5
1.9
3.1
Ω
Ω
IDS＝0.3A，VGS＝5V
出力段ON抵抗
（シンク側）
I
DS＝0.3A，VGS＝5V
Fig.2
ターンON遅延時間
ターンOFF遅延時間
td（on）
50
50
100
100
150
150
ns
ns
Fig.3
Fig.3
td（off）
M UTE端子“H”
レベル流入電流
I
M TH
43
86
0
172
20
μA
μA
M UTE＝5V
M UTE＝0V
Fig.1
Fig.1
M UTE端子“L”
レベル流入電流
IM TL
－20
〈レギュレータ部〉
回路電流1
I
Q1
―
―
1.9
1.6
5.0
5.0
m A
m A
3pin≧2V
Fig.4
Fig.4
回路電流2
IQ2
3pin≦0.5V
SEL端子“H”
レベル流入電流
I
SLH
86
172
0
344
20
μA
μA
SEL＝5V
SEL＝0V
Fig.4
Fig.4
SEL端子“L”
レベル流入電流
ISLL
－20
〈レギュレータ部，19pin，エミッタフォロワ出力〉
出力電圧
Vregout
Vregw
2.43
1.5
2.70
―
2.97
3.8
V
V
I
O
＝300m A 2倍アンプ時
Fig.4
Fig.4
出力電圧範囲
IO＝300m A
〈レギュレータ部，18pin，外付けPNP駆動出力〉
最大駆動電流 Ireg
5
―
―
m A
シンク電流
Fig.4
◎耐放射線設計はしておりません。
BD7910FV
光ディスクIC
!測定回路図
60V
60V
ILEAK
ILEAK
A
A
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
SVCC
M ute
Pre driver
EFM
Vregin
4
5
6
7
1
2
3
8
9
10
IG
ISCC
0.1μF
Vregin
A
A
A
I
M
T
T
V
G
SVCC
0.1μF
0.1μF
V
M
Fig.1
300m A
300m A
300m A
V
V
DS
V
V
DS
V
V
DS
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
SVCC
M ute
Pre driver
EFM
Vregin
4
5
6
7
1
2
3
8
9
10
0.1μF
Vregin
V
G
SVCC
VEFM
Fig.2
BD7910FV
光ディスクIC
4V
4V
V
DS
V
DS
V
DS
VDS
4V
5Ω
5Ω
5Ω
5Ω
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
SVCC
Mute
Pre driver
EFM
Vregin
1
4
5
6
7
2
3
8
9
10
0.1μF
0.1μF
0.1μF
VG
SVCC
Vregin
VEFM
Fig.3
Vregout
IL
V
30kΩ
+
SW -NF
2
10μ
5V
3
1
A
Ireg
30kΩ
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
M ute
SVCC
Pre driver
EFM
Vregin
4
5
6
7
1
A
2
3
A
8
9
10
0.1μF
IQ
ISEL
Vregin
VSEL
Fig.4
BD7910FV
光ディスクIC
!測定回路スイッチ表
（Fig.1）
入ꢀ力
記ꢀ号 測定ポイント
備ꢀ考
VREGIN
5V
VG
5V
5V
5V
5V
5V
SVCC
VM T
0V
IG
IG
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
I
SCC
LEAK
M TH
M TL
I
SCC
LEAK
M T
M T
5V
0V
I
I
5V
5V
I
I
5V
5V
I
I
5V
0V
（Fig.2）
入ꢀ力
記ꢀ号 測定ポイント
VREGIN
5V
VG
5V
5V
SVCC
3.3V
3.3V
VEFM
R
R
ON1
ON2
V
V
DS /300m A
DS /300m A
0V→16－15pin間D-M OS /3.3V→16－17pin間D-M OS
0V→12－13pin間D-M OS /3.3V→14－13pin間D-M OS
5V
（Fig.3）
入ꢀ力
記ꢀ号 測定ポイント
備ꢀ考
VREGIN
5V
VG
5V
5V
SVCC
3.3V
3.3V
VEFM
td（ON）
V
V
DS
DS
1kHz方形波（0V－3.3V）
1kHz方形波（0V－3.3V）
