2SJ467 [ETC]

;
2SJ467
型号: 2SJ467
厂家: ETC    ETC
描述:

晶体 晶体管 开关
文件: 总3页 (文件大小:398K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
注文コーNo.N 5 4 9 2 A  
No. 5492A  
52599  
開発速No.5492さしかえてください。  
P チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
2SJ467  
DC-DC ンバータ用超高速スイッチング  
特長 ・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
V
V
30  
DSS  
GSS  
±25  
V
I
D
-4  
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
32  
A
P
1.0  
W
D
Tc=25℃ꢀ  
30  
150  
W
チャネル温度  
保存周囲温度  
Tch  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
typ  
m ax unit  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
30  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=-30V,V =0  
GS  
100  
±10  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
20V,V =0  
DS  
V
(off)  
=-10V,I =1m A  
D
1.0  
4
2.5  
GS  
yfs  
=-10V,I =4A  
D
6
80  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =4A,V =10V  
GS  
100 m Ω  
170 m Ω  
DS  
DS  
D
(on)2 I =2A,V =4V  
GS  
125  
D
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2083B  
外形図ꢀ2092B  
(unit:m m )  
6.5  
6.5  
5.0  
2.3  
(unit:m m )  
2.3  
5.0  
4
0.5  
0.5  
4
0.85  
0.7  
0.5  
0.85  
1
2
3
1.2  
0.6  
1.2  
00.2  
0.6  
0.5  
1:Gate  
1:Gate  
1
2
3
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
2.3  
2.3  
2.3  
2.3  
SANYOTP  
SANYOTP-FA  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
52599SIIM /O0397SI◎祝TA-0654/21596YK 寿◎丹No.5492-1/3  
2SJ467  
前ページより続く。  
m in  
typ  
650  
500  
140  
15  
m ax unit  
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
V
V
=-10V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
=-10V,f=1M Hz  
=-10V,f=1M Hz  
帰還容量  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
d
指定回路において  
ꢀꢀꢀ 〃  
t
r
170  
65  
t (off)  
d
ꢀꢀꢀ 〃  
t
f
ꢀꢀꢀ 〃  
75  
総ゲート電荷量  
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qg  
20  
Qgs  
Qgd  
V
=-10V,V =10V,I =1A  
GS  
3
DS  
D
6
V
I =4A,V =0  
S GS  
1.0  
1.2  
V
SD  
スイッチングタイム測定回路図  
V
=--15V  
DD  
V
IN  
I
=--4A  
L
0V  
--10V  
D
R =3.75  
V
D
OUT  
V
IN  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
P. G  
50Ω  
2SJ467  
S
A S O  
P
-- Ta  
D
5
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
I
100µs  
DP  
3
2
--10  
7
5
I
D
3
2
Operation in  
thisareais  
lim ited byR (on).  
DS  
--1.0  
7
5
0.2  
0
3 Tc=25°C  
2
1パルス  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
--1.0  
--10  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
ITR00561  
ITR00560  
周囲温度, Ta -- °C  
DS  
P
-- Tc  
D
40  
30  
20  
10  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
ITR00562  
ケース温度, Tc -- °C  
No.5492-2/3  
2SJ467  
Y16PS No.5492-3/3  

相关型号:

2SJ469

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO
ETC

2SJ471

Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
HITACHI

2SJ471

Silicon P Channel DV-L MOS FET
RENESAS

2SJ471-E

Silicon P Channel DV-L MOS FET
RENESAS

2SJ472-01L

Power MOSFET
FUJI

2SJ472-01L_06

P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FUJI

2SJ472-01S

P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FUJI

2SJ473-01L

Power MOSFET
FUJI

2SJ473-01L_06

P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FUJI