2SJ468 [ETC]
;型号: | 2SJ468 |
厂家: | ETC |
描述: |
|
文件: | 总2页 (文件大小:387K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
注文コードNo.N 5 4 9 3 A
No. 5493A
三洋半導体ニューズ
52599
新
開発速報No.※5493とさしかえてください。
P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
2SJ468
DC-DC コンバータ用超高速スイッチング
特長 ・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
unit
V
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
V
V
-30
±25
-4
-32
2.0
DSS
GSS
V
I
D
A
I
DP
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
セラミック基板(1200m m 2 ×0.8m m )装着時
A
P
W
D
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
-55~+150
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
m in
typ
m ax unit
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =-1m A,V =0
GS
-30
V
µA
µA
V
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=-30V,V =0
GS
-100
±10
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±20V,V =0
DS
V
(off)
=-10V,I =-1m A
D
-1.0
4
-2.5
GS
yfs
=-10V,I =-4A
D
6
80
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)1 I =-4A,V =-10V
GS
100 m Ω
170 m Ω
DS
DS
D
(on)2 I =-2A,V =-4V
GS
125
D
次ページへ続く。
スイッチングタイム測定回路図ꢀꢀꢀꢀꢀ
外形図ꢀ2116
(unit:m m )
V
=--15V
DD
8
5
V
IN
I
=--4A
L
0V
--10V
D
R =3.75Ω
V
D
1:Source
2:Source
3:Source
4:Gate
5:Drain
6:Drain
7:Drain
8:Drain
OUT
V
IN
PW=10µs
D.C.≦1%
G
1
4
0.2
5.0
P.G
50Ω
2SJ468
S
1.27
0.595
0.43
SANYO:SOP8
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
52599SIIM /61797SI◎祝田TA-0653/21596YK 寿◎丹野No.5493-1/2
2SJ468
前ページより続く。
m in
typ
650
500
140
15
m ax unit
入力容量
Ciss
Coss
Crss
V
V
V
=-10V,f=1M Hz
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
DS
DS
DS
出力容量
=-10V,f=1M Hz
=-10V,f=1M Hz
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (on)
d
指定回路において
ꢀꢀꢀ 〃
t
r
170
65
t (off)
d
ꢀꢀꢀ 〃
t
f
ꢀꢀꢀ 〃
75
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qg
20
Qgs
Qgd
V
=-10V,V =-10V,I =-1A
GS
3
DS
D
6
V
I =-4A,V =0
S GS
-1.0
-1.2
V
SD
A S O
P
-- Ta
D
5
3
2
3
100µs
I
DP
2
--10
7
5
I
D
3
2
Operation in
thisareais
lim ited byR (on).
DS
--1.0
7
5
3
2
1
0
--0.1
7
5
Ta=25°C
1パルス
3
2
セラミック基板(1200m m 2×0.8m m )装着時
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--1.0
--10
ドレイン・ソース電圧, V
-- V ITR00563
ITR00564
周囲温度, Ta -- °C
DS
PS No.5493-2/2
相关型号:
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明