SI-A7500/3300-3.2 [SEMIKRON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.2A, 15000V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | SI-A7500/3300-3.2 |
| 厂家： | 
SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.2A, 15000V V(RRM), Silicon, 二极管 |
| 文件： | 总1页 (文件大小：24K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Si–A 7500/3300–3.2
High Voltage Si-Rectifiers
Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3.2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
15000 V
Dimensions / Maße in mm
Ceramic tube filled with quarz powder, can be mounted in air or oil
Keramikrohr mit Quarzmehlfüllung, zur Montage in Luft oder Öl
Ø 31 x 295 [mm]
340 g
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Rated DC voltage
Anschlußgleichspg.
VRD [V]
Alternat. input volt.
Eingangswechselspg. Period. Spitzensperrspg.
Rep. peak reverse volt.
VVRMS [V]
7500
VRRM [V]
15000
Si–A 7500/3300–3.2
3300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung, R-Last
TA = 25/C
TA = 25/C
TA = 25/C
IFAV
IFSM
i2t
3.2 A
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
180 A
166 A2s
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150/C
TS – 50…+150/C
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
Tj = 25/C
IF = 3.2 A
VR = VRRM
VF
IR
< 25 V
< 100 : A
130
01.04.2000
相关型号：
SI-B14000/1800-1.8
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 12000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
DIOTEC
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明