VEFM とVDSの波形観測
VEFM とVDSの波形観測
td（OFF）
5V
（Fig.4）
スイッチ
入ꢀ力
記ꢀ号 測定ポイント
備ꢀ考
SW -NF VREGIN VSEL
IL
I
Q1
Q2
SLH
SLL
I
Q
2
2
2
2
2
3
1
2
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
0V
5V
5V
0V
0V
0V
0V
5V
0m A
I
IQ
0m A
I
ISEL
0m A
I
ISEL
0m A
Vregout
Vregw
Ireg
Vregout
Vregout
Ireg
300m A
300m A 最大出力電圧
300m A 最小出力電圧
0m A
BD7910FV
光ディスクIC
!応用例
+
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
M ute
SVCC
Pre driver
EFM
Vregin
4
5
6
7
1
2
3
8
9
10
+
Fig.5
+
17
16
15
14
20
19
18
13
12
11
－
－
VG
SVCC
M ute
Pre driver
EFM
Vregin
1
4
5
6
7
2
3
8
9
10
Fig.6
BD7910FV
光ディスクIC
!使用上の注意
(1) レギュレータの使用方法
1
0.1μ
出力
＋
－
－
＋
18
20
19
20
出力
V
BG
VBG
R
R
1
2
R
R
1
2
+
+
10μ
10μ
2
2
PowTr内蔵タイプ
PowTr外付けタイプ
上記2 タイプ共に、出力電圧は以下の式で決まります。
O （ BGꢀꢀꢀ（ BG 〔 〕）
V = 1+R1 / R2 V V =1.35 0.10
）
±
V
(2) BD7910FV では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。チップ温度が175°C（Typ.）になると、ヘッド
ドライブ回路、及び、レギュレータ回路の出力がミュートされます。
(3) ミュート端子（8pin）電圧を2.0V 以上にするとヘッドドライブ回路の出力がミュートされます。通常使用状態で
は、このpin をオープン、または、0.5V 以下にしてください。
(4) レギュレータセレクタ端子（3pin）電圧をオープン、または、0.5V 以下にすると19pin 出力がON して、18pin 出
力がOFF。2.0V 以上にすると19pin 出力がOFF して、18pin 出力がON します。
(5) 全ての供給電源とGND 間には、このIC の直近にバイパスコンデンサ（0.1µF 程度）をつけてください。
(6) 録音ヘッドコイルに並列に接続するコンデンサは、動作時にコイルの発生する逆起電圧が動作温度全域にわたって
D-MOS の耐圧を超えないような値に設定してください。
BD7910FV
光ディスクIC
!電気的特性曲線
1.5
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS＝8V
7V
6V
V
GS＝8V
7V
1.0
3V
3V
0.5
2V
2V
0
0
25
50
75
100 125 150 175
0
0.5
1.0
1.5
0
0.5
1.0
1.5
AMBIENT TEMPERATURE：Ta（℃）
V
DS（V）
V
DS（V）
Fig.8ꢀシンク側D-MOS VDS-I
D特性
Fig.9ꢀソース側D-MOS VDS-I
D特性
Fig.7ꢀ熱軽減率曲線
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
20
15
10
5
5V
Vregin
1
Vregin
10
19
Vregout
19
20
ISINK
－
＋
30k
30k
I
L
ISINK＝V / 10Ω
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
REGULATOR LOAD CURRENT
1
2
3
4
5
6
7
0
Vregin（V）
Fig.10ꢀPowTr内蔵型レギュレータ
出力負荷変動
Fig.11ꢀ外付PowTr駆動電流
!外形寸法図（Unit: mm）
6.5±0.2
20
11
1
10
0.65
0.22±0.1
0.3Min.
0.1
SSOP-B20W
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