2SC4905 [ETC]

;
2SC4905
型号: 2SC4905
厂家: ETC    ETC
描述:

晶体 晶体管 光电二极管 放大器
文件: 总6页 (文件大小:40K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
2SC4905  
Silicon NPN Bipolar Transistor  
Application  
CMPAK  
VHF & UHF wide band amplifire  
Features  
3
1
• High gain bandwidth product  
2
f = 5.8 GHz typ  
T
• High gain, low noise figure  
PG = 12.0 dB typ,  
NF = 1.6 dB typ at f = 900 MHz  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base voltage  
V
20  
V
CBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector to emitter voltage  
V
12  
V
CEO  
———————————————————————————————————————————  
Emitter to base voltage  
V
2
V
EBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector current  
I
50  
mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Collector power dissipation  
P
100  
mW  
C
———————————————————————————————————————————  
Junction temperature  
T
150  
°C  
j
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
2SC4905  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base  
V
20  
V
I = 10 µA, I = 0  
(BR)CBO  
C E  
breakdown voltage  
———————————————————————————————————————————  
Collector cutoff current  
I
10  
µA  
V
= 15 V,  
CBO  
CB  
I = 0  
E
——————————————————————————————  
I
1
mA  
V
= 12 V,  
CEO  
CE  
R
=  
BE  
———————————————————————————————————————————  
Emitter cutoff current  
I
10  
µA  
V
= 2 V,  
EBO  
EB  
I
= 0  
C
———————————————————————————————————————————  
DC current transfer ratio  
h
50  
120  
250  
V
= 5 V,  
FE  
CE  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Output capacitance  
Cob  
0.8  
1.2  
pF  
V
= 5 V,  
CB  
I = 0, f = 1 MHz  
E
———————————————————————————————————————————  
Gain bandwidth  
f
4
5.8  
GHz  
V
= 5 V,  
T
CE  
product  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Power gain  
PG  
9.5  
12.0  
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 20 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
Noise figure  
NF  
1.6  
3.0  
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 5 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
Marking for 2SC4905 is “YM–”.  
2SC4905  
DC current transfer ratio  
vs. collector current  
Maximum collector power dissipation curve  
200  
200  
160  
120  
80  
V
CE  
= 5V  
150  
100  
50  
40  
0
0.1 0.2 0.5  
1
2
5
10 20 50  
0
50  
100  
150  
200  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Collector Current I (mA)  
C
Collector output capacitance  
vs. collector to base voltage  
Gain bandwidth product vs. collector current  
10  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
I
= 0  
E
V
= 5 V  
CE  
f = 1 MHz  
8
6
4
2
0
0.8  
0.6  
1
2
5
10  
20  
50  
0.5  
1
2
5
10  
20  
Collector to Base Voltage V  
(V)  
Collector Current I (mA)  
CB  
C
2SC4905  
Power gain vs. collector current  
Noise figure vs. collector current  
20  
16  
12  
8
5
4
3
2
V
= 5V  
CE  
V
= 5V  
CE  
f = 900MHz  
f = 900 MHz  
4
0
1
0
1
1
2
5
10  
20  
50  
2
5
10  
20  
50  
Collector Current I (mA)  
Collector Current I (mA)  
C
C
S21 parameter vs. collector current  
20  
16  
12  
8
V
= 5V  
CE  
f = 1 GHz  
4
0
1
2
5
10  
20  
(mA)  
50  
Collector Current  
I
C
2SC4905  
S11 parameter vs. frequency  
S21 parameter vs. frequency  
Scale: 6 / div.  
1
90°  
.8  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
150°  
30°  
4
5
.2  
10  
.2  
.4 .6  
1
1.52  
10  
3
5
4
0°  
0
180°  
–10  
–5  
–.2  
–4  
–30°  
–150°  
–3  
–.4  
–2  
–60°  
–120°  
–.6  
–1.5  
–.8  
–1  
–90°  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
100 MHz to 1000 MHz (100 MHz step)  
(I = 5 mA)  
100 MHz to 1000 MHz (100 MHz step)  
C
(I = 5 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
S12 parameter vs. frequency  
