SBX2020_18 [DIOTEC]

Schottky Barrier Rectifier Diodes;
SBX2020_18
型号: SBX2020_18
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Schottky Barrier Rectifier Diodes

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SBX2030 ... SBX2050  
SBX2030 ... SBX2050  
IFAV = 20 A  
VF1 < 0.45 V  
Tjmax = 150°C  
VRRM = 30 ... 50 V  
IFSM = 290/330 A  
VF125 ~ 0.30 V @ 5 A  
Schottky Barrier Rectifier Diodes  
Schottky-Gleichrichterdioden  
Version 2018-02-19  
Typical Applications  
Solar Bypass Diodes, Polarity  
Typische Anwendungen  
Solar-Bypassdioden,  
Protection, Free-wheeling diodes,  
Output Rectification in DC/DC  
Converters  
Verpolschutz, Freilaufdioden,  
Ausgangsgleichrichtung in  
Gleichstromwandlern  
Ø 8 x 7.5 (~P600)  
Commercial grade 1)  
Standardausführung 1)  
Ø 8±0.1  
Features  
Besonderheiten  
Optimale Auswahl von VF und IR )  
Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj  
Niedrige Fluss-Spannung  
2
2
Best trade-off between VF and IR )  
Lowest value RthL for lowest Tj  
Low forward voltage drop  
Smaller package outline  
Halogen  
Gehäusegröße kleiner  
als Industriestandard  
FREE  
than industry standard  
S
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
E
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Ø 1.6±0.05  
Taped in ammo pack  
500  
Gegurtet in Ammo-Pack  
On request: on 13” reel  
1000  
Auf Anfrage: auf 13” Rolle  
Weight approx.  
Case material  
2 g  
Gewicht ca.  
Gehäusematerial  
UL 94V-0  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
260°C/10s  
MSL N/A  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 3)  
Grenzwerte 3)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
SBX2030*  
SBX2040*  
SBX2045*  
SBX2050  
30  
30  
40  
45  
50  
* Not for new design. Will be replaced by /  
Nicht für Neuentw. Werden ersetzt durch  
40  
45  
50  
SBX2040-3G/SBX2045-3G  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
20 A 4)  
TA = 50°C  
IFAV  
IFSM  
i2t  
Peak forward surge current,  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
290 A  
330 A  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
480 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+150°C  
≤ 200°C 2)  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
Storage temperature  
Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+175°C  
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”  
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”  
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
SBX2030 ... SBX2050  
Characteristics  
Kennwerte  
Type  
Typ  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
SBX2030 ... SBX2045  
SBX2050  
typ. 0.30  
typ. 0.32  
5
5
125°C  
125°C  
< 0.45  
< 0.47  
5
5
25°C  
25°C  
< 0.59  
< 0.61  
20  
20  
25°C  
25°C  
Leakage current  
Sperrstrom  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
< 500 µA  
typ. 25 mA  
VR = VRRM  
VR = 4 V  
IR  
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität  
Cj  
720 pF  
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
Thermal resistance junction to lead – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
RthA  
RthL  
< 10 K/W 1)  
< 2.1 K/W 2)  
102  
120  
[%]  
100  
[A]  
10  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
80  
60  
40  
20  
1
10-1  
IF  
IFAV  
10-2  
0
0
0.4  
0.6  
1.0  
VF  
[V]  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
103  
Tj = 150°C  
[mA]  
102  
Tj = 125°C  
Tj = 75°C  
10  
1
IR  
Tj = 25°C  
10-1  
VRRM  
40  
[%]  
0
60  
80  
100  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage  
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet  
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test  
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 
 

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