SBX2040-3G [DIOTEC]

Schottky Barrier Rectifier Diodes Generation;
SBX2040-3G
型号: SBX2040-3G
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Schottky Barrier Rectifier Diodes Generation

IOT 二极管
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SBX2040-3G, SBX2045-3G  
SBX2040-3G, SBX2045-3G  
IFAV = 20 A  
VF@5A < 0.45 V  
Tjmax = 150°C  
VRRM = 40, 45 V  
IFSM = 290/330 A  
VF125 ~ 0.30 V @ 5 A  
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation  
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation  
Version 2018-02-19  
Typical Applications  
Solar Bypass Diodes, Polarity  
Typische Anwendungen  
Solar-Bypassdioden,  
Ø 5.4 x 7.5  
Protection, Free-wheeling diodes,  
Output Rectification in DC/DC  
Converters  
Verpolschutz, Freilaufdioden,  
Ausgangsgleichrichtung in  
Gleichstromwandlern  
Commercial grade 1)  
Standardausführung 1)  
Features  
Besonderheiten  
Optimale Auswahl von VF und IR )  
Niedrigster RthL Wert für niedrigstes Tj  
Niedrige Fluss-Spannung  
Ø 5.4±0.1  
2
2
Best trade-off between VF and IR )  
Lowest value RthL for lowest Tj  
Low forward voltage drop  
Smaller package outline  
than SBX2040/45  
Halogen  
Gehäusegröße kleiner  
als SBX2040/45  
FREE  
S
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
E
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Ø 1.6±0.05  
Taped in ammo pack  
500  
Gegurtet in Ammo-Pack  
On request: on 13” reel  
1000  
Auf Anfrage: auf 13” Rolle  
Weight approx.  
Case material  
2 g  
Gewicht ca.  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
UL 94V-0  
Solder & assembly conditions  
260°C/10s  
MSL N/A  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 3)  
Grenzwerte 3)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
SBX2040-3G  
SBX2045-3G  
40  
45  
40  
45  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
20 A 4)  
TA = 50°C  
IFAV  
IFSM  
i2t  
Peak forward surge current,  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
290 A  
330 A  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
480 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+150°C  
2,5  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
≤ 200°C  
)
Storage temperature  
Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+175°C  
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”  
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”  
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test  
5
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 
SBX2040-3G, SBX2045-3G  
Characteristics  
Kennwerte  
Type  
Typ  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
VF [V] @ IF [A] @ Tj  
SBX2040-3G  
SBX2045-3G  
typ. 0.30  
5
125°C  
< 0.45  
5
25°C  
< 0.59  
20  
25°C  
Leakage current  
Sperrstrom  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
< 200 µA  
typ. 3 mA  
VR = VRRM  
VR = 4 V  
IR  
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität  
Cj  
720 pF  
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
Thermal resistance junction to lead – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
RthA  
RthL  
< 10 K/W 1)  
< 2.1 K/W 2)  
102  
120  
[%]  
100  
[A]  
10  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
80  
60  
40  
20  
1
10-1  
IF  
IFAV  
10-2  
0
0
0.4  
0.6  
1.0  
VF  
[V]  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
102  
Tj = 150°C  
[mA]  
101  
Tj = 125°C  
Tj = 100°C  
Tj = 75°C  
1
Tj = 50°C  
Tj = 25°C  
10-1  
IR  
10-2  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
VRRM  
[%]  
100  
0
40  
60  
80  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet  
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage  
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung  
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test  
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 
 

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