S22 parameter vs. frequency  
Scale: 0.04 / div.  
1
.8  
90°  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
150°  
30°  
4
.2  
5
10  
.4  
.8  
1.5  
10  
.2  
.6  
1
2
3
4
5
0
0°  
180°  
–10  
–5  
–.2  
–4  
–30°  
–150°  
–3  
–.4  
–2  
–120°  
–.6  
–60°  
–1.5  
–.8  
–1  
–90°  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
CE  
100 MHz to 1000 MHz (100 MHz step)  
(IC = 5 mA)  
100 MHz to 1000 MHz (100 MHz step)  
(I = 5 mA)  
C
C
(I = 20 mA)  
(I = 20 mA)  
C
2SC4905  
Table 3 S Parameter (V = 5 V, I = 5 mA, Z = 50 , Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
100  
0.811  
–38.9  
13.42  
153.8  
0.0340  
70.7  
0.914  
–20.1  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.706  
–71.5  
10.97  
133.5  
0.0568  
56.8  
0.757  
–33.9  
———————————————————————————————————————————  
300  
0.614  
–95.7  
8.65  
119.3  
0.0698  
49.9  
0.623  
–41.6  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.560  
–113.0  
7.04  
109.9  
0.0783  
47.1  
0.532  
–45.6  
———————————————————————————————————————————  
500  
0.528  
–126.6  
5.87  
102.7  
0.0843  
46.0  
0.471  
–48.0  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.508  
–137.5  
5.02  
97.0  
0.0897  
46.7  
0.428  
–49.3  
———————————————————————————————————————————  
700  
0.492  
–145.5  
4.39  
92.4  
0.0946  
47.4  
0.399  
–50.6  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.485  
–153.4  
3.90  
88.2  
0.0999  
48.3  
0.376  
–51.7  
———————————————————————————————————————————  
900  
0.480  
–160.2  
3.50  
84.5  
0.106  
50.0  
0.360  
–52.8  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.472  
–165.2  
3.19  
81.5  
0.112  
51.8  
0.348  
–53.9  
———————————————————————————————————————————  
Table 4 S Parameter (V = 5 V, I = 20 mA, Z = 50 , Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
100  
0.572  
–75.3  
26.66  
135.0  
0.0254  
61.6  
0.727  
–36.9  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.497  
–116.5  
17.02  
114.0  
0.0361  
55.7  
0.483  
–49.9  
———————————————————————————————————————————  
300  
0.458  
–138.3  
11.90  
103.4  
0.0446  
57.1  
0.362  
–53.4  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.448  
–150.9  
9.13  
97.1  
0.0530  
59.8  
0.300  
–53.9  
———————————————————————————————————————————  
500  
0.439  
–160.1  
7.39  
92.1  
0.0618  
62.4  
0.264  
–53.7  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.444  
–167.3  
6.21  
88.3  
0.0705  
64.4  
0.242  
–53.5  
———————————————————————————————————————————  
700  
0.436  
–171.9  
5.37  
85.2  
0.0799  
66.0  
0.228  
–53.8  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.442  
–176.5  
4.73  
82.2  
0.0892  
66.8  
0.217  
–53.9  
———————————————————————————————————————————  
900  
0.440  
178.0  
4.23  
79.5  
0.0988  
67.5  
0.210  
–54.4  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.443  
174.9  
3.82  
77.1  
0.108  
68.2  
0.205  
–55.2  
———————————————————————————————————————————  

相关型号:

2SC4906YN

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
RENESAS

2SC4906YN-TL

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CMPAK-3
HITACHI

2SC4906YN-TR

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CMPAK-3
HITACHI

2SC4906YN-UL

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CMPAK-3
HITACHI

2SC4906YN-UR

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CMPAK-3
HITACHI

2SC4907

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)
SANKEN

2SC4907

Silicon NPN Power Transistors
ISC

2SC4907

Silicon NPN Power Transistors
SAVANTIC

2SC4908

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)
SANKEN

2SC4908

Silicon NPN Power Transistors
ISC

2SC4908

Silicon NPN Power Transistors
SAVANTIC