ELM33400CA-S [ELM-TECH]
Single N-channel MOSFET; 单N沟道MOSFET![ELM33400CA-S](http://pdffile.icpdf.com/pdf1/p00149/img/icpdf/ELM33_827676_icpdf.jpg)
型号: | ELM33400CA-S |
厂家: | ![]() |
描述: | Single N-channel MOSFET |
文件: | 总4页 (文件大小:100K) |
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On-Resistance Variation with
On-Region Characteristics.
3V
Drain Current and Gate Voltage.
25
2.25
2
10V
V
GS= 2.5V
20
15
10
5
4.5V
2.5V
1.75
1.5
4.5V
10V
1.25
1
V
GS=2V
0
0.75
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
V
GS, Gate to Source Voltage(V)
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Temperature.
Transfer Characteristics.
1.6
1.4
1.2
1
20
I
D
= 5A
V
GS= 4.5V
V
DS=5V
15
12
8
125°C
25°C
0.8
4
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
TJ, Junction Temperature(°C)
V
GS, Gate to Source Voltage(V)
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
10
1
V
GS= 0V
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
TA= 125°C
-55°C
ID
=5A
25°C
125°C
25°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS, Gate to Source Voltage(V)
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
㪋㪄㪊
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㪜㪣㪤㪊㪊㪋㪇㪇㪚㪘㪄㪪
Gate-Charge Characteristics
Capacitance Characteristics
1100
900
5
4
3
2
1
0
I
D
= 5A
VDS= 5V
f =1MHz
GS=0 V
V
C
iss
10V
700
500
300
100
0
C
oss
rss
C
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Qg Gate Charge (nC)
V
DS, Drain to Source Voltage(V)
Maxmum Safe Operating Area.
Single Puise Maximum Power Dissipation.
100
20
R
DS(ON) LIMIT
SINGLE PULSE
1ms
R JA=100°C/W
Ӱ
10
1
15
12
8
10ms
100ms
TA=25°C
1s
10s
DC
V
GS =4.5V
SINGLE PULSE
0.1
R
ӰJA=100°C/W
4
TA=25°C
0.01
0.1
0
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
VGS,Drain-Source Voltage(V)
Single Pulse Time(SEC)
Transisent Thermal Response Curve.
1
D=0.5
0.2
0.5
0.2
R
Ӱ
JA(t) = r(t) * RӰ˝˔
JA=100°C/W
0.1
RӰ
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
0.01
t1
0.01
Single Pulse
t2
0.005
T
J
-T
A
=P*R JA(t)
Ӱ
Duty Cycle, D= t
1
/ t2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
1
10
100
300
Time(0S.1EC)
㪋㪄㪋
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