SBX2040 [DIOTEC]
2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules - Schottky Barrier Rectifiers; 第二代旁路二极管的太阳能电池组件 - 肖特基势垒整流器
| 型号： | SBX2040 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | 2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules - Schottky Barrier Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：101K) |
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SBX2030 ... SBX2050
SBX2030 ... SBX2050
2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2011-07-11
Nominal current
Nennstrom
20 A
30...50 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Ø 8±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.6±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Green Molding
Halogen-Free1
Dimensions - Maße [mm]
Features
Vorteile
Up to 50V reverse voltage at low VF
Lowest value RthL for lowest Tj
Best trade-off between VF and IR )
Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem VF
Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj
Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR )
2
2
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Maximum ratings and characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung Durchlass-Spannung
Forward Voltage
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
VRRM [V] / VRSM [V]
VF [V] Tj = 125°C
IF = 5 A
IF = 5 A
< 0.45
< 0.45
< 0.47
IF = 20 A
< 0.59
< 0.59
< 0.61
SBX2030
SBX2040
SBX2050
30
40
50
typ. 0.30
typ. 0.30
typ. 0.32
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFSM
i2t
20 A3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
290/330 A
420 A2s
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C 2)
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
From 1H/2012 – Ab 1H/2012
2
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
3
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBX2030 ... SBX2050
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
RthA
IR
< 500 µA
typ. 25 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 10 K/W 1)
< 2.1 K/W 2)
Thermal resistance junction to leads
RthL
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte
102
[A]
120
[%]
Tj = 125°C
100
10
Tj = 25°C
80
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
10-2
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
103
Tj = 150°C
[mA]
102
Tj = 125°C
Tj = 75°C
10
1
IR
Tj = 25°C
10-1
VRRM
40
[%]
0
60
80
100
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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